东吴证券：国产HBM产业链迎突破窗口期 设备环节弹性显著

（原标题：东吴证券：国产HBM产业链迎突破窗口期 设备环节弹性显著）

智通财经APP获悉，东吴证券发布研报称，当前算力需求爆发叠加外部对HBM在带宽等环节的管制，正加速刺激国产HBM的突破和供应。国产存储大客户HBM3已通过验证，底层DDR5颗粒制造能力达标，预计下半年实现量产突破，相关设备厂商已陆续获得TCB、CMP等环节订单。设备环节推荐受益较多的精智达(688627.SH)，其订单弹性最大。

东吴证券主要观点如下：

算力需求爆发，叠加外部对HBM在带宽等环节的管制，将刺激国产HBM的突破和供应

周五受国产存储大客户的HBM3通过验证的消息刺激，精智达、芯源微等核心标的涨幅明显。国产存储大客户已经具备DDR5颗粒的制造能力，传输速率等核心指标已经达成，只是目前在散热和能耗等方面还有提升空间。HBM3的底层存储颗粒具备量产条件。且已经有部分设备公司拿到了HBM相关的TCB和CMP等订单，国产HBM扩产的确定性在快速加强。

测试机、键合解键合、CMP环节弹性最大

目前各个关键工序如TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机均实现国产或较容易买到，颗粒具备量产条件+各关键工序的设备处于ready状态，该行认为国产HBM的突破将落在今年下半年!预期今年HBM的扩产量级有望实现5000片的8层晶圆。扩产将为TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机(专指HBM专用CP测试机—KGSD)环节分别带来1.6亿、10亿、6亿、4亿、7亿的订单增量。

国产HBM扩产同样利好前道设备，对应DRAM扩产产生新增量

HBM扩产需要底层的DRAM颗粒，目前市场预期此次HBM扩产量级为5000片的8层晶圆，则对应4万片的底层DDR5扩产，对应约350亿的设备资本开支增量。对刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP等环节分别带来85亿、70亿、16亿、11亿的市场增量。其余前道设备也将受益。

风险提示：产业进展不及预期/需求不及预期。