加入收藏 我的证券之星
首页 - 股票 - 美股市场 - 美股动向 - 正文

IBM(IBM.US)联手三星发布“突破性”芯片设计，可减少85%能耗

来源：智通财经网
智通财经网 更多文章 >>
 2021-12-16 11:48:13
涉企侵权信息举报专区
关注证券之星官方微博：
与当前的鳍式场效应晶体管(FinFET)相比，VTFET 有望带来翻倍的性能，减少 85% 能耗。

（原标题：IBM(IBM.US)联手三星发布“突破性”芯片设计，可减少85%能耗）

智通财经APP获悉，最近，IBM(IBM.US)表示，其与三星合作在半导体设计上取得了“突破”，可以减少85%的能源消耗。

据悉，IBM与韩国三星共同发布“垂直传输场效应晶体管”(VTFET) 芯片设计。与当前的鳍式场效应晶体管(FinFET)相比，VTFET 有望带来翻倍的性能，减少 85% 能耗。

IBM在新闻稿中列出了这项技术带来的潜在好处，包括：开发新的芯片架构，延长手机待机时间至一个多星期，扩展物联网(IoT)应用，减少能源密集型流程的能耗等。

#IBM# #三星# #芯片#
微信
扫描二维码
关注
证券之星微信
APP下载
热点文章
内容精选
下载证券之星
郑重声明：以上内容与证券之星立场无关。证券之星发布此内容的目的在于传播更多信息，证券之星对其观点、判断保持中立，不保证该内容（包括但不限于文字、数据及图表）全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关内容不对各位读者构成任何投资建议，据此操作，风险自担。股市有风险，投资需谨慎。如对该内容存在异议，或发现违法及不良信息，请发送邮件至jubao@stockstar.com，我们将安排核实处理。
网站导航 | 公司简介 | 法律声明 | 诚聘英才 | 征稿启事 | 联系我们 | 广告服务 | 举报专区
欢迎访问证券之星！请点此与我们联系 版权所有： Copyright © 1996-年