中银国际：算力基建驱动AI“从0→1”主线 “端云共振”主导存储和终端创新机遇

（原标题：中银国际：算力基建驱动AI“从0→1”主线 “端云共振”主导存储和终端创新机遇）

智通财经APP获悉，中银国际发布研报称，展望2026年，算力基建投入有望成为驱动AI增长的逻辑主线，产业链“从0→1”环节有望涌现投资机遇。同时存储涨价或将贯穿整个2026年的时间线，4F2+CBA等技术成为发展方向；消费电子成本压力和创新机会并存，端侧AI创新产品面临“危”与“机”并存的趋势。

中银国际主要观点如下：

算力基建驱动AI升级主线，行业聚焦“从0→1”变革节点

大模型推理侧Tokens需求快速增长推动CSP厂商积极提高资本开支投入算力基础设施建设。AIInfra在追求更高的算力密度、更快的互联速度、更低的互联损耗的同时对PCB、电子布、铜箔、树脂、光互联架构提出了更高的要求。该行预计英伟达Rubin和RubinUltra的Midplane/正交背板将配置高频高速树脂+HVLP铜箔+Q布的M9级PCB/CCL的解决方案，同时光互联层面也将向OCS/CPO的趋势演进。国产AI芯片也在积极提高算力和互联集群性能，同时前道先进制程和先进封装亦在积极配合扩产。

位元产出增长有限或致存储涨价贯穿2026年全年，存储厂商转向制程升级、高层数堆栈、4F2+CBA等技术

根据弗若斯特沙利文预估，2025~2029年全球存储产品市场规模将从2,633亿美元增长至4,071亿美元，CAGR达到约11.5%，其中云侧和端侧存储是增长最快的两个细分领域。根据TrendForce预估，2025~2026年DRAM产业资本开支将从537亿美元增长至613亿美元，YoY+14%;Nand产业资本开支将从211亿美元增长至222亿美元，YoY+5%。2026年存储位元产出增长有限，存储价格上涨趋势或贯穿2026年全年。同时，存储厂商从纯粹的产能扩张转向制程升级、高层数堆栈等新技术。中国国产存储厂商亦在积极开发4F2+CBA的技术架构以应对全球龙头厂商的技术竞争。4F2+CBA的架构变化有望为供应链带来增量变化。

成本压力和创新机会并存，消费电子关注结构性机遇

TrendForce预计2025、2026年存储价格上涨将驱动智能手机综合成本上涨8~10%/5~7%。存储价格上涨导致消费电子BOM成本压力增加，成本传导式涨价或影响终端产品销量。同时结构性投资机遇依然存在。一方面，苹果定价策略呈现亲民化趋势，平价款Macbook、折叠机、智能眼镜等产品有望提振果链增长动力。另一方面，豆包AI手机、夸克AI眼镜、苹果Apple Intelligence等端侧AI硬件新功能逐渐落地，有望给用户带来创新性的体验。

主要风险

AI需求过热引发行业泡沫。AI技术进步速度不及预期。远期供给端产能过剩引发价格下滑。技术变革导致原有产品淘汰。