关于河南仕佳光子科技股份有限公司
首次公开发行股票并在科创板上市的
发行注册环节反馈意见落实函之回复
中国证券监督管理委员会、上海证券交易所：
河南仕佳光子科技股份有限公司（以下简称“公司”、“发行人”或“仕佳光子”）及华泰联合证券有限责任公司（以下简称“华泰联合证券”、“保荐机构”）收到贵所于 2020 年 6 月 23 日转发的《发行注册环节反馈意见落实函》（以下简称“落实函”），公司已会同华泰联合证券、上海市锦天城律师事务所（以下简称“律师”）、致同会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称“会计师”）进行了认真研究和落实，并按照落实函的要求对所涉及的问题进行了回复，请予审核。
除非文义另有所指，本落实函回复中的简称与《河南仕佳光子科技股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书（注册稿）》（以下简称“《招股说明书》”）中的释义具有相同涵义。
本问询函回复的字体说明如下：
审核问询函所列问题 黑体（不加粗）
对问题的回答 宋体
对招股说明书的修改、补充 楷体、加粗
对招股说明书引用 楷体不加粗
一、关于PLC芯片系列产品。PLC分路器芯片是发行人光芯片业务的主要产品类型，2017年至2019年发行人PLC分路器芯片系列产品收入分别为1.24亿元、1.22亿元、1.10亿元，占发行人同期收入总额的比重约20%。招股说明书中披露，“发行人PLC分路器芯片全球市场占有率第一”，该结论主要是通过引用第三方机构ElectroniCast报告公布的市场规模及发行人PLC芯片的销售数量推算得出。问询函回复中提到的三家PLC芯片的同行业公司（鸿辉光通等）整体收入规模与发行人相当或超过发行人，请发行人说明上述“PLC分路器芯片市场占有率全球第一”的计算口径是否合理、计算依据是否充分，如上述市场占有率的表述不够准确，请在招股说明书中准确披露公司的市场地位。请保荐机构核查后发表意见。
回复：
（一）问询函回复中提到的三家PLC芯片的同行业公司（鸿辉光通等）整体收入规模与发行人相当或超过发行人，请发行人说明上述“PLC 分路器芯片市场占有率全球第一”的计算口径是否合理、计算依据是否充分，如上述市场占有率的表述不够准确，请在招股说明书中准确披露公司的市场地位
1、三家 PLC 分路器芯片同行业公司（鸿辉光通、太辰光、中兴新地）与发行人的进一步比较
（1）发行人与鸿辉光通的进一步比较
①鸿辉光通PLC分路器芯片产能及产销量情况低于发行人
鸿辉光通招股说明书申报稿（2017年11月10日报送）中未披露其PLC分路器晶圆、芯片的产销量情况，仅披露了其 PLC分路器器件的产销量情况，具体如下所示：
单位：万只
产品类别 项目 2017年1-6月 2016年 2015年 2014年
产能 60.00 120.00 120.00 80.00
PLC光分路器 产量 41.66 90.18 159.29 63.91
销量 32.85 102.86 152.47 46.02
假定上述 PLC分路器器件全部使用自产芯片，按照其 2016年的对外销售折算，其 PLC分路器器件折算的 PLC分路器芯片为 102.86万片，低于发行人PLC分路器芯片的销售量。
②鸿辉光通 PLC 分路器芯片核心设备（晶圆段设备）数量少于发行人且后续未发生大规模设备新增投资
根据鸿辉光通招股说明书，其 2017年 6月末 PLC分路器晶圆主要设备与发行人2017年12月末上述设备的对照情况如下：
单位：台
鸿辉光通 发行人
设备用途 （2017年6月30日） （2017年12月31日）
设备名称 数量 设备名称 数量
晶圆芯区 化学气相沉淀设备(PECVD) 1 化学气相沉积（PECVD芯区） 7
生长
晶圆包层 火焰水解沉积设备(FHD) 1 化学气相沉积（PECVD上包） 4
生产
晶圆芯区 刻蚀设备（Silica） 1 刻蚀设备（Silica） 5
刻蚀
晶圆芯区 退火设备（用于PECVD生 1 退火设备（用于PECVD生长 2
退火 长后退火） 芯区后退火）
晶圆包层 退火设备（用于FHD生长后 1 退火设备（用于PECVD生长 6
回流 退火） 上包后退火）
晶圆芯区 晶圆光刻机 1 晶圆光刻机 2
光刻
同时，根据鸿辉光通于新三板披露的2017年、2018年及2019年年度报告，其2017年以来总体新增的机器设备情况如下：
单位：万元
项目 2019年 2018年 2017年
本期增加 499.50 191.62 188.14
而根据鸿辉光通招股说明书，其 PLC分路器晶圆主要设备的购买原值情况如下：
单位：万元
设备用途 设备名称 数量（台） 原值
晶圆芯区生长 化学气相沉淀设备（PECVD） 1 911.28
晶圆包层生产 火焰水解沉积设备（FHD） 1 601.59
晶圆芯区刻蚀 刻蚀设备（Silica） 1 474.94
晶圆芯区退火 退火设备（用于PECVD生长后退火） 1 392.62
