国电南瑞：合资导入核心技术，IGBT产业化进程加快

与国网联研院合资设立功率半导体子公司,南瑞占比 69.8%。 国电南瑞发布公告,拟与国网下属科研单位全球能源互联网研究院有限公司(联研院)共同投资设立南瑞联研功率半导体有限公司。南瑞以“ IGBT 模块产业化项目”部分募资 5.59亿元出资,占比 69.8%;联研院以技术出资作价 2.41亿元,占比 30.2%。

IGBT 领域国外主导,大功率 IGBT 进口替代势在必行。 IGBT 即绝缘栅双极晶体管,是电力领域的核心器件,相当于电力电子领域的 CPU,应用广泛,按不同电压等级,高压 IGBT 应用于电网、轨交、风电,中压应用于工控、新能源汽车、光伏、家电,低压应用于汽车零部件、 3C等诸多领域。但国内的 IGBT 产业起步晚,国际上掌握完整技术的只有英飞凌、三菱、 ABB 等企业,在高压领域,英飞凌、三菱、 ABB 占绝对优势,基本处于垄断地位;其中广泛应用于电网的大功率 IGBT 技术难度高、市场基本由 ABB 主导。大功率 IGBT 的国产化势在必行,一方面是国网“自主可控”的重要一环,另一方面 IGBT 产品价格的波动也给国网内外电力设备企业的毛利率产生一定影响。

联研院是国网智能电网重点科研单位,在功率半导体领域已有瞩目成就。联研院前身是国网智能电网研究院,是国家电网公司直属科研单位,国内首家专业从事全球能源互联网关键技术和设备开发的高端研发机构。联研院 2010年开始研究功率半导体器件,拥有 100多人的技术团队和先进的功率器件中试线,目前掌握了高压 IGBT 芯片设计技术。联研院承担国家科技重大专项( 02专项)“国产高压大功率 IGBT 模块电力系统应用工程”等攻关任务,自主研发了 1200V 至 4500V 系列 IGBT、FRD 芯片及器件,成功研制 1200V 至 6500V 碳化硅二极管样品等,在功率半导体领域已有重大创新突破。

本次以技术入股让是引入联研院核心技术,加快国电南瑞 IGBT 产业化进程。 本次联研院出资范围包括 1200V 焊接型、 1700V、 3300V 焊接型及压接型、 4500V 焊接型及压接型 IGBT 和 FRD 芯片、 IGBT 模块的完整知识产权(设计、工艺、测试、材料清单、专利等),及芯片工艺线建设和封装线建设的技术经验,涵盖输电、新能源、用电、电动汽车、工控等诸多应用领域。联研院将组建不少于 30名专业 IGBT 研发人员的技术成果转化团队,优先从事第一批技术成果的产业化支撑和迭代优化、及第二批 1200V/1700V 沟槽栅型 IGBT 芯片和模块的研发,直至前两批技术全部实现连续三批次批量化稳定生产,并将本次技术转化的情况作为团队的业绩考核主要依据。

盈利预测与投资评级: 我们预计 2019-21年公司归母净利润分别 43.45亿/52.55亿/62.87亿元, EPS 分别为 0.94/1.14/1.36元,同比分别增长4.4%/20.9%/19.6%,对应现价 PE 分别 23/19/16倍。给予公司目标价 28.5元,对应 20年 25倍 PE,维持“买入”评级。

风险提示: 项目推进不及预期,电网投资下行等