【半导体新观察】AI带动全球存储销售创新高 内存与闪存两极分化

（原标题：【半导体新观察】AI带动全球存储销售创新高 内存与闪存两极分化）

在人工智能浪潮的推动下，半导体存储芯片销售收入市场再创新高。CFM闪存市场数据显示，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创下了1670亿美元的历史新高。而DRAM（内存）和NAND Flash（闪存）走势分化。A股存储器指数连续3天上涨。截至记者发稿，2月21日，东芯股份上涨14.63%。深康佳A和德明利涨停，兴森科技、兆易创新等涨幅超过。

存储市场步入复苏

CFM闪存市场数据最新显示，2024年全球DRAM和NAND Flash销售收入创下了1670亿美元的历史新高。去年第四季度，全球存储市场规模环比增长4.2%，达到467.55亿美元。其中，DRAM市场表现尤为突出，规模环比增长13.5%至293.45亿美元，而NAND Flash市场规模则减少8.5%至174.1亿美元。

放眼整个半导体市场，存储品类增长也尤为突出。

市场调研机构Counterpoint发布的半导体研究报告也进一步证实了存储市场的繁荣。报告预计，全球半导体市场（包含存储产业）2024全年营收将同比增长19%，达到6210亿美元。这标志着半导体产业在经历2023年的低迷后实现了强劲回升，而存储芯片市场更是一马当先，营收预计同比大涨64%，主要得益于需求回暖及价格上涨。

美国半导体行业协会（SIA）发布数据显示，2024年全球半导体销售额达到6276亿美元，同比2023年增长了19.1%。其中，存储器产品销售额排名第二，2024年增长了78.9%，达到1651亿美元，子类别DRAM产品的销售额更是增长82.6%，成为2024年增长百分比最大的产品类别。

SIA总裁兼首席执行官约翰·纽弗（John Neuffer）表示，2024年，全球半导体市场经历了有史以来销售额最高的一年，年销售额首次突破6000亿美元，预计2025年将实现两位数的市场增长。

AI强势拉动内存市场

AI需求带动高带宽内存（HBM）市场蓬勃发展，有望进一步支撑了整体存储芯片市场。

市场机构Gartner副总裁Gaurav Gupta日前在“Semicon Korea2025”活动上表示，今年HBM市场预计将比去年增长66.9%。尽管与过去两年AI市场的快速增长相比，需求增长的速度预计会放缓，但供应短缺预计将持续。他指出，HBM将推动存储器半导体市场的增长，特别是在DRAM领域。去年，HBM仅占DRAM出货量的1.2%，但预计今年将上升到5%，到2028年，HBM预计将占DRAM市场总量的30.6%。随着主要供应商的技术成熟，他们可能会专注于提高产量，HBM的层数预计也将从8层增加到16层，未来可能达到20层。

随着人工智能将向更高效部署方向落地，企业级固态硬盘市场有望拉动。

TrendForce集邦咨询指出，从AI订单角度而言，NVIDIA（英伟达）预计于下半年扩大Blackwell系列产品的出货，该系列产品理论上会大幅增加EnterpriseSSD的需求。同时，开源大模型DeepSeek大模型大幅降低AIServer建置成本，中小企业将更有能力实现AI落地的策略，从而提升企业竞争力，有望推动企业级和PC等SSD需求。

另外，由于DeepSeek大幅降低了算力需求，AI智能手机的功能搭载率也存在扩大的可能，加上QLC（四层式储存）技术逐步渗透手机使用，AI智能手机的储存需求或许会因此有所增长。不过，这些因素能否切实转化为市场需求的提升以及对市场供需结构的改善程度仍存在不确定性。

闪存巨头重启减产

相比DRAM市场，NAND Flash市场“预冷”。2022年、2023年，全球闪存为应对供需失衡，曾陆续启动过减产，而面临今年闪存市场压力，闪存巨头再度启动减产，有望助力后续价格反弹。

报道显示，今年1月，三星电子决定大幅减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产，晶圆投入量减少超过10%，每月平均产量预计从20万片减少至约17万片。同时，韩国华城的12号和17号生产线也将调整供应，整体产能降低，合计NAND闪存芯片产能可能会减少20%左右。

SK海力士计划将上半年NAND闪存的产量削减10%。其NAND闪存月产能为30万片晶圆，减产10%即每月减少3万片晶圆的产出。

美光也着手减产。2025财年第一季度，美光DRAM业务环比增长20%，而NAND业务却下滑了5%，并预计第二季度NAND出货量仍将环比下降，并且影响公司下一季度业绩。美光执行副总裁首席财务官MarkMurphy表示，在NAND业务方面正在采取迅速而果断的行动来降低资本支出并削减晶圆产量。

铠侠也在2024年12月实施减产，预计将有望促使NAND Flash价格止跌甚至出现反转。

根据TrendForce集邦咨询调查显示，今年第一季NAND Flash市场持续面临供过于求的挑战，导致价格持续下滑，供应商陷入亏损困境。自2023年起，各大NAND Flash原厂已深刻认识到供给过剩对产业造成的严重冲击，特别是NAND Flash需求年增率自30%大幅下修至10%—15%。预估NAND Flash市场供需结构存在在下半年得到改善的可能性。

从需求端来看，多方面因素有可能推升NAND Flash需求，从而缓解供过于求的局面。自2024年第四季起，中国持续推出的以旧换新补贴政策有效地刺激了智能手机销量，加速了NAND Flash库存去化速度。智能手机品牌厂有机会在今年第二季扩大建立低价库存，从而带动一定的需求动能。