晶圆包层回流 退火设备（用于FHD生长后退火） 1 101.32
晶圆芯区光刻 晶圆光刻机 1 139.70
结合鸿辉光通 2017年以来总体新增的机器设备金额以及其 PLC分路器晶圆主要设备的购买原值情况分析，鸿辉光通自 2017年以来未对其 PLC分路器晶圆制造主要设备进行大规模的新增投资。
③鸿辉光通披露的“PLC 分路器及其他光器件”收入明细包含的产品类别较多
在收入明细方面，鸿辉光通未披露 PLC分路器晶圆、芯片或器件的收入明细，按照“PLC 分路器及其他光器件”的口径（根据其招股说明书披露，此处口径包括PLC分路器晶圆、芯片及器件、AWG晶圆及芯片1、VOA可调光衰减器、光纤连接器、FBT光分路器、MPO连接器、V型槽、光纤阵列等）披露收入情况如下：
单位：万元
产品类别 2017年1-6月 2016年 2015年 2014年
PLC分路器及其他光器件 1,490.93 6,175.66 9,511.69 5,448.26
鸿辉光通于新三板披露的2017年、2018年及2019年年度报告中，均未披露 PLC分路器晶圆、芯片及器件的收入明细或产销量数据情况，仍然按照该口径进行披露，具体如下：
单位：万元
产品类别 2019年 2018年 2017年
PLC分路器及其他光器件 9,242.43 4,779.26 4,164.54
根据其公开披露资料，鸿辉光通上述口径包含的产品类别较多。
综上所述，根据鸿辉光通招股说明书披露的过往年度 PLC分路器产销量情况、核心设备数量情况以及后续的设备投资情况分析，报告期内鸿辉光通 PLC1根据鸿辉光通招股说明书，鸿辉光通 2016-2017年研发出 AWG晶圆产品并已实现试生产，但未披露其AWG 晶圆的产能、产销量数据。根据鸿辉光通 2019年年度报告，在经营计划或目标方面，计划“扩充公司晶圆及芯片产能，为AWG晶圆及芯片推向市场做好产能准备”，但未披露AWG晶圆、芯片或器件量产的信息或收入数据。
分路器芯片的产能、产销量低于发行人。
（2）发行人与太辰光的进一步比较
根据太辰光2016年11月披露的《招股说明书》，太辰光主要从事PLC分路器封装业务，其 PLC分路器芯片主要采购自广东瑞芯源技术有限公司（以下简称“瑞芯源”）。
瑞芯源系收购广东尚能光电技术有限公司（原名佛山日海易能光电技术有限公司，以下简称“尚能光电”）主要资产后在其原经营地址设立。尚能光电成立于2011年2月28日，由日海智能（002313.SZ）子公司深圳市日海通讯设备有限公司（以下简称“日海通讯”）与加拿大 Enablence合资设立，日海通讯持股 51%，从事 PLC分路器晶圆及芯片的生产销售。自设立以来，尚能光电的营业收入及净利润情况如下表所示：
单位：万元
项 目 2015年 2014年 2013年 2012年
营业收入 1,790.65 700.05 340.73 266.14
净利润 -5,509.07 -1,622.83 -1,895.25 -1,811.72
2015年度，日海通讯对尚能光电的固定资产进行拍卖。2015年11月，瑞芯源在尚能光电原经营地址设立，主要资产仍为尚能光电对外拍卖固定资产。
2017年8月10日，太辰光发布《对外投资公告》，决定以人民币800万元收购瑞芯源 100%股权。2017年 10月 27日，太辰光发布《关于变更部分募投项目（新增 PLC晶圆生产线）资金用途的公告》，决定对于首发募投项目进行部分变更----新增PLC晶圆生产线，实施方式由外购、自建生产线变更为向全资子公司瑞芯源增资。
根据太辰光 2019年年度报告，募投项目新增 PLC晶圆生产线（改为以收购瑞芯源并增资实现）于2019年12月06日达到预定可使用状态。
2017年、2018年及2019年年度报告中，太辰光未披露过关于PLC分路器晶圆、芯片或器件的产销量数据或收入明细数据。
（3）发行人与中兴新地的进一步比较
根据中兴新地2015年9月《公开转让说明书》，研发项目中“多模集成光分路芯片开发”项目仍处于“小批试制”状态。2015年年度报告中，中兴新地披露“本年度，公司进一步优化了自制光芯片的生产工艺，实现了大批量生产”。2018年8月，中兴新地变更经营范围，在经营范围中增加“光波导芯片”的内容。
2017年、2018年及2019年年度报告中，中兴新地未披露过关于PLC分路器晶圆、芯片或器件的产销量数据或收入明细数据。
报告期内，中兴新地持续向发行人采购 PLC分路器晶圆、芯片，具体金额情况如下：
单位：万元
项 目 2019年 2018年 2017年
PLC分路器晶圆 33.10 19.92 20.84
PLC分路器芯片 - 0.98 11.47
合计 33.10 20.90 32.30
2、发行人“PLC分路器芯片市场占有率全球第一”的依据
（1）发行人PLC分路器芯片市场占有率计算依据为数量占比及原因
PLC 分路器芯片根据封装工序的不断延伸，可以加工至器件（包括祼器件、加接头器件）、模块、设备等，产品价格也从几元/片、几十元/只，到几百元/台，价格差异比较大。而同行业各公司由于产品类别不同，仅从 PLC系列产品整体销售收入规模分析，难以准确体现各公司在芯片方面的市场地位。因此，发行人主要根据PLC分路器芯片的销售量来计算并披露发行人在PLC分路器芯片方面的行业地位。
