关于常州银河世纪微电子股份有限公司
首次公开发行股票并在科创板上市
的审核中心意见落实函之回复报告
保荐机构（主承销商）
（北京市朝阳区安立路66号4号楼）
二〇二〇年九月
上海证券交易所：
根据贵所于2020年9月11日出具的上证科审（审核）〔2020〕679号《关于常
州银河世纪微电子股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的审核中心意见
落实函》（以下简称“落实函”）的要求，中信建投证券股份有限公司（以下简称“中
信建投证券”、“保荐机构”或“保荐人”）作为常州银河世纪微电子股份有限公司（以
下简称“银河微电”、“发行人”或“公司”）首次公开发行股票并在科创板上市的保荐机
构（主承销商），会同发行人及相关各方，本着勤勉尽责、诚实守信的原则，就落
实函所提问题逐项进行认真讨论、核查与落实，并逐项进行了回复说明。具体回复
内容附后。
关于回复内容释义、格式及补充更新披露等事项的说明：
1、如无特殊说明，本回复中使用的简称或名词释义与《常州银河世纪微电子股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书（上会稿）》（以下简称“招股说明书”）一致；
2、本回复中若出现总计数尾数与所列数值总和尾数不符的情况，均为四舍五入所致；
3、本回复的字体代表以下含义：
落实函所列问题 黑体（加粗）
对落实函所列问题的回复 宋体
引用原招股说明书所列内容 宋体
对招股说明书的修改、补充 楷体（加粗）
目 录
问题1..................................................................................................................................... 3
问题2..................................................................................................................................... 4
问题3................................................................................................................................... 10
保荐机构总体意见............................................................................................................. 26
问题1请发行人按照《公开发行证券的公司信息披露内容与格式准则第 41号——科创板公司招股说明书》的规定，全面梳理“重大事项提示”各项内容，突出重大性，增强针对性，强化风险导向，删除冗余表述，按重要性进行排序，并补充、完善以下内容：（1）实际控制人持股比例较高，存在不当控制的风险；（2）报告期内，公司布局高端市场的光电器件产品市场拓展不力、收入占比较低。
【回复】
一、全面梳理“重大事项提示”各项内容，突出重大性，增强针对性，强化风险导向，删除冗余表述，按重要性进行排序
发行人及保荐机构对招股说明书中“重大事项提示”章节的内容，删除了不具有针对性及必要性的提示内容，并对相关风险提示按照重要性进行了排序，对“（三）芯片外购比例较高风险”进行了补充：
“（三）芯片外购比例较高风险
从技术起源及优势技术角度，分立器件行业有两种类型企业，一类是以芯片技术为基础，自主开发芯片，产品特点是相对“单一品种”，为客户提供自主芯片对应的分立器件；另一类是以封测技术为基础，芯片外购，产品特点是“多品种、多规格”，为客户提供分立器件“一站式”采购服务。发行人生产经营模式以封测技术为基础，报告期各期，公司外购芯片的数量分别为95.41亿颗、 93.43亿颗、78.33亿颗、44.04亿颗，外购芯片的金额为 12,726.59万元、10,756.92万元、9,000.36万元、4,975.11 万元，外购芯片的金额占所需芯片金额的比例分别为 81.89%、77.77%、75.90%、78.53%，外购芯片占公司芯片需求的比例较高。芯片属于分立器件的核心部件，虽然公司掌握半导体二极管等芯片设计的基本原理，具备对分立器件芯片性能识别以及自制部分功率二极管芯片的能力，但不具备制造生产经营所需全部芯片的能力。目前公司外购的小信号器件、光电器件、部分功率器件芯片市场供应充足，但如果部分芯片由于各种外部原因无法采购，将对公司生产经营产生重大不利影响。”
二、补充、完善以下内容：（1）实际控制人持股比例较高，存在不当控制的风险；（2）报告期内，公司布局高端市场的光电器件产品市场拓展不力、收入占比较低。
以下内容已在招股说明书“重大事项提示”之“一、特别提醒投资者关注‘风险因素’中的下列风险”中补充披露，并在招股说明书“第四节 风险因素”相应位置进行修订或补充披露：
“（七）实际控制人持股比例较高，存在不当控制的风险
本次股票发行前，杨森茂持有银河星源、恒星国际 95%股权，并担任银江投资、银冠投资普通合伙人和执行事务合伙人，通过上述主体累计控制公司股权比例达到 92.33%，为公司实际控制人，并在本次发行完成后持股比例较高，仍处于绝对控股地位。实际控制人可以利用其控股地位对公司人事任免、经营和财务决策、利润分配等施加重大影响，可能损害公司及其他股东的利益，使公司面临实际控制人不当控制的风险。
（八）公司布局高端市场的光电器件产品存在市场拓展不力、收入占比较低的风险
