事项:
三安光电近日发布公告称,公司股东三安集团与国家集成电路产业投资基金股份有限公司(以下简称“大基金”)签订了《股份转让协议》,约定三安集团将其持有的公司217,000,000股股份(约占公司总股本的9.07%),以22.30元/股的价格转让给大基金,本次股份转让完成后,大基金将成为公司第二大股东。同时,三安光电与华芯投资、国开行及三安集团签订了《关于投资发展集成电路产业之战略合作协议》,之间建立了战略合作关系,三安光电的IIIV族化合物半导体集成电路业务将获得战略伙伴的支持。
平安观点:
LED芯片龙头地位将进一步强化:三安光电作为一家本土的LED芯片厂商,竞争优势明显。从规模上看,公司原有设备加上新定制MOCVD设备将达到400台,产能居行业之首;从技术优势上看,三安光电专利及专有技术有708件(多为发明专利),主力产品各项技术指标均达到国际领先水平,拥有来自晶电的数百名优秀工程师,研发水平国际先进;从经营表现来看,三安光电2014年归属于母公司的净利润在国内24家LED企业中排名第一,净资产收益率排名第五,行业龙头地位明显。集成电路产业基金的加入,充实了三安光电的融资渠道,利于公司在变化的市场中积极把握住机遇,进一步巩固公司的龙头优势。
半导体制造业务有望爆发:三安光电为国内外集成电路设计公司提供完整的砷化镓和氮化镓芯片代工服务,是国内唯一一家拥有6吋产线的半导体芯片制造公司。与传统硅材料相比,砷化镓具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙、消耗功率低的特性,氮化镓具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子速度大、热导率高、介电常数小、化学性质稳定和抗辐射能力强等优点,这些优秀的物理特性决定了它们在半导体领域将有很大的应用前景;与华芯投资和国开行签订的协议将支持公司在III-V族化合物集成电路领域的发展,支持公司通过并购的方式完成产业链上下游的整合,为公司在相关领域大刀阔斧的战略布局提供了必备的资源保障。
投资策略:三安光电自成立以来专注于LED芯片的研发和生产,数十年的积累成就了公司在LED芯片领域的龙头地位,这次与大基金的合作将助力公司在氮化镓、砷化镓芯片领域再次取得辉煌的成绩。预计公司2015年和2016年EPS分别为0.88和1.02,对应PE分别为37.30和32.23,维持“强烈推荐”评级。
风险提示:氮化镓、砷化镓产品渗透率不及预期,市场竞争激烈,价格下跌。