（2）发行人折算PLC分路器芯片销售量和占有率的方法具有合理性
在折算PLC分路器芯片对外销售时，考虑到发行人同时出售PLC分路器晶圆、芯片及器件产品，发行人进行如下折算：第一、对于晶圆，按照当年发行人自用晶圆的单张晶圆平均生产芯片数量，乘以当年对外销售的晶圆数量，将晶圆折算为芯片数量；第二、对于器件，由于单只 PLC分路器件使用的芯片均为一片，因此将当年对外销售的 PLC器件数量近似按 1:1的关系折算为芯片数量。
ElectroniCast分别于2018年3月和2019年3月公开发布行业报告，2017年和 2018年全球 PLC分路器器件消耗量分别为 3,280万只和 3,348万只。对于2019年全球PLC分路器器件消耗量，ElectroniCast尚未公开发布相关报告。
针对 2017年、2018年的数量，结合发行人自身销售情况，对 PLC分路器芯片占有率的折算过程如下：
项目 2018年度 2017年度
PLC分路器晶圆对外销售量（张） A 17,376 24,604
PLC分路器晶圆自用量（张） B 19,974 11,635
PLC分路器芯片产量（万片） C 980.95 457.91
单张晶圆平均生产芯片数量（片/ D=C/B 491.11 393.56
张）
PLC分路器晶圆对外销售折算芯片 E=A*D 853.36 968.32
数量（万片）
PLC分路器芯片对外销售量（万 F 554.31 187.15
片）
PLC分路器器件对外销售量（万片） G 397.69 333.28
器件与芯片的折算关系 H 1 1
PLC分路器器件对外销售折算芯片 I=G*H 397.69 333.28
数量（万片）
折算后PLC分路器芯片对外销售量 J=E+F+I 1,805.36 1,488.75
全球市场PLC分路器器件数量 K 3,348 3,280
折算后全球市场PLC分路器芯片数 L=K*H 3,348 3,280
量
发行人PLC分路器芯片占有率 M=J/L 53.92% 45.39%
经测算，发行人 2017 年度、2018 年度 PLC 分路器芯片占有率分别为45.39%、53.92%。上述计算方法具有合理性，根据上述计算结果，发行人认定“PLC分路器芯片市场占有率全球第一”具有合理性。
（3）发行人“PLC 分路器芯片市场占有率全球第一”的表述亦有外部第三方证据支撑
① 中国电子元件行业协会光电线缆及光器件分会于 2016 年 5 月编写的《中国光电线缆及光器件行业“十三五”发展规划纲要（2016~2020）》中，对光器件行业“十二五”回顾时，明确指出：
第一、无源产品“晶圆与芯片制造涉及光波导结构设计和半导体制备工艺，由于技术起点高，制备工艺设备价格昂贵，因此，晶圆及芯片长期受制于国外，为日、韩等国垄断。自2010年，我国有几家PLC晶圆生产企业相继成立，1*N、2*N（N=2,4,8,16,32,64,128等）多个规格产品全面推向市场，初步掌握了 PLC晶圆设计、制备工艺及规模化生产技术，PLC 晶圆性能达到国际同类水平。‘十二五’期间，PLC晶圆的突破，特别是光分路器芯片占50%，国内以河南仕佳光子为主。但由于资金密集、技术密集、投入高，产出少，且起步晚，由于日、韩企业的起步早，目前已经完成的设备折旧的费用，国内厂商在竞争中，成本上不具备优势，始终没有形成产业规模的优势。”
第二、细分产业分析“细分市场其中光收发模块类市场为45亿美元，我国光迅占5%，居全球第5位；光放大器市场为5亿美元，我国光迅占10%，居全球第3位；PLC光分路器晶圆及芯片，河南仕佳光子约占全球一半的份额。”
②行业内主要媒体相关报道
标题 时间 来源 相关报道内容
鹤壁市的 PLC光分路器芯片产业化项目是
国内第一个实现光分路器芯片产业化的项
《鹤壁市将率先实 2012年1 讯石光通 目，建成投产后将在国内率先实现 PLC光
现PLC光分路器芯 月 讯网 分路器芯片的自主知识产权研发和规模化
片自主生产》 生产，填补国内空白，并有望成为我国光
集成的生产、研发中心乃至光分路器芯片
方面的生产基地
早在两个月前，韩国芯片厂商已经开始故
《PLC芯片价格大 2015年1 意不放货给大陆厂商，以便找到涨价的理
涨的背后》 月 光纤在线 由。此外，尽管国内厂商仕佳的芯片已经
被在规模采用，但产能仍然不足以满足日
渐增长的需求
《光纤通信50年： 2016年6 在光芯片领域，在无源 PLC分路器领域，
光通信产业发展飞 月 光纤在线 仕佳已经成为全球最大的 PLC分路器芯片
速但仍需努力》 制造商
注 1：讯石光通讯网系讯石信息咨询（深圳）有限公司创办，讯石信息咨询（深圳）有限
公司成立于2001年4月，是以光通信企业为对象的专业化咨询服务机构，在国内光通信行
业具有一定权威性，网址链接http://www.iccsz.com/Site/CN/contact/index.html
