存储芯片概念持续活跃，兆易创新涨停，佰维存储续创新高

（原标题：存储芯片概念持续活跃，兆易创新涨停，佰维存储续创新高）

存储芯片概念13日盘中再度活跃，截至发稿，佰维存储涨超18%，盘中一度逼近涨停突破150元大关，续创历史新高。此外，神工股份涨超12%，兆易创新、诚邦股份亦涨停，江波龙、普冉股份涨超6%均创出新高。

消息面上，据报道，三星、SK海力士、铠侠、美光四大存储龙头今年下半年都纷纷削减NAND闪存供应量。同时，三星电子、SK海力士和铠侠等正在谋划推动NAND价格上调。其中，三星目前正与海外大型客户讨论明年的供货量，并在内部考虑将价格上调20%至30%以上。

大同证券指出，当前，存储市场正经历一轮显著的价格上涨周期。其核心驱动因素源于两方面：首先，AI时代下，多模态应用与企业级存储需求呈现爆发式增长；其次，主要存储原厂将产能优先分配给HBM等高利润产品，导致传统存储领域出现结构性供给紧张。受此影响，行业自2025年初以来供需关系持续偏紧，并在第三季度后加剧，推动NAND Flash、DDR4/DDR5等产品价格快速上涨。

基于当前市场态势分析，若AI需求持续强劲而供给侧未能有效扩容，2026年存储市场的供需紧张格局可能会延续，行业高景气度有望保持。持续看好由存储涨价所带来的周期性机遇，建议重点关注存储、算力需求板块。在AI需求持续拉动与存储价格上行的背景下，存储行业供需格局可能会延续。为应对日益增长的存储需求，原厂存在加大资本开支的可能性，从而带动半导体设备需求提升，建议关注刻蚀、沉积等关键环节的国产半导体设备公司。