中微半导体设备（上海）股份有限公司
（上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号）
2020年度向特定对象发行A股股票
募集资金运用的可行性分析报告
二〇二〇年八月
一、本次募集资金使用计划
本次向特定对象发行A股股票总金额不超过100亿元（含本数），均为现金认购，本次募集资金总额在扣除发行费用后的净额将用于以下方向：
单位：万元
序号 项目 总投资 募集资金拟投入额
1 中微产业化基地建设项目 317,732.66 317,000.00
2 中微临港总部和研发中心项目 375,582.35 375,000.00
3 科技储备资金 308,000.00 308,000.00
合计 1,001,315.01 1,000,000.00
在上述募集资金投资项目的范围内，公司可根据项目的进度、资金需求等实际情况，对相应募集资金投资项目的投入顺序和具体金额进行适当调整，募集资金到位前，公司可以根据募集资金投资项目的实际情况，以自筹资金先行投入，并在募集资金到位后予以置换。募集资金到位后，若扣除发行费用后的实际募集资金净额少于拟投入募集资金总额，不足部分由公司以自筹资金解决。
二、本次向特定对象发行募集资金投资项目的具体情况
本次向特定对象发行A股股票总金额不超过100亿元（含本数），均为现金认购，本次募集资金总额在扣除发行费用后的净额将用于以下方向：
单位：万元
序号 项目 总投资 募集资金拟投入额
1 中微产业化基地建设项目 317,732.66 317,000.00
2 中微临港总部和研发中心项目 375,582.35 375,000.00
3 科技储备资金 308,000.00 308,000.00
合计 1,001,315.01 1,000,000.00
在上述募集资金投资项目的范围内，公司可根据项目的进度、资金需求等实际情况，对相应募集资金投资项目的投入顺序和具体金额进行适当调整，募集资金到位前，公司可以根据募集资金投资项目的实际情况，以自筹资金先行投入，并在募集资金到位后予以置换。募集资金到位后，若扣除发行费用后的实际募集资金净额少于拟投入募集资金总额，不足部分由公司以自筹资金解决。
（一）募集资金的运用情况
1、项目基本情况
（1）中微产业化基地建设项目
为满足泛半导体设备市场不断增长的需求，充分发挥公司在该领域市场的先发优势，巩固公司在该领域的领先地位，公司计划在上海临港新片区以及南昌市高新区新建生产基地，进一步扩充公司集成电路设备及泛半导体设备产品线产能。
中微临港产业化基地项目地块总占地面积约 157.5 亩，规划总建筑面积约180,000 ㎡；中微南昌产业化基地项目占地面积约130亩，拟新建生产基地建筑面积约140,000 ㎡。
本项目建成并达产后，主要用于生产集成电路设备、泛半导体领域生产及检测设备，以及部分零部件等。
（2）中微临港总部和研发中心项目
本项目将在上海临港新片区建立中微临港总部和研发中心，搭建从产品技术研发、样品制造与模拟测试到大规模工业投产的全周期研发平台。同时，本项目将根据集成电路产业的发展趋势及市场需求，开展高端半导体、泛半导体领域相关产品与设备制造的研发工作。
项目地块总占地面积约25.05亩，规划总建筑面积约105,000 ㎡。
本项目建成后，将成为公司临港总部和研发中心，集办公、研发、试验、服务等功能于一体，从硬件设施层面满足公司集成电路设备、泛半导体设备、关键零部件等的研发需求。
本项目的研发投入将用于新产品的研发工作，除刻蚀设备、薄膜沉积设备等优势产品研发及产业化外，还将开展前瞻性技术研究、推动集成电路生产设备及零部件国产化、推进泛半导体设备产品的研发及产业化等。
（3）科技储备资金项目
为满足公司日益增长的研发项目运营资金需要，本次募集资金中的308,000.00万元为科技储备资金。科技储备资金将用于满足营运资金、研发以及相关产业的扩张等需求。
2、项目经营前景
公司所处的半导体设备行业属于半导体产业链的上游核心环节之一，半导体产业具有“一代设备、一代工艺和一代产品”的特点，半导体产品制造要超前电子系统开发新一代工艺，而半导体设备要超前半导体产品制造开发新一代产品。本次募集资金投资项目系公司在研判国内外市场和客户需求、国际先进技术趋势的基础上制定，以更好地把握集成电路及泛半导体产能转移、进口替代带来的市场机会。公司扩充产能、进一步加大新产品研发投入，符合行业的发展趋势，通过本次募集资金投资项目的实施，公司主营业务与产品的经营前景分析如下：（1）刻蚀设备国内需求持续旺盛
