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攻克技术难题,比亚迪推出IGBT4.0

1、12月10日,比亚迪在宁波正式发布其全新车规级“IGBT4.0”技术。IGBT-绝缘栅双极型晶体管,是由功率MOSFET和BJT组成的复合全控型电压驱动式器件,综合了MOSFET的高输入阻抗和BJT低导通压降两方面的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小、开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点。IGBT可广泛的应用于工业控制、汽车电子、通信、消费电子、国防军工等众多领域。IGBT是新能源汽车、直流充电桩和高铁的核心器件,根据高工产研数据,其IGBT成本占到新能源整车成本的10%,占到充电桩成本的20%。IGBT为当前最具成长潜力的功率器件,目前日本及欧美企业在市场中占据着绝对优势的地位。我国比亚迪、中车时代、扬杰科技、华为电子等企业正在该产品领域积极布局。比亚迪于2005年组建了IGBT团队,之后相继推出了IGBT1.0、IGBT2.0、IGBT2.5等。此次,其推出的IGBT4.0在诸多关键指标上都优于当前市场主流产品,整体功耗降低约20%,电流输出能力提升约15%,标志着我国在IGBT的部分应用领域已经实现了技术性的突破。

2、我们建议从两个角度对电子行业进行布局。一是,关注下游产业需求量大、成长性较好的细分板块,不断增长的需求将成为推进产业发展的稳定动力,例如光学元件、显示器件板块,具有较高的成长空间。二是,关注国家重点扶持的细分板块,例如半导体。

3、风险提示:技术发展及落地不及预期;产业政策向负面变化;估值水平持续回落风险;商誉减值风险。