注2：光纤在线成立于2001年5月，系服务于中国光纤通信行业的专业垂直门户网站和咨
询机构，是最早的光纤通信中文资讯网站之一，网址链接http://www.c-fol.net/
综上所述，发行人在招股说明书中“PLC 分路器芯片市场占有率全球第一”计算口径合理、计算依据充分，结合外部第三方证据的佐证，发行人对 PLC分
路器芯片的市场占有率和市场地位的表述准确。
（二）保荐机构的核查程序及核查意见
1、核查程序
（1）查阅了鸿辉光通、太辰光和中兴新地的公开披露信息，将发行人与上述三家企业在PLC分路器芯片方面进行比较分析；
（2）查阅 PLC 分路器产品从晶圆、芯片到器件的生产业务流程关系，结合发行人PLC分路器系列产品产销量统计情况，复核发行人折算PLC分路器芯片的计算口径是否合理、计算依据是否充分；
（3）查阅《中国光电线缆及光器件行业“十三五”发展规划纲要（2016~2020）》、讯石光通讯网及光纤在线等第三方资料，分析发行人对于PLC分路器芯片行业地位的表述是否准确。
2、核查意见
经核查，保荐机构认为，发行人关于“PLC分路器芯片市场占有率全球第一”的计算口径合理、计算依据充分，发行人“PLC分路器芯片市场占有率全球第一”的表述准确。
二、关于AWG芯片系列产品。AWG芯片产品主要用于5G前传和数据中心两种场景。招股说明书披露，国内稳定批量生产数据中心AWG芯片产品的厂商主要为发行人，其他国内厂商仍在研发或逐步量产。但同行业公司光迅科技等也已有AWG芯片相关产品。
请发行人说明并披露不同应用场景下的AWG芯片厂家是否存在竞争关系、AWG芯片产能或产线是否与应用场景具有较强的对应关系、在不同应用场景实现切换是否存在较大障碍。并请说明数据中心除使用AWG芯片产品以外，是否存在其他类型或其他技术路线的可替代芯片。请结合上述情况完整披露发行人在AWG芯片产品相关领域的竞争对手和市场地位。
回复：
（一）请发行人说明并披露不同应用场景下的 AWG 芯片厂家是否存在竞争关系、AWG 芯片产能或产线是否与应用场景具有较强的对应关系、在不同应用场景实现切换是否存在较大障碍
1、不同应用场景下的AWG芯片产品不存在竞争关系
发行人不同应用场景下AWG芯片的主要区别如下：
项目 数据中心 骨干网 5G前传
数据中心光模块厂商， DWDM光模块或光设备 WDM模块或基站设备
客户 包括英特尔、索尔思、 厂商，包括Molex、中 厂商
AOI、华工正源等 兴通信、武汉永鼎等
衬底材料 石英衬底或硅衬底，以 硅衬底 硅衬底
石英衬底为主
折射率差 2.0% 0.75% 0.75%
需要解决小尺寸、低损 需要调节上包层B、P 需要通过自由波谱重叠
耗之间制约关系，以及 重掺杂组份减小应力双 设计，调节材料生长折
工艺难点 高掺杂芯区与上包层互 折射，以及解决重掺杂 射率优化色散值，保证
溶的问题 上包层高湿度吸水龟裂 同一通道两个波长的上
的问题 传和下载
注：此处5G前传场景下进行比较的是5G前传用AWG芯片，而非基于AWG封装技术的
波分复用WDM器件
不同应用场景下的 AWG芯片在客户、衬底材料、工艺难点等方面存在较大差异，不存在相互竞争关系。
根据公开披露资料，目前国内能够量产销售（含自用）AWG晶圆、芯片厂商主要为光迅科技、博创科技，其产品为 DWDM AWG 器件，与发行人DWDM AWG器件产品之间存在竞争关系，与发行人数据中心 AWG器件产品之间不存在竞争关系。
2、不同应用场景下AWG芯片产品的设备具有一定共通性，但是工艺技术差异较大，需要在芯片设计、晶圆制造等工艺突破和持续优化后才能实现切换
数据中心AWG芯片与DWDM AWG芯片在晶圆段的设备如芯区生长、刻蚀、光刻等设备可以共用。设备可以共用仅代表工艺路线存在相似性，并不代表能够随意切换。根据发行人DWDM AWG芯片产品、数据中心AWG芯片产品的先后量产经验，不同应用场景下 AWG芯片产品的切换需要满足如下条件：
（1）减小芯片尺寸。在骨干网、城域网和5G用AWG芯片尺寸为44.7mmx 34.4mm，而数据中心AWG芯片尺寸要求更小，一般在10.5 mm x 2.5mm。芯片尺寸的减小，要求在芯片设计中采用更小的弯曲半径、更小的波导尺寸，并且需要重新调整晶圆制造及芯片加工工艺，以兼顾芯片尺寸及性能的匹配关系。
（2）重新制定工艺方案并不断优化。由于不同应用场景 AWG芯片衬底材料不同、折射率差不同，波导宽度和厚度不同，因此针对不同应用场景的AWG芯片需要不同的工艺方案和技术路线。比如发行人在DWDM AWG研制成功并开始逐步量产后，在数据中心 AWG的研制和量产过程中，进行了大量的工艺实验，对材料生长各气体流量比、刻蚀气体流量比及退火温度曲线等工艺方案的诸多方面进行反复探索和不断优化，直到形成新的能够量产的工艺方案，并积累了相应的核心工艺技术。
因此，在实现相关芯片在芯片设计、晶圆制造等环节的新的工艺突破和持续优化后，AWG芯片产能或产线在不同应用场景才可以实现切换；在不具备相应新的工艺技术开发和积累的情况下，AWG芯片产能或产线在不同应用场景难以实现切换。