在半导体设备中，晶圆制造设备价值占比达80%，其中，刻蚀设备是晶圆制造设备的重要组成部分，投资占比约为20%。从技术上看，一方面，近年来随着半导体进入22纳米以下多重曝光工艺，CMOS芯片结构更多地采用FinFET结构，对逻辑芯片的工艺流程要求更为复杂；另一方面，存储芯片采用3D NAND结构，要求刻蚀设备和工艺达到极高深宽比等指标，在此背景下，逻辑芯片与存储芯片对刻蚀设备的需求均逐渐升高，刻蚀设备在晶圆产线的设备投资中占比逐渐提升。
此外，受益于本土半导体产能投资扩张，中国大陆半导体设备市场需求高涨，SEMI预计2019年中国大陆将超越韩国位居全球第一大设备市场，2020年中国半导体设备市场规模将达到663.96亿元。国产刻蚀设备经过多年研发创新突破，技术水平已达到国际先进水平，刻蚀设备有望成为半导体设备国产化前沿阵地。公司的等离子体刻蚀设备已应用于国际先进的14纳米、7纳米和5纳米生产线，作为国内领先的刻蚀机设备制造商，公司通过本次募集资金投资项目的实施对刻蚀设备产线、产能进行扩充和产品迭代升级，将更好的满足市场需求。
（2）MOCVD设备国产替代进程加速
公司自主研发的MOCVD设备已被多家领先LED生产厂家使用和认可，根据IHS Markit的统计，2018年公司在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。
受下游市场需求推动，MOCVD设备行业整体预计仍将呈现快速增长态势。公司研发了用于制造深紫外LED的MOCVD设备，并已在行业领先客户端验证成功；用于Mini LED生产的MOCVD设备的研发工作正在有序进行中；另外，制造Micro LED、功率器件等所需的MOCVD设备正在开发中。通过本次募集资金投资项目的实施，公司 MOCVD 设备领域的一系列新产品陆续将实现产业化，MOCVD产线对于公司产能的需求将持续提升。
（3）扩充泛半导体设备新产品线
未来，公司将通过投资、并购等外延式成长途径扩大在集成电路领域及泛半导体领域的产品和市场覆盖，并继续探索核心技术在国计民生中创新性的应用，公司在技术研发方面计划持续投入将不断扩充公司产品线，除了集成电路设备等传统优势产品线，还将包括前道的薄膜设备、检测设备、后道先进封装、MEMS、太阳能、平板显示等领域的泛半导体设备产品。通过本次募集资金投资项目的实施，公司产品线将扩充泛半导体产业链、实现多产品布局，将在一定程度上平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响。
3、与现有业务或发展战略的关系
公司主要从事高端半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED生产、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。本次募集资金投资项目紧紧围绕公司主营业务展开，是公司现有业务的提升和扩充，为公司实现中长期战略发展目标奠定坚实的基础。
本次募集资金投资项目建成后，公司目前的供、产、销等生产经营模式不会发生重大变化，随着各募投项目建成，将进一步扩充公司主要产品的产能、丰富产品结构、降低生产成本，进一步提升公司的竞争能力。其中，中微产业化基地建设项目将进一步扩充公司的产品产能，有助于提高公司产品的市场占有率，从而提高公司的盈利水平；中微临港总部和研发中心项目将为公司研发项目的顺利进行和成果转化提供更有利的硬件设施支持，有助于公司持续推出满足更先进芯片制造工艺的设备，从而不断巩固和提高技术先进性；科技储备资金项目将满足公司研发领域拓展、半导体设备新产品量产、产业外延扩张发展中对资金的需求，逐步拓展主营业务的发展空间，为公司经营发展提供相应的资金保障。
4、项目的实施准备和进展情况
（1）中微产业化基地建设项目
本项目计划总投资额为317,732.66万元。其中，拟投入募集资金317,000.00万元，其余以自筹资金投入，投资明细如下：
项目 投资金额（万元） 拟投入募集资金（万元）
中微临港产业化基地：
土地购置 11,775.00 11,775.00
建设装修 140,000.00 140,000.00
硬件投资 14,812.90 14,800.00
预备费用 11,200.00 11,200.00
铺底流动资金 55,488.51 55,225.00
小计 233,276.41 233,000.00
