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电子行业:我国第三代半导体快速发展,专利数量超美国

来源:国联证券 作者:顾玮玮 2019-09-02 00:00:00
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周策略建议

本周,上证综指下跌0.39%,电子(申万)指数下跌1.94%。据中国知识产权报报道,第三代半导体中国专利数量超美国。第三代半导体是碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体新材料,其中碳化硅材料在功率半导体和器件工艺较为热门,氮化镓材料外延生长和光电子比重较大。第三代半导体相关专利申请自2000年以来快速增长,美国早期领衔全球专利增长,近些年我国的申请量快速增长,超越美国。我们认为第三代半导体材料具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射等优点,汽车电子、射频应用将带动第三代半导体快速增长。建议关注三安光电(600703.SH)、扬杰科技(300373.SZ)、士兰微(600460.SH)。

风险提示

电子产品渗透率不及预期;电子产品价格跌幅较大;市场系统性风险。





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