芯导科技接受投资者调研，公司第三代半导体产品将于今年批量投产

（原标题：芯导科技接受投资者调研，公司第三代半导体产品将于今年批量投产）

来源：金融界

作者：张希

金融界9月27日消息，芯导科技发布一则投资者关系活动记录表，参与调研的投资者为参加业绩说明会的广大投资者，以及国泰君安、德汇集团。

在调研中，芯导科技表示，公司的第三代半导体650V GaN HEMT产品已经在多家客户的项目中测试和验证，预计今年可实现量产；配合公司第三代半导体650V GaN HEMT器件的高整合度驱动器芯片已处于客户端测试阶段，预计将于今年批量投产。

此外，芯导科技也在积极将产品延伸到汽车领域。，目前，公司车规级TVS产品正在国产电动汽车头部厂家进行验证导入。另外公司还在积极开发中高压MOSFET、Super Junction MOSFET等产品，以及第三代半导体GaN和SiC产品，目前GaN已经成功推出几款产品，在客户处进行验证、测试；1200V高压SIC肖特基产品已经开发出产品，目前处于工程验证阶段。

以下为投资者关系活动主要内容介绍：

在手机等消费电子行业景气度下降的趋势下，请问公司将如何应对？

答：尊敬的投资者，您好！感谢您对公司的关注！尽管受到疫情等因素的影响导致消费类电子行业景气度有所下降，但整个市场仍存在较大的需求和发展空间，公司通过持续研发投入，开发迭代新的技术平台，不断推出高性能的产品，来满足客户的应用要求，并逐步实现国产替代，公司非常有信心通过产品优势来不断增大在消费电子行业的市场占比。同时，公司将通过研发投入，不断加快在其他领域的产品布局，如新能源，汽车等领域。谢谢！

请问公司在第三代半导体产品方面的开发进展怎么样了？

尊敬的投资者，您好！感谢您对公司的关注！公司是第三代半导体产品较早开发成功的国内企业。基于第三代半导体GaN HEMT的核心技术已经开发成功，相关专利已经获得批准，为产品量产提供了保障。通过此项技术公司的GaN HEMT产品将具备更好的参数性能，优化了终端结构，降低工艺开发过程引入的漏电风险，提升产品的良率及可靠性，从而降低成本，使产品更具有市场竞争力。同时，基于此项技术，公司开发建立了高压P-GaN HEMT技术平台，为GaN HEMT产品的系列化打下了坚实的基础。公司的第三代半导体650V GaN HEMT产品已经在多客户的项目中测试和验证，配合公司第三代半导体650VGaNHEMT器件的高整合度驱动器芯片已处于客户端测试阶段。谢谢！

您好，请问公司未来的产品规划及战略布局是什么？

答：尊敬的投资者，您好！感谢您对公司的关注！公司产品可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域，公司将持续研发高性能产品，不断进行产品的更新迭代及产品结构优化，在继续深耕消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域的同时，公司也在积极将产品延伸到其他领域，在汽车、新能源等领域积极拓展。

目前，公司车规级TVS产品正在国产电动汽车头部厂家进行验证导入。另外公司还在积极开发中高压MOSFET、Super Junction MOSFET等产品，以及第三代半导体GaN和SiC产品，目前GaN已经成功推出几款产品，在客户处进行验证、测试；1200V高压SIC肖特基产品已经开发出产品，目前处于工程验证阶段。谢谢！

请问公司所面向的消费电子终端目前销量是否有回升迹象？第三代半导体GaN HEMT今年年底前是否有望上市？

答：尊敬的投资者，您好！感谢您对公司的关注！公司将根据市场发展趋势、下游客户需求，有计划、有步骤地进行技术开发和创新，扩展现有产品系列，加强对现有产品的更新迭代，保证公司产品的竞争优势和可持续发展。

公司的第三代半导体650V GaN HEMT产品已经在多家客户的项目中测试和验证，预计今年可实现量产；配合公司第三代半导体650V GaN HEMT器件的高整合度驱动器芯片已处于客户端测试阶段，预计将于今年批量投产！谢谢！

请问北京光电融合产业投资基金未来投资方向目前有具体规划吗？

答：尊敬的投资者，您好！感谢您对公司的关注！北京光电基金总规模47,000万元，主要投资于硅光及集成电路相关设计、材料、装备、制造、封测及应用领域，公司使用自有资金5,000万元参与投资产业基金，占产业基金合伙企业出资总额的10.64％，目前公司已完成首期出资1,250万元。参与投资基金，可加深公司与北京电控、北京燕东微等行业相关企业的合作，借助专业投资机构的资源，拓宽投资方式和渠道，把握公司所在行业相关创新应用领域的投资机会，优化公司投资结构，同时，还能进一步加强与相关公司的战略合作关系并带来相应的产业资源。谢谢!

TVS（ESD）竞争格局及公司竞争优势？

答：公司的ESD保护器件主要以高性能，低功耗，小型化的产品为主，尤其是采用DFN1006，DFN0603小尺寸封装形式的这类ESD产品，泄放电流大，漏电低，电容低，公司通过技术平台的升级，不断优化迭代ESD产品的性能，使得公司的产品在市场上具有很大的性能优势。如采用SCR结构的具有深回退特性的ESD产品，对后级电路据有更好的保护效果，如公司推出的超低电容的ESD产品，电容小于0.15pf，在不影响高速信号线（如5G通信，USB3.1等）的信号传输情况下，实现有效的静电保护，目前公司部分产品关键性能指标达到或优于国际、国内竞品水平。