中银国际：供需紧张致价格持续上涨 存储产业链或存在高度确定性机会

（原标题：中银国际：供需紧张致价格持续上涨 存储产业链或存在高度确定性机会）

智通财经APP获悉，中银国际发布研报称，AI与数据扩张推动存储进入新周期，供需紧张致价格持续上涨，HBM等新技术迭代需求旺盛，国产存储加速发展机遇显现，给予行业强于大市的评级。综合考虑AI带来的需求增量及结构供给冲击，该行认为无论短期还是中长期维度，存储产业链或存在高度确定性机会。该行建议关注如下细分方向：1)受益于周期价格波动的经销商及模组产品制造商;2)专注于利基市场及存储产品配套芯片的IC设计公司;3)国产半导体存储器供应链。

中银国际主要观点如下：

综述：数据扩张+AI扩散，存储新周期加速到来

在数字经济各领域对存储技术需求不断扩大的推动下，存储市场规模持续上升。从下游应用结构来看，AI端侧存储需求增长速度显著高于其他细分市场，已成为推动全球存储市场扩张的关键动力。同时大模型技术热潮带动AI服务器存储需求快速增长，服务器领域存储需求亦将保持较高增速。价格方面，存储全系产品价格2025年已出现较大幅度涨幅，2026年或进一步上涨，该行认为本轮价格上涨则是由AI服务器和通用服务器共同驱动，还存在着结构性的产能转换和多个维度的需求竞争，情况更为复杂，短缺和涨价或将会持续更长时间。

供需：结构性供给受限持续，原厂竞逐新技术蓝海，AI产业链健康度打开远期需求空间

资本支出方面：2026年资本支出重点将转向制程技术升级与混合键合等先进工艺的导入，位元供给增长幅度有限，供不应求的市场状态或将持续全年。技术升级方面：HBM加速迭代，带宽等性能指标不断迈进。同时随着AI推理市场迅速增长，存储行业逐渐步入“后HBM时代”——HBF应运而生。需求方面：从国际领先供应商对于AI基础设施配置来看，高性能HBM、LPDDR5X仍需求旺盛。从终端需求来看，服务器市场对于存储需求将保持快速增长态势。

国产：原厂端奔赴全球标准+产业链自主，产品端锚定平台化+品类升级

DRAM方面，长鑫存储已正式推出LPDDR5X产品，NAND方面，长江存储三期建设正迈向100%设备国产化目标。技术方面，CBA+4F2在制程节点压力以及混合键合技术积累加持之下或成为国产存储弯道超车的必由之路。该行认为，长江存储和长鑫存储作为国内存储芯片制造龙头企业，生产经营稳中向好，推动建设意志坚定不移，有望为产业链带来诸多机会。此外国内利基存储市场亦将在AI定制化存储推动下迎来发展良机。

评级面临的主要风险

行业周期性波动风险;技术迭代与竞争加剧风险;地缘政治与供应链风险;AI需求可持续性风险;国产替代与技术突破不及预期风险。