欲与台积电(TSM.US)试比高!英特尔(INTC.US)斥资30亿美元扩建D1X工厂以加速技术开发

（原标题：欲与台积电(TSM.US)试比高!英特尔(INTC.US)斥资30亿美元扩建D1X工厂以加速技术开发）

智通财经APP获悉，英特尔(INTC.US)周一宣布，投资30亿美元扩建其位于美国俄勒冈州的D1X芯片研发工厂，该投资旨在加速技术开发，以帮助该公司重新获得芯片行业的领先地位。

英特尔高级副总裁Sanjay Natarajan表示，工厂扩建面积为27万平方英尺，完成后将使D1X工厂的规模增加20%。Natarajan指出，D1X工厂实际上是一个巨大的实验室，此次扩建将使其更有能力同时开发多种制造技术，并将它们应用到英特尔其他工厂的大规模生产。

英特尔重申，计划到2025年拥有比竞争对手更先进的生产技术，并提前一年实现其工厂与竞争对手的持平。

英特尔首席执行官Pat Gelsinger正努力弥补其前任们失去的时间。英特尔曾是芯片领域毋庸置疑的领导者，如今却落后于台积电(TSM.US)和三星电子等公司，后者能提供比英特尔更为先进的制程。此外，英伟达(NVDA.US)和AMD(AMD.US)都推出了更具竞争力的芯片产品，抢占了市场份额，并挤压了英特尔的盈利能力、阻碍其增长。

D1X工厂便是Pat Gelsinger扭转这一趋势的重要抓手，英特尔的目标是在4年内掌握5代CPU工艺，企图在技术上超越三星和台积电。Pat Gelsinger表示，2024年的Intel3工艺节点不仅能够全面领先AMD，还能够顺利地超越台积电，成为代工技术最好的公司。不过，通常情况下，推出两个节点之间往往需要18个月到两年的时间间隔。

有媒体称，升级后的D1X工厂将着重开发尖端EUV光刻技术。回顾过去，英特尔缺乏对EUV的重视，这导致该公司在半导体工艺技术方面失去了一些竞争基础。

不过，英特尔在意识到了自身存在的严重不足之后，近两年一直在努力地推进先进工艺量产。此前有媒体报道称，首批阿斯麦的EUV光刻机设备已进入英特尔的Fab34晶圆厂，要为今年下半年的4nm芯片量产做准备。

除了此次宣布斥资30亿美元扩建D1X工厂之外，英特尔此前还曾宣布，计划共投入1000亿美元在美国俄亥俄州建造世界最大芯片工厂，并计划未来10年在欧洲投入800亿欧元用于芯片研发、制造，以及先进的封装技术。