电子行业:存储芯片,自主可控推升政策空间,大数据及NAND FLASH拉动存储爆发

存储与数据相伴而生,哪里有数据,哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展,存储产业与信息安全等息息相关。全球存储芯片总产值约800亿美元,其中DRAM市场457亿美元,NANDFLASH市场产值306亿美元,NORFLASH市场产值33亿美元,存储芯片市场空间巨大。

存储关乎安全,基于自主可控的需求才是政策强推的根本原因。近年来,信息存储安全事件频发,信息存储安全一旦受到威胁,将危害到党政军、石油、化工、核能、金融等所有行业的发展,是国家安全整体战略的重要环节。而目前我国储芯片空白,几乎100%依赖进口,信息安全形势严峻。因此,我国必须强力推动存储芯片国产化的发展。

存储芯片具有技术差距大、行业集中度高、周期性强、资金投入大四大特性,国产化任务艰巨,国内单一企业力量难以攻克,国家意志正强力推进存储芯片国产化。目前,紫光600亿元投入存储芯片工厂,未来将投资300亿美元主攻存储器芯片制造;武汉新芯240亿美元打造存储器基地;福建晋华集成电路与联电合作开发32纳米制程的利基型DRAM,投资370亿元发展存储芯片;合肥投资460亿元建设DRAM工厂。我们看到,在国家意志下,国内多方力量已经着手推进存储芯片国产化。我们也建议中国政府从技术合作、人才支持、系统整合、产业链配套等多角度全方位持续地加大对存储芯片的支持力度。

NANDFLASH前景广阔,3DNANDFLASH有望实现中国弯道超车。SSD替代HHD是长久趋势,可引爆NANDFLASH市场需求。目前,NANDFLASH正从2D到3D全面转型,而从2D走到3D,需要新的技术领域加入,给中国厂商留下了突破的时间与空间。中国厂商若能整合跨领域人才和技术,3DNANDFLASH将成为中国存储芯片弯道超车切入点。

DRAM市场需求稳中有升,中国厂商参与有望打破格局。移动端和企业端应用进一步提升DRAM需求量,DRAM市场整体需求呈现稳中有升的态势。目前,DRAM市场以Samsung、SKHynix、Micron为主,未来几年中国厂商持续推进DRAM项目有望打破市场格局。

投资建议:存储芯片作为半导体的基础芯片,战略意义重大,看好中国着力发展存储产业,有望创建新阵营。相关标的:1)存储芯片产业领导者:紫光国芯。2)封装配套企业:深科技、华天科技、长电科技、通富微电。3)材料与设备企业:七星电子、上海新阳。此外,我们关注兆易创新(IPO获通过)、浪潮集团(收购奇梦达西安研发中心)。其中,我们首推深科技,深科技旗下的沛顿科技已给金士顿和美光配套存储封测多年,技术国际一流,深度受益存储芯片国产化。