机构：预计第四季度长鑫存储在DRAM市场份额将升至8%

（原标题：机构：预计第四季度长鑫存储在DRAM市场份额将升至8%）

近日，来自市场分析机构Counterpoint预测显示，长鑫存储科技有限公司（CXMT、简称“长鑫存储”）今年DRAM出货量将同比增长50%，其在整体DRAM市场的出货份额预计将从第一季度的6%增至第四季度的8%。

报告显示，长鑫存储不仅在其主要传统产品DDR4和LPDDR4上提升产量，在DDR5和LPDDR5产品上也实现显著增长。Counterpoint预测，长鑫存储在DDR5市场的份额将从第一季度不到1%上升至年底的7%，在LPDDR5市场的份额将从0.5%激增至9%。

据官网，长鑫存储是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。创立于2016年，长鑫存储总部位于安徽合肥，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力，已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。

去年11月，福布斯发布“2024福布斯中国创新力企业50强”榜单，在半导体领域，长鑫存储、海光信息、华为海思及中微公司等6家企业入选，2022年和2023年这一数字分别为8家和12家。

目前，DRAM市场主要由三星电子和SK海力士等韩国半导体制造商主导。根据TrendForce集邦咨询数据披露，2025年第一季度，SK海力士以36%的DRAM营收份额位居榜首，三星（33.7%）与美光（24.3%）紧随其后，三家合计占据全球DRAM市场逾九成的份额。

从行业业绩情况来看，根据TrendForce集邦咨询调查，2025年第一季由于一般型DRAM（Conventional DRAM）合约价下跌，加上HBM出货规模收敛，DRAM产业营收为270.1亿美元，季减5.5%。在平均销售单价方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e产品设计，HBM产能排挤效应减弱，促使下游业者去化库存，导致多数产品合约价延续2024年第四季以来的跌势。

展望2025年第二季，该机构预测，随着PC OEM和智能手机业者陆续完成库存去化，并积极生产整机，将带动位元采购动能升温，原厂出货位元显著季增。价格方面，预期各主要应用的合约价皆将止跌回升，预估一般型DRAM合约价，以及一般型DRAM和HBM合并的整体合约价均将上涨。