美股异动 | 费城半导体指数涨幅扩大至5%！成分股中，ARM、迈威尔科技、Coherent均飙升逾11%

（原标题：美股异动 | 费城半导体指数涨幅扩大至5%！成分股中，ARM、迈威尔科技、Coherent均飙升逾11%）

华盛资讯8月4日讯，费城半导体指数涨幅扩大至5%！成分股中， $ARM 、迈威尔科技、Coherent均飙升逾11%； $ALAB 升逾9%，将于盘后公布业绩；英特尔升近8%，美光科技升近7%，美国超微公司、泛林集团升约6%，应用材料升逾5%。

其他存储、光通信概念同步走强，闪迪升逾9%，SK海力士升逾5%； $AAOI 升逾18%，Lumentum升逾7%。

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• SK海力士与闪迪联合发布HBF首份标准规范

SK海力士发布声明称，SK海力士与闪迪推出高带宽闪存(HBF)的行业首套标准规范，HBF属于下一代存储技术。该公告恰逢“2026年未来内存与存储大会”(FMS 2026)开幕，该大会于8月4日至6日(当地时间)在加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行。该公司将在大会期间通过主题演讲和小组讨论，重点介绍HBF技术，并将其作为克服人工智能时代内存瓶颈的关键技术。

这也是两家企业组建联盟约六个月后达成这一里程碑进展。谷歌与Tenstorrent同样加入该HBF联盟。

• 消息称存储三大原厂已完成2027全年产能分配谈判，DRAM与HBM产能售罄

业界人士指出，三星电子、美光及SK海力士已完成2027全年产能分配谈判，三大原厂的DRAM与HBM产能均提前售罄。 NAND Flash虽然没有像DRAM一样供应吃紧，但预计2026年8月底前的产能也将被预订完毕。无论是否签订LTA长期合约，买家均配合原厂的提前预付订金模式，这将应验2027年是“存储最短缺一年”的看法，但后续价格涨幅有望趋缓。

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