公司光电器件包括光电耦合器与主要应用于汽车电子等高端市场的 LED灯珠，是公司近年来新开发的产品门类。报告期内，公司光电器件的收入分别为 1,937.78万元、2,091.78万元、2,268.25万元及736.69万元，占公司主营业务收入的比例分别为3.22%、3.64%、4.38%及2.86%，占比较低。如果未来公司相关产品的研发效果及产品技术水平达不到下游客户要求，或者产品的市场推广进度未及预期，公司光电器件产品的收入存在持续较低甚至下降的风险。”
问题2请发行人进一步说明产品划分为“小信号器件”与“功率器件”的分类依据及合理性，“小信号器件”是否为行业通用术语，上述分类是否符合行业惯例，是否能准确反映公司产品结构和经营模式。请保荐机构核查并发表明确意见。
【回复】
一、产品划分为“小信号器件”与“功率器件”的分类依据及合理性
1、“小信号器件”、“功率器件”分类方法被诸多权威机构采用
（1）中国电子技术标准化研究院发布的行业分类标准
中国电子技术标准化研究院（以下简称“标准研究院”）创建于1963年，是工业和信息化部直属事业单位，是国家从事电子信息技术领域标准化的基础性、公益性、综合性研究机构。根据标准研究院发布的《功率半导体分立器件产业及标准化白皮书（2019版）》，半导体产业结构如下所示：
（2）世界半导体贸易统计协会（WSTS）的行业分类标准
世界半导体贸易统计协会是一家非营利性的行业互惠组织，致力于为世界半导体行业提供行业数据的收集和预测等服务，是半导体市场行业数据的权威来源之一。根据其发布的《WSTS 产品分类2018》，分立器件产品可以分为小信号二极管（Small Signal Diodes）、小信号三极管（Small Signal Transistors）、功率三极管（Power Transistors）、整流器/功率二极管（Rectifiers /Power Diodes）等。
（3）国际知名咨询公司出具的行业分类标准
Gartner
Gartner（NYSE：IT.N）为全球最具权威的 IT 研究与顾问咨询公司之一，在其出具的《全球半导体分立器件市场份额报告》中将半导体分立器件划分为功率器件、射频器件及小信号器件，具体如下：
IHS
IHS是一家全球领先的重点行业信息咨询公司，面向全世界的客户提供公司战略和行业信息等服务。其出具的《全球功率半导体市场》报告将分立器件分为功率模块（power modules）、射频器件（RF & microwave）和小信号器件（small signalproducts）。
综上所述，发行人将自身主要产品划分为“小信号器件”与“功率器件”，符合电子信息技术领域的国家行业权威机构和国际知名咨询机构的分类标准，具备合理性。上文所引用的诸多行业权威组织与研究机构发布的报告可以印证，小信号器件作为额定电流低于1A 或耗散功率低于1W 的半导体分立器件的统称，已经成为固定的行业通用术语。
2、将产品划分为“小信号器件”、“功率器件”并结合二级分类有助于更加准确的反映公司的生产经营情况，具有合理性
如前所述，半导体分立器件从芯片结构和功能角度可划分为二极管、三极管、桥式整流器等，从耗散功率（或额度电流）角度可划分为小信号器件、功率器件。上述分类维度互不交叉，示意图情况如下：
公司将产品划分为“小信号器件”与“功率器件”是依据行业内通行的分类标准进行的划分，同时产品一级分类下设置小信号二极管、小信号三极管、功率二极管、功率三极管和整流桥的细分类别，兼顾了产品功率特点与结构功能两个维度，更加能够准确反映公司的经营状况。具体分类合理性的相关分析参见本回复之“问题2/三、是否能准确反映公司产品结构和经营模式”部分。
二、“小信号器件”是否为行业通用术语，上述分类是否符合行业惯例
1、“小信号器件”、“功率器件”的分类方法是半导体产业专业化分工过程中出现的概念，目前被广泛使用
半导体分立器件按照芯片结构和功能可区分为二极管、三极管，以及由其通过一定方式连接形成的器件（如整流桥）。半导体产业起步于上世纪50年代，在发展历程中，半导体二极管、双极型晶体管（BJT）、场效应晶体管（Power-MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等先后出现，一般将双极型晶体管、场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管统称为三极管。
随着半导体产业的逐步发展，对芯片供电 mA 级别的电流需求、产品良率及成本制约下小功率器件无法集成、下游产品对半导体分立器件体积要求越来越苛刻等问题逐步凸显，无论是二极管还是三极管，在制造工艺上均面临突破上述发展瓶颈的需要。为解决上述问题，体积较小且通过电流较小的“小信号器件”概念开始被台湾分立器件厂商单独列出，并形成了一系列专门的工艺方法，可以用于各类二极管、三极管的生产。随着小信号器件概念的出现，半导体分立器件在按照芯片结构、功能划分维度之外，又可按照功率、电流指标划分为小信号器件及功率器件两大类。
小信号器件与功率器件在生产工艺和产品应用方面存在显著差异。小信号器件芯片尺寸和封装尺寸均较小，对生产作业控制精度要求较高，对机械化自动化要求很高，并由于产品组件比较脆弱，需要在生产过程中给予很好的保护，同时其电性参数值均比较小，因此要求测试系统能够快速分辨出微小的电量变化，具备较高的测试精度。而功率器件芯片尺寸和封装尺寸都比较大，要求芯片与框架接触良好、封装体有较好的散热能力、封装应力尽可能小、测试过程中能够提供大电流高电压、并进行不同测试参数条件下自动比对筛选。由于前述差异，在半导体产业逐步专业化发展的过程中，器件在在生产工艺及产品应用方面的差异程度超出了其在芯片结构及功能方面本身的差异，小信号器件、功率器件的概念逐步被普遍接受。