（二）请发行人说明数据中心除使用 AWG 芯片产品以外，是否存在其他类型或其他技术路线的可替代芯片
1、介质膜滤光片（TFF）与 AWG芯片之间有替代关系，AWG芯片集成化程度更高，符合行业技术演进趋势
介质膜滤光片（TFF）和 AWG芯片均属于光波分复用技术（WDM）技术，对波长进行分割复用/解复用。AWG芯片属于平面型，介质膜滤光片（TFF）属
于介质膜型。AWG芯片与滤光片的技术性能比较情况如下表所示：
项 目 AWG芯片 介质膜滤光片（TFF）
集成度高，一个芯片可完成多个波
长的复用及解复用功能，减少复杂 通道数少时损耗小，波长对温度敏
优点 的组装工艺，有利于降低封装成 感性较低、带宽大
本；损耗不随通道数增加成比例增
加
缺点 波长对温度敏感，密集波分复用下 每个滤光片只能实现一个波长的滤
需要温度控制装置 波，多波长的复用、解复用功能需
要多个滤光片、透明基块以及准直
透镜组装在一起才能实现，导致封
装工艺较为复杂，集成度较低；损
耗随着通道数增加成比例增加
发行人招股说明书（注册稿）在“第六节/二/（四）/5/（2）波分复用技术的下沉和演进”已进行如下披露：
以数据中心为例，随着超大型数据中心数量的增加，平面光路型WDM的应用场景和需求也大幅增加。以CWDM4 100G光模块为例，适用连接距离0.5-2km，每个光模块需要一对4通道AWG芯片（属于平面型）或两组滤波片（属于介质膜型）。随着4通道AWG芯片成本下降及光电集成技术的成熟，目前包括英特尔在内的多家光模块公司已转向使用AWG芯片组装集成方案，预计未来在400G光模块技术中，平面型的AWG方案将成为市场主流。
此外，WDM方案在无线网络建设尤其是5G建设领域的应用也不断加大。目前5G前传6波、12波的方案中，采用以滤波片为主的WDM器件。未来在密集波分复用应用方案下，AWG将逐步得到应用和推广。
由于介质膜滤光片（TFF）针对每一个波长需要设置一个滤光片，集成化程度较低，并且随着波长数量的增加，会导致后续模块封装工艺难度的提升。WDM根据波长间隔可以分为粗波分复用 CWDM和密集波分复用 DWDM。目前数据中心光模块以及5G前传光模块等产品主要以粗波分复用CWDM为主，一般在4 ~12波，在此领域介质膜滤光片（TFF）主要在粗波分复用CWDM技术中与AWG芯片存在一定的替代关系。而密集波分复用DWDM一般为40~48波，在此领域基本为AWG芯片方案，较少采用滤光片方案。
在工信部电子信息司、中国电子元件行业协会于 2017年 12月编写的《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018-2022）》中，明确提出“AWG 是密集波分复用系统（DWDM）中的首选技术。是利用PLC技术在芯片衬底上制作的阵列波导光栅。与介质膜滤光片（TFF）、光纤光栅（FBG）技术相比，AWG具有集成度高、通道数目多、插入损耗小、易于批量自动化生产等优点”。因此《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018-2022）》中将 AWG芯片而
非介质膜滤光片（TFF）列示为核心通信光电子芯片。AWG芯片的特点有利于
提升光器件、光模块的集成度，符合数据中心光模块从100G向200G、400G演
进趋势。发行人 4通道 AWG芯片在数据中心光模块产品领域已成功实现批量
化应用。根据技术演进情况，目前100G数据中心光模块仅部分采用AWG芯片
方案，未来 AWG芯片方案在 200G、400G数据中心光模块将得到更加广泛的
应用。
2、介质膜滤光片（TFF）的主要厂商
（1）统新光讯股份有限公司
统新光讯股份有限公司成立于2003年，位于中国台湾台南市，为台湾证券交易所上市公司（TWSE：6426），主营薄膜滤光片、光学与功能性镀膜加工等，主要应用于电信及数据通信市场，2019年营业收入约1.44亿人民币。
（2）合波光电通信科技有限公司
合波光电通信科技有限公司成立于2006年9月，注册资本5,060.00万人民币，专业从事设计、研发、生产光通信镀膜产品，主要产品包括OSA/Bidi/Triplexer用滤光片、CWDM/LAN WDM filter/Block、全波 CWDM滤光片、窄带滤光片、分光片等。
（3）苏州浩联光电科技有限公司
苏州浩联光电科技有限公司成立于2017年5月，注册资本1,000.00万元人民币，是一家以生产光通讯高端光学薄膜产品为主的公司，主要产品包括光通信窄带滤光片（LanWDM、DWDM）、宽带滤光片、边通滤光片、增益平坦滤光片（GFF）、精密光学滤光片、生物医疗滤光片。
（4）腾景科技
腾景科技股份有限公司成立于 2013年 10月，从事各类精密光学元件、光纤器件研发、生产和销售，产品主要应用于光通信、光纤激光、量子信息科研等领域。根据腾景科技招股说明书申报稿（2020年4月29日申报），腾景科技的产品包括数据中心CWDM滤光片，其数据中心用CWDM滤光片已成为苏州旭创等全球知名光模块厂商的主要供方。腾景科技招股说明书申报稿中未披露其数据中心用CWDM滤光片的销售收入，或者对苏州旭创的销售收入。
