在手订单:2018年刻蚀设备订单爆发。公司首次披露备品备件的收入构成,2018年刻蚀设备用备品备件销售收入1.71亿元,占到备品备件总收入的3/4,MOCVD设备用备品备件销售收入仅为0.55亿元,占到备品备件总收入的3/4。按集成电路/LED分类(不包括设备维护收入),2018年中微在集成电路领域的业务收入合计7.37亿元(刻蚀设备5.66亿元+刻蚀设备用备品备件1.71亿元),集成电路业务收入占比45%,在LED领域的业务收入8.88亿元,LED设备业务收入占比55%.。
CCP与ICP刻蚀设备的对比:目前销售收入仍以CCP刻蚀设备为主。电容性等离子体刻蚀设备主要以等离子体在较硬的介质材料(氧化物、氮化物等硬度髙、需要髙能量离子反应刻蚀的介质材料;有机掩模材料)上,刻蚀通孔、沟槽等微观结构;电感性等离子体刻蚀设备主要以等离子体在较软和较薄的材料(单晶硅、多晶硅等材料)上,刻蚀通孔、沟槽等微观结构。2016-2018年,公司累计销售刻蚀设备13.25亿元,其中CCP设备销售额11.71亿元,占比88.4%,ICP设备销售额1.54亿元,占比11.6%ICP刻蚀设备市场正在超过CCP刻蚀设备市场。由于逻辑器件和存储器件的结构变化,介质刻蚀要刻蚀高精度薄膜,需要用较低能量的等离子体,并在低压下实现刻蚀均匀。采用电感性等离体刻蚀设备能实现更好的效果,所以电感性等离体刻蚀设备越来越广泛地应用于介质刻蚀应用中。因此,随着技术的演变,业内主要采用将刻蚀设备分为CCP刻蚀设备和ICP刻蚀设备的分类方法。目前无法获取二者保有量占比情况的公开客观数据,但目前的总体趋势是ICP刻蚀设备市场正在超过CCP刻蚀设备市场。
中微刻蚀设备未来主要研发方向:
CCP等离子体刻蚀设备的研发方向:用于3DNAND和DRAM存储器刻蚀的CCP刻蚀设备,特别是用于极高深宽比的应用;用于5-3纳米及更先进逻辑电路刻蚀的CCP刻蚀设备。ICP等离子体刻蚀设备的研发方向:用于3DNAND和DRAM存储器刻蚀的ICP刻蚀设备;用于5-3纳米及更先进逻辑电路刻蚀的ICP刻蚀设备;用于先进封装和高端MEMS生产的TSV刻蚀设备。
投资建议:中微以及安集微电子、上海微电子等拟登陆科创板,增强国产集成电路工艺设备与材料的资本实力,继续看好半导体设备板块,强烈推荐北方华创、精测电子、晶盛机电,推荐关注盛美半导体、长川科技。
风险因素:中国大陆存储厂商投产延缓全球存储芯片周期复苏。