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申万宏源:首予新洁能(605111.SH)“买入”评级 产品及供应链三大变化 助力公司快速发展

来源:智通财经网 2021-12-01 10:20:11
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(原标题:申万宏源:首予新洁能(605111.SH)“买入”评级 产品及供应链三大变化 助力公司快速发展)

智通财经APP获悉,申万宏源发布研究报告称,首予新洁能(605111.SH)“买入”评级,预计2021-23年新洁能收入为15.89/21.15/26.21亿元,归母净利润为4.09/5.19/6.38亿元,2021年可比公司PE估值均值为148X,新洁能当前市值对应2021PE76X,上升空间95%。

申万宏源主要观点如下:

新洁能是MOSFET、IGBT等功率器件领域的国内领先供应商。

新洁能成立于2013年,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅及超结功率MOSFET的企业之一。2016年以来,连续5年被评为“中国半导体功率器件十强企业”。当前产品型号1500种。

产品及供应链三大变化,助力新洁能快速发展及盈利提升。

1)功率器件毛利率稳定高于芯片,2015-2020年功率器件收入从1.87亿元提升至7.78亿元,占比从44.3%提升至81.5%。

2)2020年以来,率先切入12寸半导体平台,业绩加速释放。

3)2019年,子公司电基集成已初步完成先进封装测试生产线的建设,将少部分芯片自主封装后对外销售。

2021年全球半导体功率器件市场规模有望反弹至293.89亿美元,同比增长23.5%。

半导体功率器件可分为二极管、晶体管、晶闸管等,主要用于电力设备的电能变换和电路控制,是进行电能(功率)处理的核心器件,弱电控制和强电运行间的桥梁。2020年MOSFET市场规模81亿美元,约占功率器件市场规模1/3。2020-2026年,IGBT市场规模预计从54亿美元增长至84亿美元,CAGR为7.5%。2022年MOSFET+IGBT全球规模预计逾900亿人民币。

新能源推动宽禁带半导体材料(SiC、GaN)功率器件的发展。

SiCMOSFET比Si基IGBT,导通电阻更低,使得产品尺寸降低、缩小体积、开关速度快,功耗相比于传统功率器件要大大降低。2019年-2025年,SiC功率器件将从5.41亿美元增至25.62亿美元,CAGR约30%;2019年-2024年,电力电子GaN器件市场规模从约0.8亿美元增至3.5亿美元。

全球晶圆代工产能不足会持续到2022年之后,新洁能具稳定供应链优势。

功率器件主力代工领域为8寸晶圆。6英寸晶圆厂陆续关停向8英寸切换,同时8英寸关停或向12英寸切换,2019年8寸晶圆厂数量才止跌回升。2018年以来8寸晶圆厂经历3轮涨价。晶圆资源成为核心竞争力,新洁能与华虹宏力、华润上华等晶圆厂具有多年深度合作优势。

国产替代势在必行,新洁能产品已具备优势。

1)供需不匹配。需求方面,2020年中国分立半导体市场占比36%;供给方面,功率器件市场国际大厂市场份额领先,中国半导体分立器件厂商市场销售额占比仅5%,主要功率半导体国产化率均不及50%。

2)国内晶圆厂与设计厂齐头并进,MOSFET、IGBT相对其他半导体功率器件更具有差异化特征,成熟的产业链协作对功率半导体Fabless企业至关重要。

3)新洁能部分产品工艺技术国内领先,在SiC/GaN等宽禁带半导体功率器件的研发工作也形成了一定的技术突破。

风险提示:IGBT进展低于预期、SiC/GaN进展低于预期、功率器件市场景气度下滑、监管工作函等。

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