重大突破！清洗设备龙头挺进18/19纳米技术节点

（原标题：重大突破！清洗设备龙头挺进18/19纳米技术节点）

日前，国内半导体清洗设备龙头盛美上海（中国市场市占率为23%，内资企业排名第一）发布了2024年年报。在年报中，公司表示，其半导体清洗设备已经挺进18/19纳米技术节点。

具体来说，盛美上海的SAPS技术目前已应用于逻辑28nm技术节点及 DRAM 19nm技术节点，并可拓展至逻辑芯片 28nm、DRAM 18/19nm技术节点、32/64层3D NAND工艺、高深宽比的功率器件及TSV深孔清洗应用，在DRAM上有70多步应用，而在逻辑电路 FinFET结构清洗中有近20步应用。

盛美上海的TEBO技术主要针对45nm及以下图形晶圆的无损伤清洗，目前已应用于逻辑芯片28nm技术节点，已进行18-19nm DRAM工艺图形晶圆的清洗工艺评估，并可拓展至 28nm逻辑芯片及nm级3D结构、高深宽比DRAM产 品及多层堆叠3D NAND等产品中，在DRAM上有 70多步应用，而在逻辑电路FinFET结构清洗中有10 多步应用。

据了解，SAPS技术和TEBO技术是当前半导体清洗设备领域应用的两项主要技术，其中：

SAPS兆声波清洗技术：针对传统兆声波清洗工艺中兆声波能量无法均匀控制的问题，盛美上海开发了SAPS兆声波清洗 技术。兆声波的工艺频率范围为1-3MHz，最大功率可达3W/cm2。SAPS兆声波清洗技术通过控 制工艺过程中兆声波发生器和晶圆之间的相对运动，使得晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆 声波能量都相同，不受晶圆翘曲的影响，并确保晶圆上每点所承受的能量在安全范围内。实验证 明，SAPS兆声波清洗技术可控制晶圆表面的能量非均匀度在2%以内，实现了兆声波能量的安 全可控。

TEBO兆声波清洗技术：随着芯片技术节点进一步缩小，以及深宽比进一步增大，图形晶圆清洗的难度变大。当芯片 制造技术进一步延伸至20nm以下，以及图形结构向多层3D发展后，传统兆声波清洗难以控制 气泡进行稳态空化效应，造成气泡破裂，从而产生高能微射流对晶圆表面图形结构造成损伤。

盛美上海自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下工艺图形晶圆的清洗，通过一系列 快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将 气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进 行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更 为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3D NAND等产品，以及未来新型纳米器件和 量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。