（三）请结合上述情况完整披露发行人在 AWG 芯片产品相关领域的竞争对手和市场地位
1、根据上述情况，发行人在招股说明书（注册稿）“第六节/三/（四）/2/（3）不同应用场景下AWG芯片产品之间的竞争关系及产能产线切换可行性”中补充披露如下：
（3）不同应用场景下AWG芯片产品之间的竞争关系及产能产线切换可行性
第一、不同应用场景下的AWG芯片产品不存在竞争关系
发行人不同应用场景下AWG芯片的主要区别如下：
项目 数据中心 骨干网 5G前传
数据中心光模块厂商， DWDM光模块或光设备厂 WDM模块或基站设备厂
客户 包括英特尔、索尔思、 商，包括Molex、中兴 商
AOI、华工正源等 通信、武汉永鼎等
衬底材料 石英衬底或硅衬底，以 硅衬底 硅衬底
石英衬底为主
折射率差 2.0% 0.75% 0.75%
需要解决小尺寸、低损 需要调节上包层B、P 需要通过自由波谱重叠
耗之间制约关系，以及 重掺杂组份减小应力双 设计，调节材料生长折
工艺难点 高掺杂芯区与上包层互 折射，以及解决重掺杂 射率优化色散值，保证
溶的问题 上包层高湿度吸水龟裂 同一通道两个波长的上
的问题 传和下载
注：此处5G前传场景下进行比较的是5G前传用AWG芯片，而非基于AWG封装技术的波分
复用WDM器件
不同应用场景下的AWG芯片在客户、衬底材料、工艺难点等方面存在较大差异，不存在相互竞争关系。
根据公开披露资料，目前国内能够量产销售（含自用）AWG晶圆、芯片厂商主要为光迅科技、博创科技，其产品为DWDM AWG器件，与发行人DWDM AWG器件产品之间存在竞争关系，与发行人数据中心AWG器件产品之间不存在竞争关系。
第二、不同应用场景下AWG芯片产品的设备具有一定共通性，但是工艺技术差异较大，需要在芯片设计、晶圆制造等工艺突破和持续优化后才能实现切换
数据中心AWG芯片与DWDM AWG芯片在晶圆段的设备如芯区生长、刻蚀、光刻等设备可以共用。设备可以共用仅代表工艺路线存在相似性，并不代表能够随意切换。根据发行人DWDM AWG芯片产品、数据中心AWG芯片产品的先后量产经验，不同应用场景下AWG芯片产品的切换需要满足如下条件：
①减小芯片尺寸。在骨干网、城域网和5G用AWG芯片尺寸为44.7mm x34.4mm，而数据中心AWG芯片尺寸要求更小，一般在10.5 mm x 2.5mm。芯片尺寸的减小，要求在芯片设计中采用更小的弯曲半径、更小的波导尺寸，并且需要重新调整晶圆制造及芯片加工工艺，以兼顾芯片尺寸及性能的匹配关系。
②重新制定工艺方案并不断优化。由于不同应用场景AWG芯片衬底材料不同、折射率差不同，波导宽度和厚度不同，因此针对不同应用场景的AWG芯片需要不同的工艺方案和技术路线。比如发行人在DWDM AWG研制成功并开始逐步量产后，在数据中心AWG的研制和量产过程中，进行了大量的工艺实验，对材料生长各气体流量比、刻蚀气体流量比及退火温度曲线等工艺方案的诸多方面进行反复探索和不断优化，直到形成新的能够量产的工艺方案，并积累了相应的核心工艺技术。
因此，在实现相关芯片在芯片设计、晶圆制造等环节的新的工艺突破和持续优化后，AWG芯片产能或产线在不同应用场景才可以实现切换；在不具备相应新的工艺技术开发和积累的情况下，AWG芯片产能或产线在不同应用场景难以实现切换。
2、根据上述情况，发行人在招股说明书（注册稿）“第六节/三/（四）/2/（4）AWG芯片与介质膜滤光片（TFF）的比较情况”中补充披露如下：
（4）AWG芯片与介质膜滤光片（TFF）的比较情况
第一、介质膜滤光片（TFF）与AWG芯片之间有替代关系，AWG芯片集成化程度更高，符合行业技术演进趋势
介质膜滤光片（TFF）和AWG芯片均属于光波分复用技术（WDM）技术，对波长进行分割复用/解复用。AWG芯片属于平面型，介质膜滤光片（TFF）属于介质膜型。AWG芯片与滤光片的技术性能比较情况如下表所示：
项 目 AWG芯片 介质膜滤光片（TFF）
集成度高，一个芯片可完成多个波
长的复用及解复用功能，减少复杂 通道数少时损耗小，波长对温度敏
优点 的组装工艺，有利于降低封装成 感性较低、带宽大
本；损耗不随通道数增加成比例增
加
每个滤光片只能实现一个波长的滤
波，多波长的复用、解复用功能需
缺点 波长对温度敏感，密集波分复用下 要多个滤光片、透明基块以及准直
需要温度控制装置 透镜组装在一起才能实现，导致封
装工艺较为复杂，集成度较低；损
耗随着通道数增加成比例增加
由于介质膜滤光片（TFF）针对每一个波长需要设置一个滤光片，集成化程度较低，并且随着波长数量的增加，会导致后续模块封装工艺难度的提升。WDM根据波长间隔可以分为粗波分复用CWDM和密集波分复用DWDM。目前数据中心光模块以及5G前传光模块等产品主要以粗波分复用CWDM为主，一般在4 ~12波，在此领域介质膜滤光片（TFF）主要在粗波分复用CWDM技术中与AWG芯片存在一定的替代关系。而密集波分复用DWDM一般为40~48波，在此领域基本为AWG芯片方案，较少采用滤光片方案。
