国信证券：AI拉动需求增长 存储大周期方兴未艾

（原标题：国信证券：AI拉动需求增长 存储大周期方兴未艾）

智通财经APP获悉，国信证券发布研报称，存储市场存在HDD、SSD、NAND、DRAM、HBM几大技术趋势，主要参与者众多。AI大模型推理拉动存储需求快速增长，根据该行测算结果，2026年AI推理对DRAM、NAND需求分别为23.0EB、593.5EB，短期供不应求，存储价格有望持续提升，存储大周期方兴未艾。

国信证券主要观点如下：

存储系统

系统构成与分类。1)系统构成：AI存储系统主要分为网络端存储和本地端存储，其中网络端存储主要存放冷数据，主要由HDD和SSD存储;本地端存储主要存放热数据和温数据，主要由HBM、DRAM、本地SSD存储。2)存储分类：存储主要可以分为“易失性”的Memory和“非易失性”的Storage，其中Memory主要包括DRAM和HBM，优势为速度快;Storage主要包括SSD和HDD，优势为容量大、成本低。

市场与技术趋势

HDD、SSD、NAND、DRAM、HBM。1)HDD：HDD即硬盘，主要通过提升面密度提升HDD容量，近期HAMR(热辅助磁记录)技术可以大幅提升单碟容量，市场格局呈现双寡头垄断，希捷科技、西部数据为主要参与者;2)SSD：SSD即固态硬盘，一种以NAND Flash为介质的存储设备，NAND堆叠层数持续增长，单元架构逐步从SLC转化为MLC、QLC，市场参与者主要为三星、海力士(包括Solidigm)、美光、闪迪、铠侠;3)DRAM：DRAM具备功耗小，集成度高，成本低等优势，逐步从DRAM迭代至SDRAM、DDR，目前头部厂商已经开始对DDR6研发，下游需求主要在手机、PC、服务器领域，主要参与者包括三星、海力士、美光;4)HBM：多层DRAM芯片堆叠，通过TSV实现垂直方向的互联，进而具有更高的存储密度和更大的带宽，目前主要应用于AI领域，主要参与者为海力士、美光、三星;5)NAND：存储单元表达的bit数持续增长，堆叠层数持续增长，下游需求主要为SSD和手机，主要参与者为三星、海力士、铠侠、美光、闪迪。

需求测算

AI训练、推理拉动存储需求增长。AI大模型推理拉动存储需求快速增长，根据该行测算结果，2026年AI推理对DRAM、NAND需求分别为23.0EB、593.5EB，短期供不应求，存储价格有望持续提升，存储大周期方兴未艾。

公司梳理

全球存储公司业务重心：三星电子、海力士在DRAM、HBM、NAND、SSD等领域市占率均较高，为全球存储龙头公司;其次为美光，产品矩阵全面，但市占率略低于三星、海力士;闪迪、铠侠聚焦于NAND、SSD领域，西部数据、希捷科技聚焦于HDD领域。

风险提示：厂商DRAM、NAND扩产，进而导致产品价格下降风险;互联网大厂资本开支不及预期风险;AI应用活跃用户数增长不及预期风险;AI大模型方案优化，进而减少对存储需求风险等。