中微南昌产业化基地：
建设装修 55,000.00 55,000.00
硬件投资 4,837.50 4,800.00
预备费 4,400.00 4,400.00
铺底流动资金 20,218.75 19,800.00
小计 84,456.25 84,000.00
产业化基地项目合计 317,732.66 317,000.00
本项目实施主体为公司或全资子公司。截至本预案公告日，公司已就中微临港产业化基地项目土地与临港管委会签署《合作意向协议书》，具体详见公司于2020年4月29日披露的《关于拟签署投资协议暨购买土地并进行项目建设的公告》（公告编号：2020-028），预计2020年10月通过挂牌出让方式取得该土地。公司拟通过租赁形式取得中微南昌产业化基地所需厂房，预计2020年9月完成租赁协议的签署。
（2）中微临港总部和研发中心项目
本项目总投资额为375,582.35万元，拟使用募集资金投入375,000.00万元，具体投资规划如下：
项目 投资金额（万元） 拟投入募集资金（万元）
土地购置 7,189.35 7,189.00
建设装修 108,000.00 108,000.00
研发项目投入 257,153.00 256,600.00
预备费 3,240.00 3,211.00
合计 375,582.35 375,000.00
本项目实施主体为公司或全资子公司。截至本预案公告日，公司已就项目土地与临港管委会签署《合作意向协议书》，具体详见公司于2020年4月29日披露的《关于拟签署投资协议暨购买土地并进行项目建设的公告》（公告编号：2020-028）。
（3）科技储备资金项目
为满足公司日益增长的研发项目资金需要，公司拟将本次向特定对象发行募集资金308,000.00万元用于科技储备资金。科技储备资金将用于支持公司持续推出新产品、满足公司产业扩张需求以及补充运营资金等。
5、预计实施时间及整体进度安排
序号 项目名称 整体进度安排
中微临港产业化基地涉及受让土地、建设厂房与办公室、购置生
产设备、安装与调试设备等。
中微产业化基 中微南昌产业化基地涉及租赁厂房与办公室、建设装修、购置生
1 地建设项目 产设备、安装与调试设备等。
项目预计实施周期5年，项目计划分以下阶段实施完成，包括：
前期准备、基地建设、厂房租赁、建设装修、设备购置与安装、
员工招聘以及试运营。
本项目将通过新建现代化研究中心，购置研发活动所需的设备或
中微临港总部 系统，对半导体设备、集成电路领域核心技术及泛半导体领域进
2 和研发中心 行研发。
项目预计实施周期5年，项目计划分以下阶段实施完成，包括：
前期准备、基地建设、设备购置与安装、员工招聘以及试运营。
序号 项目名称 整体进度安排
本项目资金将用于满足公司研发项目发展需要、公司持续推出新
3 科技储备资金 产品需要以及公司产业扩张需求等，根据公司具体项目或产品进
展情况适时投入。
6、资金缺口的解决方式
本次向特定对象发行募集资金到位前，公司可以根据募集资金投资项目的实际情况，以自筹资金先行投入，并在募集资金到位后予以置换。募集资金到位后，若扣除发行费用后的实际募集资金净额少于拟投入募集资金总额，不足部分由公司以自筹资金解决。
（二）本次募集资金投资属于科技创新领域
1、本次募集资金服务于实体经济，符合国家产业政策，主要投向科技创新领域
本次募集资金投资项目为设立产业化基地、建设总部和研发中心、科技储备资金，通过项目的实施，公司将进一步扩充集成电路设备及泛半导体领域新产品的产能、提高公司产品的科技创新水平、储备科研资金，以满足公司研发项目发展与业务扩张需求，持续保持公司的科创实力。
集成电路是国家的战略性基础性产业，其技术水平和产业规模已成为衡量国家综合实力的重要标志之一。国内集成电路进口额连续多年超过石油列第一位，充分显示集成电路在国民经济和信息化建设中的地位和重要作用。根据海关总署的数据，仅半导体集成电路产品的进口额从2015年起已连续四年位列所有进口商品中的第一位，不断扩大的中国半导体市场规模严重依赖于进口，中国半导体产业自给率过低，进口替代的空间巨大。建立起自主可控的集成电路产业体系是国家推进战略性新兴产业规模化发展的重点任务之一。