世界半导体贸易统计协会（WSTS）将小信号器件定义为耗散功率小于1W（或者额定电流小于1A）的分立器件，而耗散功率不小于1W（或者额定电流不小于1A）的分立器件为功率器件。
2、上述分类方法被业内诸多公司认可，符合行业惯例
发行人制定上述产品分类时，充分参照了同行业可比公司的产品分类标准，具体如下：
公司名称 上市时间 产品分类情况 与发行人对比情况
安世系全球小信号器件领域龙头企业，根据闻
安世半导体 - 泰科技（600745.SH）公告的收购报告书，安世 与发行人一致
产品分为各类小信号和中等功率产品组合等。
根据其官方网站产品中心分类，半导体器件又
扬杰科技 2014/1/23 分为功率整流器件、保护器件、小信号器件、 与发行人一致
MOSFET等
苏州固锝 2006/11/16 根据其官方网站产品中心分类，分立器件分为 与发行人一致
功率二极管、小信号二极管、MOSFET等
其产品分为集成电
士兰微 2003/3/11 产品大类分为电子元器件、集成电路、分立器 路、分立器件、光
件产品、发光二极管产品及其他 电器件，未对分立
器件进行细分
产品大类为半导体分立器件产品，主要包括 该公司主要生产功
华微电子 2001/3/16 IGBT、VDMOS、CMOS、肖特基、快恢复二 率器件，因此直接
极管、可控硅和BJT等 在功率器件下一级
进行产品分类
华润微 2020/2/27 根据招股说明书，半导体分立器件分为功率器 与发行人一致
件、小信号器件、光电子器件及传感器
由上表，可比公司公开信息认可将分立器件包括小信号器件、功率器件的分类方法。但基于每家产品特点的不同，其具体产品分类可能在小信号器件、功率器件的框架下直接对某一大类进行细分，例如华微电子其产品均为功率器件，因此直接在功率器件下面将产品按照结构、功能进行划分。
此外，业内知名公司罗姆、东芝、英飞凌、威世等都在其产品手册中采用了类似分类方法。综上所述，公司的产品分类标准符合行业惯例。
三、是否能准确反映公司产品结构和经营模式
从产品结构来看，小信号器件和功率器件是公司产品结构中相对独立的两种产品，公司在这两种产品上面临不同的技术特点、发展阶段、竞争格局及市场地位：在小信号器件领域，公司是知名的自主品牌分立器件供应商，已经具备完整的产品系列，拥有先进的专业封装生产线，具备技术、市场层面的先发优势，报告期内保持较高的毛利率水平；相比而言，公司涉足功率器件领域相对较晚，近年来依托自主研发和制造的功率器件芯片，以及门类齐全的封装工艺，致力于在高压整流、稳压等具有市场前景的领域推进产品结构的优化升级。
从经营模式来看，公司根据不同的生产工艺流程及技术特点将半导体分立器件生产分为不同的产品事业部。公司成立之初主要的产品生产部门为微型器件事业部（MSD），主要产品为小信号器件，包括小信号二极管、小信号三极管等，其后逐步拓展了光电器件产品系列的生产。随着公司业务的发展，2010年至2011年，公司筹建了功率器件事业部（PSD），开始发展功率器件，包括功率二极管、功率三极管、桥式整流器等功率器件产品，并逐步扩大功率器件在公司的收入份额。2013年11月，发行人前身银河有限收购了银河电器100%股权（包括其全资子公司银河寰宇100%股权），并利用银河电器、银河寰宇相关资产资源在公司内部构建了轴向器件事业部（ASD），主要生产功率二极管当中的轴向结构产品。
公司成立以来产品发展的具体情况如下图所示：
综上所述，公司成立之初主营小信号器件，后逐步发展功率器件，产品发展脉络清晰，且实际生产经营围绕不同产品类别开展。以功率器件及小信号器件对产品进行分类，与公司的发展历程及生产事业部门的设置相匹配，能准确反映公司的产品结构和经营模式。
四、中介机构核查情况
（一）核查程序
保荐机构执行了以下核查程序：
1、获取权威机构如中国电子技术标准化研究院、世界半导体贸易统计协会、Gartner、IHS等出具的行业报告，分析行业通行的产品分类标准，评估将“小信号器件”认定为行业通用术语的合理性，确认发行人产品分类标准的合理性；
2、阅读发行人同行业可比公司扬杰科技、苏州固锝、士兰微、华微电子、华润微、闻泰科技（安世半导体）等公司的公开披露信息，分析发行人现行产品分类标准是否符合行业惯例；
3、访谈发行人董事长、总经理，了解发行人现行产品分类标准是否能准确反映公司产品结构与经营模式。
（二）核查意见
经核查，保荐机构认为：（1）发行人将主要产品划分为“小信号器件”与“功率器件”与官方权威分类标准、国际知名咨询机构分类标准一致；（2）小信号器件是随着半导体产业发展逐步出现的行业通用术语，同行业公司中扬杰科技、苏州固锝、华润微在公开资料中也采用类似的分类方式，该分类方法符合行业惯例；（3）采用上述分类方法能够准确反映公司不同产品的竞争状态，与公司生产经营部门设置相匹配，能准确反映公司产品结构与经营模式。
问题3请发行人完善招股说明书相关信息披露内容：（1）结合行业通用的产品分类，客观、准确披露公司的业务与技术情况；（2）结合相关技术指标等，说明
“在小信号器件的产品尺寸、功率器件的功率密度，以及产品的封装良率、市场端
失效率等核心指标方面达到国内领先企业同等水平”的依据是否充分、客观，以及
公司技术先进性的具体体现；（3）“行业基本情况”部分补充披露公司所处细分行
业有关情况；（4）进一步选取同类产品的厂商进行分析比较，说明公司产品的市场
地位和核心竞争力。
【回复】
一、结合行业通用的产品分类，客观、准确披露公司的业务与技术情况；
如本回复问题2所述，公司将主要产品划分为小信号器件、功率器件符合行业通用的分类标准。在此基础上，公司对招股说明书业务与技术章节作如下调整：
1、增加对分立器件结构及功能的相关描述
在招股说明书“第六节 业务与技术”之“一、/（一）/2、主要产品”部分补充披露：
（1）分立器件的结构及功能
