华微电子:事业部改革持续深入,高端产品有望取得突破

事件:公司发布公告,16年QI—Q3营业收入9.61亿元,同比增长3.65%,净利润3796万元,同比增长35.58%。

中投电子观点:

事业部改革加速推动高端产品放量,进一步加大对IGBT等高端产品研发投入,发展后劲十足。今年以来公司持续推进事业部改革,IGBT产品团队重点推进第六代IGBT以及MOS产品的系列化工作:高端二极管团队重点推进TRENCH SBD、 FRD产品的系列化工作:双极产品团队重点推进中高端应用SCR、放电管产品的系列化工作。通过进一步推进模块技术向高端应用领域拓展,公司实现了技术推广由芯片向模块延伸,由单一产品向解决方案延伸,最大化发挥在技术领域的综合优势,快速实现对重点目标应用领域的拓展工作。 随着公司新的产品逐渐量产,公司的发展后劲得到了有力保障,全年业绩仍有保障。

持续加强工艺平台建设,工艺技术转化能力进一步增强。对工艺技术的掌控能力是功率半导体企业持续发展的核心竞争力,公司在原有技术积累的基础上不断进行工艺优化,目前已实现4英寸线对BJT、放电管、可控硅产品工艺技术平台的整合与优化,五英寸线对平面、TRENCH高端二极管、CMOS工艺技术平台的整合与优化,六英寸线对MOSFET.IGBT工艺技术平台的整合与优化:公司全面的工艺技术“掌控能力”已充分体现。

积极推进第三代新材料器件的研发.制造,以实现在功率半导体领域对国际领先企业的弯道超车,力争在“十三五”末期在国内功率半导体器件行业中率先进入国际领先企业行列,树立具有国际影响力的民族品牌。

投资要点:公司是专注于设计+材料创新,以及特种工艺的“芯片级”功率半导体龙头企业,亦是技术积累超50年的A股稀缺“自主可控”标的。公司凭借长期技术和市场积累将实现行业突破,适逢本土龙头企业投融资热潮,以及英飞凌等国际同业龙头高速发展的“黄金周期”;实际控制人更替和股权激励计划表征内部治理告一段落,预计迎来可持续的高速发展周期。

高成长行业爆发和自主可控,综合催生IGBT/智能模块IPM等高端功率半导体飞速成长。新能源汽车及其充电设备对IGBT类芯片和模块产品需求旺盛,功率模块成本占比高达约10%,仅本土需求即达600亿元规模历史上,公司曾为国家军工行业相关建设提供坚强保障和支撑,现今,在高端武器装备电磁化发展趋势明显下,国产替代实现自主可控已迫在眉睫;公司能力已达国际水平,并具备稀缺的“实际量产落地”能力,预计将依托旺盛需求,实现高附加值产品放量,盈利水平将获得快速提升。第三代功率器件迎巨大潜在市场,公司具备迎接新机遇的充足主客观条件。

第三代功率半导体与现有高端产品,在材料/结构/工艺/封装等核心环节,具备明显的传承性,公司IDM模式下完全能够满足新材料器件的发展需要,技术向上延伸水到渠成,高端产能扩容和技术升级发展预期十分强烈。

给予”强烈推荐“评级目标价14元。16-18年净利润预计0.95/2.05/3.50 亿元,EPS 0.13/0.28/0.47元,同比增速121%/115%/71%。行业资源整合趋 势给予公司较强内生外延发展预期;军工/新能源亟待突破,高附加值产品持续 优化获利能力;功率半导体战略新兴格局下,“大行业小公司”现状给予足够空 间;鉴于未来业绩高成长和PEG考量,已经呈现销售收入和毛利率提升的趋势,以及潜在突破行业估值中枢较高和标的的稀缺性,给予17年50倍PE,目标 价14元,具长期投资价值。

风险提示:本土半导体国产化替代,以及新应用领域拓展不达预期的风险。