2019年，公司半导体设备出货量保持增长，营业收入同比增加18.77%。在逻辑集成电路制造环节，公司开发的高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于7纳米、5纳米器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求持续进行设备开发和工艺优化。公司研发的用于制造深紫外光LED的MOCVD设备已在行业领先客户端验证成功，用于Mini LED生产的MOCVD设备的研发工作正在有序进行中，制造Micro LED、功率器件等所需的MOCVD设备也在开发中。
公司集成电路设备及泛半导体领域新产品属于高新技术产业和战略性新兴产业。通过本次募集资金投资项目的实施，一方面有助于扩充公司产能，提高现有产品设备市场占有率，另一方面从硬件设施及资金储备层面支持现有产品技术更新和新产品市场开拓，进而支持公司保持在半导体设备领域的领先优势与公司全周期产品线的布局，提升公司科技创新水平。
公司本次募集资金投向不用于持有交易性金融资产和可供出售金融资产、借予他人、委托理财等财务性投资和类金融业务。
2、募投项目促进公司科技创新水平提升
半导体设备行业属于技术密集型行业，具有产品技术升级快、研发投入大、研发周期长等特点。半导体设备领域的研发早于应用层面数年，导致公司的产品布局须早于客户的订单需求，同时随着芯片制程不断缩小，半导体设备的技术高门槛客观上要求高强度研发投入，因此保持高强度研发投入是公司保持核心竞争力的关键。
公司凭借研发团队多年的努力以及持续不断的研发投入，成功研发了具有市场竞争力的半导体刻蚀设备及薄膜沉积设备，并实现了大规模产业化，积累了丰富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、专利储备。
未来，公司将继续保障研发投入强度，以保持公司的领先技术优势。建设中微临港总部与研发中心及募集科技储备资金，将为公司的产品扩张提供必要的硬件设施与资金支持，为研发团队进行行业前沿研究提供更加优越的研发环境与条件，进一步提升研发在公司发展过程中的战略地位，促进公司科技创新水平提升。3、公司的实施能力
（1）技术与人才储备
半导体设备行业属技术密集型行业，需要专业的技术研发团队支持。公司成立以来，以合作共赢的团队精神和全员持股的激励制度，吸引了来自世界各地具有丰富经验的半导体设备专家，现已形成了成熟的研发和工程技术团队和内部人才的培养机制。截至2020年6月末，公司共有研发人员298名，占员工总数的38.40%，涵盖了等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等相关学科的专业人员。凭借研发团队多年的努力以及持续不断的研发投入，公司成功研发了具有市场竞争力的半导体刻蚀设备及薄膜沉积设备，并实现了大规模产业化，积累了丰富的研发和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、专利储备。福布斯发布的“2020中国最具创新力企业榜单”中，公司为五家半导体产业上榜企业之一。
公司技术实力雄厚，核心团队稳定，在自主创新、本地化服务、知识管理等方面有突出表现，能针对市场变化快速反应，具备运营大型生产基地的技术基础和人才团队。
（2）研发技术产业化的能力
公司特别重视核心技术的创新，在开发等离子体刻蚀设备和 MOCVD 设备的过程中，坚持走独立自主开发的路线。公司在设备的研发、设计和制造中始终强调创新和差异化。公司拥有多项自主知识产权和核心技术，截至2020年6月30日，公司已申请1,538项专利，其中发明专利1,350项；已获授权专利1,035项，其中发明专利885项。公司的产品已达到国际先进和国内领先水平。通过多年核心技术的创新积累和产品产业化的经验，公司具备在短期内实现半导体在研设备产业化的能力。
（3）不断扩大的客户基础
公司通过多年潜心积累，已具备一定的客户优势。在逻辑集成电路制造环节，公司开发的高端刻蚀设备已运用在国际知名客户先进的生产线上并用于7纳米、5纳米器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求持续进行设备开发和工艺优化。在3D NAND芯片制造环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备技术可应用于64层的量产，正在开发新一代涵盖128层和更先进关键刻蚀应用的刻蚀设备和工艺，同时公司根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺；公司也根据逻辑器件客户的需求，正在开发更先进刻蚀应用的设备。公司的MOCVD设备Prismo D-Blue、Prismo A7能分别实现单腔14片4英寸和单腔34片4英寸外延片加工能力。公司的Prismo A7设备技术实力突出，已在全球氮化镓基LED MOCVD市场中占据领先地位。公司和诸多一流的LED外延片厂商公司紧密合作，实现了产业深度融合。