公司的主要产品为半导体分立器件。分立器件是指具有单独功能且功能不能拆分的电子器件，依据芯片结构和功能的不同可以分为半导体二极管、三极管、桥式整流器、光电器件等。半导体分立器件主要由芯片、引线/框架、塑封外壳几部分组成，其中芯片决定器件功能，诸如整流、稳压、开关、放大、保护等，引线/框架实现芯片与外部电路的连接以及热量的导出，塑封外壳则为芯片及内部结构提供保护，保证其功能的稳定实现，并与散热等核心性能高度相关。
分立器件产品示意图
分立器件的芯片与半导体行业通常理解的集成电路芯片有所差异。半导体电路功能实现的基础单元是由半导体材料构成的PN结，将PN结及其形成的图形以一定的方式刻到一小片硅片上形成半导体芯片。其中，分立器件（二极管、三极管等）芯片是指在一个硅片上通过掺杂、扩散等工艺只形成一个或少量PN结的芯片，其芯片的结构简单，功能也相对较为简单，主要是实现整流、稳压、开关、放大等既定的电路功能。而集成电路芯片是用特殊的半导体工艺将成千上万个PN结、电容、电阻、导线等形成的具有特定功能的图形刻到一小块硅片上形成芯片，因此集成电路芯片结构非常复杂，可以实现数字信号、模拟信号的处理与转换等复杂功能。
虽然集成电路工艺带来了体积小、重量轻、可靠性高等优势，但对于一些难以集成的特定功能，例如高速开关、稳压保护、瞬态抑制和大电流、高电压、低功率等性能要求，以及出于线路结构、集成难度和成本、稳定性等各方面考虑，仍需要大量使用各种分立器件来完成，因此，分立器件与集成电路配合使用成为半导体产业的常态。
各类半导体产品外观及芯片结构示意图
2、增加对分立器件分类标准、依据的描述
在招股说明书“第六节 业务与技术”之“一、/（一）/2、主要产品”部分补充披露或修订：
（2）分立器件的产品分类
半导体分立器件按照芯片结构和功能可区分为二极管、三极管，以及由其通过一定方式连接形成的器件（如整流桥）。半导体产业起步于上世纪 50年代，在发展历程中，半导体二极管、双极型晶体管（ BJT ）、场效应晶体管（ Power-MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等先后出现，一般将双极型晶体管、场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管统称为三极管。
随着半导体产业的逐步发展，对芯片供电 mA 级别的电流需求、产品良率及成本制约下小功率器件无法集成、下游产品对半导体分立器件体积要求越来越苛刻等问题逐步凸显，无论是二极管还是三极管，在制造工艺上均面临突破上述发展瓶颈的需要。为解决上述问题，体积较小且通过电流较小的“小信号器件”概念开始被台湾分立器件厂商单独列出，并形成了一系列专门的工艺方法，可以用于各类二极管、三极管的生产。
随着小信号器件概念的出现，半导体分立器件在按照芯片结构、功能划分维度之外，又可按照功率、电流指标划分为小信号器件及功率器件两大类。世界半导体贸易统计协会（WSTS）将小信号器件定义为耗散功率小于 1W（或者额定电流小于1A）的分立器件，而耗散功率不小于 1W（或者额定电流不小于 1A）的分立器件则归类为功率器件。
分立器件产品尺寸发展示意图
小信号器件与功率器件在生产工艺和产品应用方面存在显著差异。小信号器件芯片尺寸和封装尺寸均较小，对生产作业控制精度要求较高，对机械化自动化要求很高，并由于产品组件比较脆弱，需要在生产过程中给予很好的保护，同时其电性参数值均比较小，因此要求测试系统能够快速分辨出微小的电量变化，具备较高的测试精度。而功率器件芯片尺寸和封装尺寸都比较大，要求芯片与框架接触良好、封装体有较好的散热能力、封装应力尽可能小、测试过程中能够提供大电流高电压、并进行不同测试参数条件下自动比对筛选。由于前述差异，在半导体产业逐步专业化发展的过程中，器件在在生产工艺及产品应用方面的差异程度超出了其在芯片结构及功能方面本身的差异，小信号器件、功率器件的概念逐步被普遍接受。
依据功率和电流对分立器件进行划分是业内通用的分类方法。中国电子技术标准化研究院 2019 年 11 月发布的最新《功率半导体分立器件产业及标准化白皮书（2019 版）》将分立器件划分为小信号器件和功率器件；世界半导体贸易统计协会（WSTS）在其产品分类手册中也依据功率的标准采用了小信号器件、功率器件的划分；全球最具权威的 IT 研究与顾问咨询公司 Gartner 将分立器件区分为小信号器件、功率器件、射频器件；业内知名公司东芝、罗姆、安世、威世、华润微、扬杰科技等都在其产品手册中采用了前述分类方法。
半导体分立器件从芯片结构和功能角度可划分为二极管、三极管、桥式整流器等，从耗散功率（或额度电流）角度可划分为小信号器件、功率器件。上述分类维度互不交叉，示意图情况如下：
3、增加对分立器件产品结构、应用场景示意图的描述
在招股说明书“第六节 业务与技术”之“一、/（一）/2、主要产品”部分补充披露：
公司产品在线路板中的应用示意图如下：
公司产品在智能家居终端中的应用示意图
公司产品在电源电路中的应用示意图
4、增加对分立器件与集成电路区别及组合使用情况的描述
在招股说明书“第六节 业务与技术”之“二、/（三）/2、半导体分立器件的市场情况”部分补充披露：
（2）分立器件、集成电路共同构成半导体产业两大分支
半导体产品按结构和功能可进一步细分为分立器件和集成电路。分立器件是指具有单独功能且功能不能拆分的电子器件，主要功能为实现各类电子设备的整流、稳压、开关、混频、放大等，具有广泛的应用范围和不可替代性，是半导体产业的基础及核心领域之一。集成电路是指将一定数量的常用电子元件，如二极管、三极管、电阻、电容等，以及这些元器件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路，集成电路极大地缩小了电子线路的体积。