在工信部电子信息司、中国电子元件行业协会于2017年12月编写的《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018-2022）》中，明确提出“AWG是密集波分复用系统（DWDM）中的首选技术。是利用PLC技术在芯片衬底上制作的阵列波导光栅。与介质膜滤光片（TFF）、光纤光栅（FBG）技术相比，AWG具有集成度高、通道数目多、插入损耗小、易于批量自动化生产等优点”。因此《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018-2022）》中将AWG芯片而非介质膜滤光片（TFF）列示为核心通信光电子芯片。AWG芯片的特点有利于提升光器件、光模块的集成度，符合数据中心光模块从100G向200G、400G演进趋势。发行人4通道AWG芯片在数据中心光模块产品领域已成功实现批量化应用。根
据技术演进情况，目前100G数据中心光模块仅部分采用AWG芯片方案，未来
AWG芯片方案在200G、400G数据中心光模块将得到更加广泛的应用。
第二、介质膜滤光片（TFF）的主要厂商
①统新光讯股份有限公司
统新光讯股份有限公司成立于2003年，位于中国台湾台南市，为台湾证券交易所上市公司（TWSE：6426），主营薄膜滤光片、光学与功能性镀膜加工等，主要应用于电信及数据通信市场，2019年营业收入约1.44亿人民币。
②合波光电通信科技有限公司
合波光电通信科技有限公司成立于2006年9月，注册资本5,060.00万人民币，专业从事设计、研发、生产光通信镀膜产品，主要产品包括OSA/Bidi/Triplexer用滤光片、CWDM/LAN WDM filter/Block、全波CWDM滤光片、窄带滤光片、分光片等。
③苏州浩联光电科技有限公司
苏州浩联光电科技有限公司成立于2017年5月，注册资本1,000.00万元人民币，是一家以生产光通讯高端光学薄膜产品为主的公司，主要产品包括光通信窄带滤光片（LanWDM、DWDM）、宽带滤光片、边通滤光片、增益平坦滤光片（GFF）、精密光学滤光片、生物医疗滤光片。
④腾景科技
腾景科技股份有限公司成立于2013年10月，从事各类精密光学元件、光纤器件研发、生产和销售，产品主要应用于光通信、光纤激光、量子信息科研等领域。根据腾景科技招股说明书申报稿（2020年4月29日申报），腾景科技的产品包括数据中心CWDM滤光片，其数据中心用CWDM滤光片已成为苏州旭创等全球知名光模块厂商的主要供方。腾景科技招股说明书申报稿中未披露其数据中心用CWDM滤光片的销售收入，或者对苏州旭创的销售收入。
三、DFB芯片系列产品。发行人对于DFB芯片系列产品行业竞争地位的表述为“DFB激光器芯片掌握一次外延至芯片制造的完整工艺”，主要研发成功并已启动产品导入工作的DFB激光器芯片包括1270nm 2.5G DFB激光器芯片、1270nm 10G DFB激光器芯片、大功率CW DFB激光器芯片和10G CWDM DFB激光器芯片。通过与陕西源杰同类产品技术参数对比，得出发行人与同行业竞争对手技术性能基本一致的结论。
同行业公司光迅科技、博创科技等公司在年报及相关公告中披露期目前已经量产传输速率为10Gb/s的DFB芯片产品，其中光迅科技披露其10Gb/s速率的光芯片2019年已经规模化量产并商业化使用，25Gb/s部分产品预计2020年下半年开始商业化应用。
请发行人说明DFB芯片产品的技术水平在同行业中的竞争地位，就核心技术指标与国内竞争对手进行对比，并说明发行人DFB芯片产品是否存在因技术更新迭代而被替代的风险，发行人DFB芯片产品的技术水平和竞争地位对本次募投项目（AWG、DFB产品线）的实施是否有重大影响，如存在重大风险请进行重大事项提示。请保荐机构核查并发表意见。
回复：
（一）请发行人说明DFB芯片产品的技术水平在同行业中的竞争地位，就核心技术指标与国内竞争对手进行对比，并说明发行人DFB芯片产品是否存在因技术更新迭代而被替代的风险，发行人DFB芯片产品的技术水平和竞争地位对本次募投项目（AWG、DFB 产品线）的实施是否有重大影响，如存在重大风险请进行重大事项提示
1、影响DFB激光器芯片的性能和工艺要求的因素较多
DFB激光器芯片属于光通信行业的核心通讯光源，应用领域较广，芯片产品的类别亦较为复杂，细分类别众多，涉及DFB激光器芯片的性能和技术壁垒的维度较多，具体如下所示：
因素 概述 工艺要求 发行人情况
发行人InP基多量子阱外延
技术 已 具 备 应 变 补 偿
AlInGaAs 量子阱实现高微
对于直接调制 DFB 激光 通常速率越高，设计制作加工难 分增益的外延制作，在短腔
器芯片，对于同一波长， 度越大，排巴镀膜、抗静电、高 长 DFB 激光器的设计和工
速率越高通常被认为性能 温工作难度都将大大增加；同时 艺技术方面也在不断积累和