经过多年的努力，公司凭借其在刻蚀设备及 MOCVD 设备领域的技术和服务优势，产品已成功进入了台积电、中芯国际、长江存储、海力士、联华电子、华邦电子、格罗方德、博世、意法半导体、三安光电、璨扬光电、华灿光电、乾照光电等国内外知名半导体制造企业，形成了相对国内刻蚀设备企业较强的客户资源优势。
公司在美国市场研究机构VLSI Research举办的2019年度客户满意度调查中连续第二年上榜，在全球晶圆制造设备供应商排名第三，并被评为全球客户满意度达到五星级的五家公司之一。
（4）知识产权管理
公司及其员工严格按照国际知识产权规则处理知识产权事务，视知识产权为公司发展的战略性资源和国际竞争力的核心要素。公司开发的设备产品均采用独特的设计并采取与之相应的专利保护。公司拥有的专利申请和知识产权保障机制，既为公司形成充足的专利保护和技术储备提供了有力的保障，也为募投项目的实
施提供了充足的技术支持。
（5）产品储备
公司已形成三个维度扩展未来公司业务的布局规划：深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会。公司会扩大在刻蚀设备领域的竞争优势，延伸到薄膜、检测等其他关键设备领域；公司会扩展在泛半导体领域设备的应用，布局显示、MEMS、功率器件、太阳能领域的关键设备；公司会探索其他新兴领域的机会，利用独特的设备及工艺技术，考虑从设备制造向器件大规模生产的机会，以及探索更多电子、数码及医疗健康等领域的市场机会。
4、本次募投项目的实施障碍或风险
本次募集资金部分投资项目尚未取得实施用地，土地使用权能否竞得、土地使用权的最终成交价格及取得时间存在不确定性。
5、募集资金投向及存放安排
公司将在募集资金到账前开立三方监管账户专用于本次募集资金的存放，不存在募集资金存放于公司控股股东或实际控制人控制的财务公司的情况。
三、本次募集资金投资项目涉及立项、土地、环保等有关审
批、批准或备案事项
公司本次募集资金投资项目已完成可行性研究报告编制，正在办理备案手续。
公司已就中微临港产业化基地建设项目和中微临港总部和研发中心项目用地签署了意向协议并取得了当地主管部门的证明文件。后续将在履行招拍挂程序后正式取得土地使用权。公司拟通过租赁方式取得中微南昌产业化基地所需厂房，预计2020年9月完成租赁协议的签署。
公司正在编制环境影响评价报告，拟于上述项目进入建设阶段前取得环评批复。
四、募集资金用于研发投入的情形
中微临港总部和研发中心项目的部分资金将用于公司新产品的研发项目。拟研发的主要产品内容如下：
序号 项目名 研发内容 时间 总预 阶段 已取得及预计取得的研发成
称 安排 算 进展 果
本项目面向 3D NAND闪 完成用于3D NAND、DRAM
UD-RI 存和动态随机存取存储器 芯片中的极高深宽比介质刻
E 刻蚀 （DRAM）的大生产线需 2021.01- 研究 蚀设备的开发，取得核心自主
1 设备的 求，开发适用于极高深宽 2025.12 阶段 知识产权、开发两个以上客户
开发及 比介质刻蚀工艺的刻蚀设 /应用，Beta 机通过客户端验
应用 备。 证，工艺结果满足客户要求，
25.72 实现销售。
亿元 完成先进逻辑电路芯片的介
SD-RIE 本项目面向先进逻辑电路 质刻蚀机 Alpha 原型机的设
刻蚀设 芯片中的介质刻蚀关键工 2021.01- 研究 计、制造、测试及初步的工艺
2 备的开 艺需求，开发SD-RIE刻蚀 2025.12 阶段 开发和评估，取得核心自主知
发及应 设备。 识产权，进入多个用户多个应
用 用的采购目录，具备产业化供
货能力。
序号 项目名 研发内容 时间 总预 阶段 已取得及预计取得的研发成
称 安排 算 进展 果
1、研制成功 7-5 纳米的刻蚀
设备并且完成在先进逻辑芯
片生产厂家的评估、实现销
下一代 本项目面向 7-5 纳米以及 售。完成3纳米刻蚀机Alpha
多晶硅 5-3 纳米以下的逻辑芯片 原型机的设计、制造、测试及
刻蚀设 刻蚀工艺、1ZnmDRAM的 初步的工艺开发和评估。
3 备 ICP 前端关键刻蚀工艺，以及 2021.01- 研究 2、完成3D NAND多层台阶
Nanova 3D NAND Flash存储芯片 2025.12 阶段 刻蚀的客户的量产验证，并取