在集成电路出现之前，特定功能的电路都是由一个个独立的二极管、三极管、电容、电阻等分立元器件构成的，由于其重量大、能耗高、移动困难、故障率高、规模生产难度大，严重制约了电路的应用。20世纪 50年代后期到 60年代，集成电路逐步发展，它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体器件、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。
随着集成电路的集成度越来越高，使得半导体产品的功耗、成本、性能、稳定性逐步提高。但对于一些难以集成的特定功能，例如高速开关、稳压保护、瞬态抑制和大电流、高电压、低功耗等性能要求，以及出于线路结构、集成难度和成本、稳定性等各方面考虑，仍需要大量使用各种分立器件来完成。因此，分立器件与集成电路配合使用共同实现电路功能成为电子行业的常态，具体应用电路示意图情况如下。
充电器线路板示意图
从市场规模来看，2019年全球半导体营收额约 4,120.90亿美元，其中集成电路营收额3,334.60亿美元，占比80.90%，分立器件营收额786.40，占比19.10%。分立器件与集成电路共同构成半导体产业两大分支，近年来，分立器件占全球半导体市场规模的比例基本稳定维持在18%-20%之间。
全球半导体市场结构情况
资料来源：WSTS，单位：亿美元
二、结合相关技术指标等，说明“在小信号器件的产品尺寸、功率器件的功率密度，以及产品的封装良率、市场端失效率等核心指标方面达到国内领先企业同等水平”的依据是否充分、客观，以及公司技术先进性的具体体现；
公司已列明在小信号器件的产品尺寸、功率器件的功率密度、产品的封装良
率、市场端失效率等核心指标方面与国内领先企业技术指标的比较情况。为进一步
充分、客观说明公司产品技术的先进性，公司将一方面增加技术指标相关技术要求
的具体描述，另一方面将技术指标对比的结果进行总结说明。具体如下：
（1）关于小信号器件产品尺寸
小信号器件芯片尺寸和封装尺寸均较小，对生产的作用控制精度要求较高，对机械化和自动化要求很高，并由于产品组件比较脆弱，需要在生产过程中给予很好的保护；同时其电性参数值均比较小，因此要求测试系统能够快速分辨出微小的电量变化，并具备较高的测试精度。具体而言，产品的小型化使得冲压引线框与蚀刻基板相比更容易变形，低弧焊线使得短路至芯片的边缘的风险大大增加，超薄封装芯片到周围环境之间填充的塑封体厚度极薄使得绝缘保护很难，而新封装的厚度更是接近芯片厚度，需要对传统封装技术进行全新的变革。公司运用高密度阵列式框架设计技术、绝缘膜装片等技术提升对框架的利用效率以及装片的控制精度，运用超低弧度焊线技术保证封装焊接质量，从而保证产品外形不断小型化，同时使用MGP模封装技术、变速注塑技术使成型过程具备良好的可控性和一致性。
公司在小信号器件封装尺寸方面与国内领先企业处于同等水平，具体如下：
指标 产品 银河微电 扬杰科技 苏州固锝
小信号开关 1.0×0.6 1.6×0.8 1.9×1.2
小 二极管 （DFN1006） （SOD-523） （MicroMELF）
信 小信号肖特 1.0×0.6 1.0×0.6 1.0×0.6
号 基二极管 （DFN1006） （DFN1005） （DFN1006）
二 小信号稳压 1.0×0.6 1.6×0.8 1.9×1.2
最小封装 极 二极管 （DFN1006） （SOD-523） （MicroMELF）
尺寸 管 ESD保护 1.0×0.6 0.6×0.3 -
（单位： 二极管 （DFN1006） （DFN0603）
毫米） 小 小信号 1.0×0.6 2.0×2.3 1.6×1.6
信 MOSFET （DFN1006） （SOT-323） （SOT-523）
号 小信号三极 1.0×0.6 2.0×2.3 -
三 管 （DFN1006） （SOT-323）
极 数字三极管 1.2×1.2 2.0×2.3 -
管 （SOT-723） （SOT-323）
注：1、最小封装尺寸越小、封测能力越强；2、数据依据各公司2020年6月30日官方网站披露的数据整理得到。
由上表，公司小信号器件主要产品品种的最小封装尺寸与扬杰科技、苏州固锝基本持平，在优势产品小信号开关二极管、小信号三极管、小信号 MOSFET等具备一定的产品尺寸优势。
（2）关于功率器件功率密度
随着终端产品对空间利用率的不断提高，功率密度的提升成为功率器件发展的主要方向之一。
功率器件芯片尺寸和封装尺寸都比较大，要求芯片与框架接触良好、封装体有较好的散热能力、封装应力尽可能小、测试过程中能够提供大电流高电压、并进行不同测试参数条件下自动比对筛选。具体而言，功率密度提升的难点在于控制应力导致的变形和破损，通过芯片结构设计的优化提升芯片性能、降低自身的发热，通过高导热材料优化设计提升散热能力，尽可能增大芯片与引线框架接触面积等方面，需要在结构设计、过程参数控制等方面进行优化。公司运用点胶量 CPK自动测量控制技术、功率芯片画锡焊接技术有效解决了组装焊接过程中的可靠性问题，运用高温反向漏电控制技术等核心技术提升了功率器件在特殊工作条件下的可靠性表现，满足了器件功率密度不断提升带来的性能要求。
公司功率器件的功率密度达到国内领先企业同等水平，具体如下：
指标 产品 银河微电 扬杰科技 苏州固锝
整流二极 0.31 0.218 0.256
管 （SMCF15A） （SMAF3A） （SOD-323F1A）
功 快恢复二 0.252 0.285 0.311
率 极管 （TO-25216A） （TO-26330A） （TO-2775A）
二 肖特基二 0.5 0.5 0.59
最高功率 极 极管 （TO-27720A） （TO-27720A） （PQFN30A）
密度 管 TVS 29.6 29.6 29.6
（单位： （SMC3000W） （SMC3000W） （SMC3000W）
