国泰海通：HBM产品不断迭代 产业链将持续发展

（原标题：国泰海通：HBM产品不断迭代 产业链将持续发展）

智通财经APP获悉，国泰海通发布研报称，HBM(高频宽存储器，High Bandwidth Memory)是将DRAM通过先进封装技术堆叠而成，与GPU整合于同一块芯片上;目前AI服务器是HBM最重要的市场，未来智能驾驶汽车市场也会大量采用HBM。我国HBM产业不断发展，目前能实现规模量产的是HBM2、HBM2E，有望在2026E/2027E分别实现HBM3、HBM3E突破。虽然我国的HBM产业发展较海外龙头公司落后较多，但该行认为伴随下游Fab、设计公司、设备公司、材料公司的共同努力，本土HBM产业会不断向前发展，其中核心之一便是键合堆叠环节的突破。

国泰海通主要观点如下：

SK Hynix为全球HBM龙头

根据SemiWiki援引Trendforce数据，2023年全球HBM市场SK Hynix、Samsung、Micron的市占分别为55%、41%、3%。SK Hynix 2013年推出全球第一颗TSV通孔的HBM产品，2017/2019/2021年分别推出HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)，2023年4月完成12层HBM3(24 GB)的功能验证，2023年8月推出业界高性能的第五代8层HBM3E产品，2024年10月12层HBM3E产品(36 GB)开始规模量产。2024年底公司CEO Kwak提到，16层HBM3E产品正在研发中，可以达到48 GB容量。

SK Hynix的HBM堆叠工艺从TC-NCF、MR-MUF发展到Advanced MR-MUF

早在2000年前后公司开始开发晶圆级WLP技术，2009年研发TSV通孔技术连接多层DRAM晶圆，2013/2016年的HBM/HBM2产品均采用TC-NCF技术，HBM2E(2019年)、8层HBM3(2021年)采用MR-MUF技术，12层HBM3(2023年)、HBM3E(2023年)采用Advanced MR-MUF技术，研发的16层HBM3E产品也会采用Advanced MR -MUF技术进行规模量产，同时对混合键合(hybrid bonding)技术进行工艺的技术验证。

Samsung和SK Hynix都有自己的HBM供应链

①、Samsung的产线设备主要是日本的Toray、Sinkawa，和韩国SEMES;②、SK Hynix主要是HANMI Semiconductor、ASMPT、Hanhwa Precision Machinery。目前，HANMI Semiconductor大概占据全球TC Bonder市场规模65%的份额，而在HBM3E的TC Bonder领域则几乎占据90%左右的份额。SEMES的TC Bonder非常擅长TC-NCF工艺领域;HANMI Semiconductor则是从2017年开始和SK Hynix共同开发TC Bonder用于MR-MUF工艺，但同时也兼容TC-NCF工艺。

风险提示：技术研发进度慢无法实现关键突破、下游需求放缓等。