+的 开 的量产等需求，开发下一 得核心自主知识产权、实现销
发及应 代多晶硅刻蚀设备 ICP 售。
用 Nanova+。 3、开发 19-17 纳米以及其它
1Z纳米的DRAM存储芯片用
ICP刻蚀机，达到国际先进水
平。
1、研制成功14纳米以下的逻
下一代 辑芯片双头刻蚀设备并完成
双头多 本项目面向14纳米以下技 客户评估认证、实现销售。
晶硅刻 术节点的FinFET逻辑芯片 2、完成3D NAND多层台阶
蚀设备 和3DNAND存储芯片的刻 2021.01- 研究 刻蚀的客户处的量产验证，并
4 ICP 蚀工艺需求，开发下一代 2025.12 阶段 取得核心自主知识产权、实现
Twin 双头多晶硅刻蚀设备 ICP 销售。
Star+的 TwinStar+。 3、开发20纳米以下的DRAM
开发及 存储芯片用双头ICP刻蚀机，
应用 完成客户在生产线上的验证
并实现销售。
根据公司现有设备的特点，进
ALE原 本项目面向 3 纳米及以下 行可行性实验，经过论证后确
5 子层刻 的高精度下芯片制造需 2021.01- 研究 定技术路线方向，并在此技术
蚀设备 求，开发ALE 原子层刻蚀 2025.12 阶段 路线方向的基础上进行概念
的研发 设备。 机的设计、制造、测试以及初
步的工艺开发和评估。
本项目面向集成电路工艺 完成先进集成电路的HPCVD
HPCV 中的二氧化硅 STI 电隔离 次常压化学气相沉积设备的
6 D 设备 材料沉积、ILD层介质材料 2020.01- 研究 设计、制造、测试及工艺开发；
的研发 沉积、SAB 层介质材料沉 2024.12 阶段 取得核心自主知识产权；完成
及应用 积 等 工 艺 需 求，开 发 客户验证并实现销售，设备具
HPCVD设备。 备产业化供货能力。
序号 项目名 研发内容 时间 总预 阶段 已取得及预计取得的研发成
称 安排 算 进展 果
宽禁带 研发满足宽禁带功率器件外
功率器 本项目致力于开发适应宽 延生长的外延设备，产出的厚
7 件外延 禁带功率器件外延生产的 2021.01- 研究 度均匀性与掺杂均匀性达到
生长设 量产型CVD设备，以满足 2025.12 阶段 国际先进水平，并且开发一套
备的研 产业的需求。 与之相配套的宽禁带材料外
发 延生长工艺。
公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验，这一优势保证了公司产品和服务的不断进步。公司设备产品从设计之初即以产业化为目标，建立了业内先进的设计和需求分析模式，设计之初团队了解客户需求、并结合市场现状进行创新研发。在过程中，公司一直保持着和客户的联系，不断更新客户需求，以保障设计生产的设备适销对路，本次募集资金用于研发投入具备技术可行性。
五、本次发行后公司财务状况、盈利能力及现金流量的变动
情况
（一）本次发行对公司财务状况的影响
本次发行完成后，公司总资产与净资产规模均大幅增加，公司的资金实力将进一步提升，公司资产负债结构更趋合理，有利于增强公司抵御财务风险的能力，为公司的长期持续发展提供良好的保障。
（二）本次发行对公司盈利能力的影响
本次发行募集资金所投资项目的经营效益需要一定时间才能体现，因此本次发行后总股本增加会致使公司每股收益被摊薄。本次募集资金投资项目到账后，将为公司主营业务发展提供长期发展资金，随着公司主营业务进一步做强做大，公司的盈利能力和经营业绩将显著提升。
（三）本次发行对公司现金流量的影响
本次发行后，随着募集资金的到位，公司筹资活动产生的现金流入将大幅增加；随着募集资金投资项目的实施及效益的产生，未来投资活动现金流出和经营活动现金流入将有所增加；随着公司盈利能力和经营状况的完善，公司整体现金流状况将得到进一步优化。
六、募集资金投资项目可行性结论
本次募集资金投资项目符合国家相关产业政策及公司整体发展战略，具有一定经济效益和社会效益，符合公司及全体股东的利益。项目顺利实施后将进一步增强公司的综合竞争实力和持续经营能力，提升公司盈利水平。同时，本次向特定对象发行股票可以提升公司的盈利能力，优化公司的资本结构，为后续业务发展提供保障。
综上所述，董事会认为：本次募集资金投资项目具有可行性、必要性，符合公司及全体股东的利益。
中微半导体设备（上海）股份有限公司
董事会
2020年8月27日
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