w/mm2） 稳压二极 0.269 0.161 0.222
管 （SMB5W） （SMB3W） （SMAF3W）
功 MOSFET 1.80 1.42 1.39
率 （TO263284W） （TO263225W） （TO263220W）
三 双极型三 0.39
极 极管 （TO25225W） - -
管
注：1、最高功率密度越大，说明封测能力越强；2、数据依据各公司2020年6月30日官方网站披露的数据整理得到。
由上表，公司功率器件主要产品品种的最高功率密度水平与扬杰科技、苏州固锝基本持平，优势产品功率整流二极管、功率稳压二极管等具备一定的优势。
（3）关于产品封装良率及市场端失效率
分立器件产品具有批量使用的属性，产品质量的稳定性、一致性是反映封测能力的重要指标。公司运用核心技术加强对生产过程的工艺控制，保证生产良率控制在较高水平，同时具备根据终端应用场景设计针对性测试方法的能力，在出厂前剔除潜在的高失效风险产品，进而保证了极低的市场端失效率。
公司与可比公司以及封测领域标杆企业在封装良率、市场端失效率指标方面的对比情况如下：
比较方面 公司 具体指标 指标水平
封装良率 华天科技 产品平均良率 99.9%以上
银河微电 分立器件平均良率 99.5%以上
市场端失 扬杰科技 大功率器件失效率 百万分之几
效率 银河微电 分立器件平均失效率 低于百万分之5
注：根据各公司公告文件整理，由于封装良率、市场端失效率不是强制要求披露的指标，因此选取可比公司及从事封测代工的其他标杆企业所披露过的相关指标进行对比。
由上表，公司封装良率基本达到国内封测标杆企业华天科技同等水平，差异情况不足以对公司生产成本、生产效率产生重大影响，经后道测试后出厂也不会因封装良率问题造成市场端失效率的重大差异；公司市场端失效率与扬杰科技功率器件的市场端失效率达到同等水平。
综上所述，公司在小信号器件的产品尺寸、功率器件的功率密度、产品的封装良率、市场端失效率等核心指标方面达到国内领先企业同等水平的依据充分、客观，公司技术先进性具体体现在自身技术和工艺控制能力方面。
三、“行业基本情况”部分补充披露公司所处细分行业有关情况；
公司依据自身业务实际，对行业基本情况部分中关于半导体行业整体的相关描述进行了精简，并新增了半导体分立器件行业的市场规模、发展状况等信息，具体如下：
2、半导体分立器件的市场情况
（1）全球半导体分立器件的市场概况
近年来，全球半导体分立器件行业市场规模稳健增长，智能手机、平板、可穿戴等消费类电子产品是推动半导体产业增长的主要动力。2019 年，受国际贸易环境变化的影响，全球半导体市场规模为 4,090亿美元，同比下降了 12.75%，而半导体分立器件由于稳定的终端需求，以及新应用领域的快速增长，营收总额达 786.40亿美元，仍然维持了小幅增长的趋势。
全球半导体分立器件营收额及增速情况
资料来源：WSTS，单位：亿美元
分立器件按照功率、电流分为小信号器件、功率器件等，并分别按照不同的工艺路径快速发展。2018年全球分立器件市场份额中，小信号器件占比约 16%，功率器件占比约73%。
2018年全球分立器件细分产品市场份额
数据来源：Gartner
依托电子信息产业的快速发展，半导体分立器件市场一直保持着较好的发展势头。近年来，随着全球电子产品技术的升级换代，催生了新产品和新应用的不断涌现，尤其是电动汽车、5G应用等带来的衍生机会，进一步带动了分立器件应用领域的快速拓展。
（2）我国半导体分立器件的市场概况
自改革开放以来，我国半导体产业经历了从技术引进到自主创新的过程。在这个过程中，通过不断吸收融合国外公司的先进技术，我国半导体设计、制造以及封装测试技术得到了快速发展，与国际半导体产业的联系愈发密切，技术差距也不断缩小。
从半导体产品的需求角度来看，我国已经成为全球制造业第一大国和全球最大电子产品消费市场，而且占全球市场份额的比重仍在不断上升。据统计，我国2019年度半导体市场销售额的全球占比为35%，大大高于美洲（占比19%）、欧洲（占比10%）和日本（占比9%）。
2019年全球半导体市场区域分布
资料来源：WSTS
对于半导体分立器件，我国同样是全球最大的消费国。根据中国半导体行业协会的数据显示，2011年-2018年我国半导体分立器件产业销售收入由1,388.60亿元增长至2,658.40亿元，年复合增长率为9.72%，保持较高的增长速度；2019年由于需求波动及国际经贸环境变化，半导体分立器件产业销售收入小幅下降。
2011年-2019年我国半导体分立器件产业销售收入
资料来源：2011-2018年数据来源于中国半导体行业协会，2019年数据来源于江苏省半导体行业协会，单位：亿元
近年来，我国分立器件企业紧跟国际先进技术发展，通过持续的技术创新不断推动产品升级，在技术研发和先进装备方面进行了大量的投资，并积极向中高端市场渗透，与国际厂商展开竞争，已经在消费电子等细分应用领域取得了一定的竞争优势。随着我国分立器件企业产品技术的不断提升，国内的终端应用客户也更加趋向于实施国产化采购，给国内半导体分立器件企业带来更多的发展机遇。
分立器件按照芯片结构、功能划分为二极管、三极管（包含 MOSFET、IGBT等），市场上主要半导体分立器件的产品性能、应用场景、竞争格局、技术壁垒、市场份额情况如下表所示：
器件 产品性能 应用场景 竞争格局 技术壁垒 市场 增长率
类型 份额
二极管市场格局分
包括整流二极管、快恢复二 散，威世科技是全球 1、差别化应用领域的快
极管、肖特基二极管、稳压 二极管最大供应商， 速拓展产生跨领域的产品
二极管等，结构原理简单， 是基础性器 占据全球约10%，前 需求，对生产厂商专用产
二极管 工作可靠，不可控型开关器 件，普适性较 五大厂商约占据 品的配套设计能力提出了 28.14% 8.30%
