兆易创新:国产存储器,“芯”火燎原时

合肥长鑫DRAM正式投片,国产存储实现突破

近日合肥长鑫正式投片,产品规格为8GbLPDDR4,这是国产DRAM产业的里程碑事件。据IHSMarkit数据,2017年全球DRAM市场规模为722亿美元,较2016年增长74%。但目前全球存储市场几乎被三星、美光、海力士等五家厂商瓜分,国内几乎处于空白。

兆易创新主营业务为闪存芯片、微控制器产品的研发,属于集成电路行业。公司是国内存储芯片行业稀缺的龙头公司,产品广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、物联网终端、个人电脑及周边,以及通信设备等广泛领域。公司与合肥长鑫合作开展工艺制程19m存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目,未来有望成为国产DRAM产业的重要组成力量。

毛利率稳中有升,研发投入不断加码

主营业务毛利率稳中有升,仍维持在较高水平。2018年一季报显示,毛利率38.24%,仍然处于历史较高水平,主要是行业下游需求依然景气。近年来,由于供需格局改变以及公司不断改进生产技术,公司的毛利率与净利率均呈现不断上升趋势,分别从2011年的19.82%、5.55%上升到2017年的39.16%、19.59%,公司盈利能力持续提升。

研发投入不断加码,坚定国产替代之路。由于集成电路行业技术更新换代极快,持续的研发投入非常重要。公司2017年研发投入1.67亿元,同比增长63.31%,占营业收入比例为8.23%。公司研发费用增幅较大,主要是由于研发立项增多,研发人员数量增幅较大以及研发材料、设备等其他投入增幅较大所导致。

竞争对手逐步淡出,联手中芯抢占市场

国外龙头淡出NORFlash市场,国产替代迎来历史机遇。2017年,国际大厂美光科技、赛普拉斯逐步淡出NORFlash市场,形成了旺宏、华邦电、兆易创新三足鼎立的局面。美光科技宣布剥离旗下NOR芯片业务,赛普拉斯则退出了中低容量的NORFlash市场,专注高容量领域。由于供给端大厂退出和需求端的景气回升,预计今年NORFlash市场大概率仍将保持供不应求状态,公司将迎来历史性成长机遇。

联手中芯国际,2018年NORFlash产量将大幅释放。2017年9月,公司与中芯国际签署12亿元战略合作采购协议,保障公司长期稳定的产能供应,有望消除产能瓶颈。其中,公司明确一部分支出将用于NORFlash、NANDFlash业务,提升品质服务。中芯国际作为世界领先的集成电路芯片代工企业之一,相信公司与之合作能够极大地促进产能的扩张和产品质量的提升,从而加速公司的成长。

进军DRAM领域,国产存储器“芯”火燎原

公司与合肥产投签署合作协议,合作开展工艺制程19m的12英寸晶圆存储器的研发工作,该项目预算约为180亿人民币,预计将在2018年底实现产品良率不低于10%。这是公司在DRAM领域的重要布局,也是对国产DRAM产业的重大推进。根据合肥长鑫公布的最新进展公告,2020年将开始规划二厂建设,2020年还将完成17m技术研发。

我们认为公司进军DRAM,是国产存储器发展的历史性事件,为实现DRAM海量市场的国产替代打下了坚实的基础。

给予“买入”评级:

我们看好公司在主营业务的快速基础上,持续导入DRAM市场的长期战略。预计公司2018-2020年净利润为7.99/9.64/12.57亿元,对应市盈率分别为42.2/34.9/26.8倍,给予“买入”评级。

风险提示:扩产不及预期,行业竞争加剧。