美股盘前 | 存储齐跌！SK海力士跌近5%，美光、闪迪跌逾3%；长鑫宣布在关键架构研发上取得进展

（原标题：美股盘前 | 存储齐跌！SK海力士跌近5%，美光、闪迪跌逾3%；长鑫宣布在关键架构研发上取得进展）

华盛资讯10月13日讯，存储概念股盘前齐跌！SK海力士跌近5%，美光科技、闪迪跌逾3%，三倍做多半导体ETF $SOXL 跌近6%，3倍做多韩国ETF $KORU 跌逾10%。

消息面上，长鑫芯片宣布在关键架构研发上取得重要进展。

光通信概念股走低，迈威尔科技跌近3%，Lumentum、Coherent跌近2%。

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周末来自上海的消息成为此轮存储板块抛售的重要催化剂。据报道，在10月9日至10日举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇宣布，公司在4F2架构研发上取得关键进展，并官宣预计年底推出融合4F2架构、混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品，直接面向服务器内存市场。

据悉，长鑫自成立起便启动4F2研究与专利布局，公开专利族超300件，数量据称领先海内外同行。公司于2021年发表4F2架构相关论文，并在2023年、2025年持续披露研发进展。2025年，长鑫还在IEDM发表论文，介绍了在12英寸晶圆平台上完成DRAM与CMOS晶圆级键合实验验证的成果。

对三星和SK海力士而言，这一时间线构成直接压力。SK海力士直至2025年才公布4F2路线图，三星据韩国媒体The Elec报道，目标是2028年实现基于该架构的10nm以下DRAM量产。若长鑫年底如期交付4F2 DDR5 RDIMM产品，将在单元架构层面领先韩国两大巨头约两年。

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