件，主要用作整流。在频率 强 28%。二极管虽然原 更高的要求；
较高的电力电子电路中的应 理成熟，但受产品稳 2、下游领域对产品的多
用受限。 定性及客户认证壁垒 元化需求，新进入者在短
影响，国产化率仍然 期内难以形成规模化的多
较低 品种批量生产技术及产能
消费电子、适 总体而言，国外厂商 以满足整机制造企业的一
电流控制型开关器件，用于 配器及电源、 仍占据市场份额的前 站式购买需求；
三极管 开关或功率放大，不易于驱 绿色照明、工 列，国内厂商在附加 3、技术细节较多，公开 19.43% 10.98%
动控制，频率较低 业控制、网络 值较低的部分已完成 资料较少。
通信、计算机 国产替代，但附加值
及周边设备等 高的产品仍被外商垄
器件 产品性能 应用场景 竞争格局 技术壁垒 市场 增长率
类型 份额
断
国外厂商仍占据市场
电流控制型开关器件，但开 自动控制，机 份额的70%左右，国 市场整体规模较小，技术
晶闸管 关频率不高，难以实现变流 电领域，工业 内厂商在附加值较低 要求相对较低，但对供应 小于 -
装置的高频化 电气及家电等 的部分已完成国产替 商的技术积累及整体配套 2.90%
代，但附加值高的产 能力有一定要求。
品仍被外商垄断
1、芯片制程复杂，有较
场效应晶体管，产品有平面 高的技术壁垒。国内仅少
MOS、槽栅MOS、超结 整体而言，国外企业 数晶圆厂能生产；
MOS、屏蔽栅MOS等，开 占比较高，国内最大 2、封装技术要求高，单
关速度快，输入阻抗高，热 消费电子、网 的MOSFET厂商是英 点技术突破难，如G极焊
稳定性好，所需驱动功率小 络通信、工业 飞凌，前5大厂商市场 接技术，双面散热技术
MOSFET 且驱动电路简单，工作频率 控制、汽车电 占比为64.00%，市场 等； 32.58% 11.16%
高，不存在二次击穿问题， 子等 集中度较高，国内厂 3、匹配芯片特点的封装
但电流容量小，耐压低，一 商正逐步展开国产替 集成技术要求高，涉及多
般只适用于功率不超过 代，特别是在中低压 种技术组合应用；
10kw的电力电子装置。 MOSFET领域 4、产品可靠性要求高，
有较高的质量控制技术要
求。
绝缘栅双极型晶体管，开关 电机节能、轨 全球IGBT市场主要 1、芯片制程复杂，有较
速度高，开关损耗小，具有 道交通、智能 竞争者包括英飞凌、 高的技术壁垒，国内仅极
耐脉冲电流冲击的能力，电 电网、航空航 三菱、富士电机、安 少数晶圆厂能生产。
IGBT 压越高，IGBT越有优势， 天、家用电 森美、赛米控等，前 2、技术要求高，单点技 16.95% 13.91%
高压下，开关速度高，电流 器、汽车电 五大企业的市场份额 术突破难，如芯片减薄技
大，但开关速度低于 子、新能源发 超过70%，国内企业 术，背面工艺技术等
MOSFET 电、新能源汽 与国外企业技术水平 3、封装技术要求较高
车等领域 存在一定差距
注：市场份额为2018年度全球市场份额；增长率为2018年较2017年度增长率；晶闸管总体规模较小，在国内市场规模约30亿人民币，此处归入其他半导体分立器件核算市场占比，总体小于2.90%。
数据来源：Gartner
四、进一步选取同类产品的厂商进行分析比较，说明公司产品的市场地位和核心竞争力。
1、进一步选取同类产品的厂商进行分析比较
公司依据同行业公司与公司产品的可比性对“第六节 业务与技术”之“二、（五）/3、行业内主要企业”部分内容进行了修订，将原列示的产品种类繁多、可比性相对不高的英飞凌、安森美、威世科技、达尔科技进行删除，新增以小信号器件为主的分立器件标杆企业安世半导体，同时对扬杰科技等国内可比公司增加产量、市场占有率以及经营模式和技术水平等相关描述，以便进一步说明公司的市场地位和核心竞争力。具体如下：
（1）安世半导体
安世半导体前身为恩智浦的标准产品事业部，拥有 60多年的半导体行业专业经验，于 2017年初开始独立运营。安世采用 IDM经营模式，覆盖了半导体产品的设计、制造、封装测试的全部环节。分立器件（包含 MOSFET）、逻辑器件器件的主要产品市场占有率均位于全球前三名。
安世半导体是全球范围内分立器件标杆企业，小信号二极管、小信号晶体管及ESD保护器件产品在全球市场的占有率位列第一，2018年小信号二极管、三极管销量547亿只，ESD保护器件160亿只，逻辑器件68亿只。2018年实现收入逾104亿元，净利润9.40亿元。
（2）扬杰科技（300373.SZ）
扬杰科技成立于 2006年，是国内领先的半导体分立器件公司之一。扬杰科技专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试领域，主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥等，广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等领域。扬杰科技采用 IDM经营模式，是国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体的规模企业。
2019 年扬杰科技分立器件产量 139.64 亿只，占国内分立器件产量比例约1.88%。2019年度扬杰科技实现营业收入20.07亿元，净利润2.20亿元。
（3）苏州固锝（002079.SZ）
苏州固锝成立于 1990年，是国内领先的二极管生产厂商，向全球客户提供包括整流二级管芯片、开关二极管、稳压二极管等总计50多个系列、1500多个品种的产品，应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等领域。苏州固锝在二极管制造方面处于领先地位，掌握两千多种规格二极管芯片的核心技术，整流二极管销售额连续十多年居中国前列。
2019年苏州固锝分立器件产量74.47亿只，占国内分立器件产量比例约1.00%。2019年度苏州固锝实现营业收入19.81亿元，净利润1.38亿元。
（4）华微电子（600360.SH）
华微电子成立于 1999年，是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业。华微电子是国内外知名企业的配套供应商，主营产品包括各类功率半导体器件及 IC 芯片，广泛应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域。
2019年华微电子分立器件产量84.90亿只，占国内分立器件产量比例约1.14%。2019年度华微电子实现营业收入16.56亿元，净利润6,118.14万元。
（5）士兰微（600460.SH）
士兰微成立于1997年，是国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体的企业之一。士兰微主要产品是集成电路和半导体分立器件，应用于LED照明、消费电
子、汽车电子等领域。
2019年度士兰微实现营业收入31.11亿元，净利润-1.07亿元。
（6）华润微（688396.SH）
华润微成立于 2003年，是国内领先的集芯片设计与制造能力于一体的半导体企业之一。华润微聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域，是中国最大的MOSFET厂商，并向客户提供晶圆制造和封装测试服务。截至2020年6月底，已获得授权并维持有效的专利共计1,483项，其中境内专利1,303项、境外专利180项。
2019年华润微分立器件产量 185.48亿只，占国内分立器件产量比例约 2.49%。2019年度华润微实现营业收入57.43亿元，净利润5.12亿元。
（7）乐山无线电
乐山无线电成立于 1971年，是以半导体器件为主产品的综合性电子企业。乐山无线电拥有成都先进功率半导体股份有限公司、乐山-菲尼克斯半导体有限公司、半导体芯片制造分厂、成都蜀芯集成电路设计有限公司、桥式器件生产线等多个独资和合资公司的集团企业。从1993年起，乐山无线电股份有限公司产品销量一直位居中国同行业前列。
依据《中国半导体封装测试产业调研报告（2019 年版）》，乐山无线电拥有分立器件产能255亿只/年，乐山菲尼克斯拥有分立器件产能220亿只/年。
2、说明公司产品的市场地位和核心竞争力
从半导体分立器件的产量来看，2019年度公司半导体分立器件产量占全国半导体分立器件产量的比为1.35%，发行人的产量及市场占有率与可比公司相比不存在重大差异。根据中国电子信息产业统计年鉴数据，2017 年全国规模以上分立器件制造企业共 343 家，行业市场化程度较高，集中度较低，整体而言，公司在国内半导体分立器件行业属于规模较大的企业。
具体来看，小信号器件是公司核心优势产品，作为公司布局较早、具备先发优势的细分产品类别，公司的市场占有率超过 5%，与诸多细分领域龙头客户达成长期稳定合作关系，具有一定的市场影响力，是该领域知名的自主品牌分立器件商；公司在功率器件的市场占有率约为 0.86%（2017年数据），低于可比公司水平，但由于国内半导体功率器件市场市场化程度较高，且自给率较低，因此发行人在功率器件领域仍具有一定影响力。
公司通过长期的行业深耕，在多门类系列化器件设计、部分品种芯片制造、多工艺封装测试等环节均掌握了一系列核心技术，具备较强的根据客户需求进行产品定制，并以多工艺平台满足客户需求能力，公司在小信号器件的产品尺寸、功率器件的功率密度、产品的封装良率、市场端失效率等核心指标方面达到国内领先企业同等水平。
保荐机构总体意见
对本回复材料中的发行人回复（包括补充披露和说明的事项），本保荐机构均已进行核查，确认并保证其真实、完整、准确。
（本页无正文，为《关于常州银河世纪微电子股份有限公司首次公开发行股票并在
科创板上市的审核中心意见落实函之回复报告》之盖章页）
常州银河世纪微电子股份有限公司
年 月 日
发行人董事长声明
本人作为常州银河世纪微电子股份有限公司的董事长，现就本次落实函回复报告郑重声明如下：
本人已认真阅读本次落实函回复报告的全部内容，确认落实函回复报告不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对上述文件的真实性、准确性、完整性承担相应法律责任。
董事长签名：___________________
杨森茂
常州银河世纪微电子股份有限公司
年 月 日
（本页无正文，为中信建投证券股份有限公司《关于常州银河世纪微电子股份有限
公司首次公开发行股票并在科创板上市的审核中心意见落实函之回复报告》之签字
盖章页）
保荐代表人：_______________ _______________
梁宝升 王家海
中信建投证券股份有限公司
年 月 日
关于本次落实函回复报告的声明
本人作为常州银河世纪微电子股份有限公司保荐机构中信建投证券股份有限公司的董事长，现就本次落实函回复报告郑重声明如下：
“本人已认真阅读常州银河世纪微电子股份有限公司本次落实函回复报告的全部内容，了解报告涉及问题的核查过程、本公司的内核和风险控制流程，确认本公司按照勤勉尽责原则履行核查程序，落实函回复报告不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对上述文件的真实性、准确性、完整性承担相应法律责任。”
董事长签名：___________________
王常青
中信建投证券股份有限公司
年 月 日
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