速率 越 好，常 用 速 率 包 括 速率越高、有源区的腔长越短， 优化。除目前正在对客户开
1.25G、2.5G、10G、 需要有短有源区腔长制作工艺技 展产品导入的各种型号规模
25G，目前50G DFB激光 术以及生长高微分增益材料外延 的 2.5G、10G DFB 激光器
器芯片正在研发过程中， 等工艺能力 芯片外，发行人于 2020 年
50G基本达到理论极限 5 月完成 1350nm、1370nm
25G DFB 激光器芯片样品
研发，并于2020年 6月开
始向下游客户送样测试
不同应用场景具有不同的 同一速率，不同波长 DFB激光器 发行人InP基多量子阱外延
波长要求或者波长标准， 芯片在外延材料和光栅上都有较 技术能够实现新波长产品如
波长 而不同波长产品由于生产 大差异。需求量新增较为明显的 在低缺陷1270nm DFB外延
技术成熟度的差异，对工 产品如 1270nm DFB 激光器芯 材料制作，在增益峰波长控
艺细节要求相差较大。比 片，与 1310nm、1550nm 产品相 制方面有优势；
如 波 长 为 1310nm、 比，有源层中AlGaInAs的组分比 发行人高精度布拉格光栅制
因素 概述 工艺要求 发行人情况
1550nm的 DFB激光器芯 例中需要增加含Al量以保证禁带 作及波长精准控制技术可精
片已在之前广泛应用，产 宽度与激发波长一致，需要有相 准制作不同周期的DFB光
业链配套相对成熟，有独 应的外延材料生长工艺和更短周 栅
立的外延片生产商直接提 期的光栅制作工艺予以支撑
供外延片。1270nm DFB
激 光 器 芯 片 系 在 10G
PON 和 4G/5G Bidi 等标
准确立，才确定规模化使
用，尤其在 2019 年启动
的下一代光纤到户中需要
大量的1270nm DFB激光
器芯片，属于新近出现的
市场需求
围绕硅光应用需求的CW
DFB光源，发行人InP基多
DFB激光器芯片还分为直 量子阱外延技术能够实现连
接调制和外调制。直接调 连续波CW DFB激光器芯片需要 续波大功率DFB激光外延
制到50G基本达到理论极 优化可减小光限制因子的量子阱 制作，采用少数量的量子阱
调制方式 限；未来外调制是主要发 结构，解决低损耗掺杂技术，以 降低光限制因子，应用δ掺
展方向，代表性的有电吸 及大功率下空间烧孔工艺难题， 杂技术实现了低损耗的外
收调制器和硅光调制器 从而实现小发散角降低耦合损 延，同时采用高精度布拉格
等，均需要连续波 CW 耗，以及较大的出光功率 光栅制作技术制作了CPM
DFB激光器芯片作为光源 光栅降低了空间烧孔，实现
DFB75℃以上的高温高功
率工作
发行人InP基多量子阱外延
特定电流点的功率是激光 技术采用渐变掺杂设计生长
器的重要指标，斜率效率 大功率或者高斜率效率要求外延 出了低损耗的外延层，精确
在不同的芯片需求场合要 材料的损耗做得足够低，需要精 外延生长光栅层的组分和厚
功率或者 求不同。比如对于同样波 准的外延掺杂控制和良好的量子 度；通过高精度布拉格光栅
斜率效率 长如 1270nm，下一代光 阱质量，同时光栅耦合系数等都 制作及波长精准控制技术的
纤到户应用的 XGS-PON 要做的合适，对光栅厚度、组合 光栅腐蚀停止方案实现精确
就比Bidi应用要求的斜率 控制等有较高的要求 的光栅耦合系数控制，有利
效率高很多 于大功率或高效率的 DFB
激光器芯片的生产制作
发行人InP基多量子阱外延
在外延材料生长方面需要远场减 技术中通过外延模式扩展层
发散角度越小越好，水平 小的设计结构，在器件工艺方面 实现了近场光斑增大，有助
方向和垂直方向越对称越 需要考虑近场扩展，解决对接生 于减少了远场发散角；发行
发散角 好，可以降低下游器件及 长模斑转换材料层工艺问题，或 人新型倒台脊形波导结构及
模块的耦合难度和封装成 者模式扩展新结构，以实现光斑 DFB 激光器芯片制作技术
本 下拉 通过采用波导限制及掩埋对
称光斑方案实现了小发散角
DFB制作
DFB激光器芯片的工作温 发行人 InP基多量子阱外延
度 包 括 商 业 温 度 工作温度范围越大，材料增益峰 技术通过非一致量子阱技术
（0~70℃）、扩展温度（- 波长与DFB波长之间的温度漂移 实现了宽增益光谱材料生
工作温度 20℃~85℃）、工业温度 差越大，工艺中需要解决两者之 长，可降低增益峰与 DFB
（-40℃~85℃），工作温 间的匹配问题 波长间的匹配难度，实现宽
度覆盖范围越大，应用场 温工作
所越广
综上所述，DFB激光器芯片的应用场景较多，评价DFB激光器芯片的性能水平和工艺要求的因素较多，高速率是直接调制DFB激光器芯片的重要指标，也是国内光通信行业目前重点突破的方向，另一方面，扩展应用波长、外调制大功率 CW DFB激光器芯片、小发散角 DFB激光器芯片是光通信行业开发热点方向。
发行人通过掌握 DFB 激光器芯片一次外延至芯片制造的完整工艺，以及InP基多量子阱外延技术、高精度布拉格光栅制作及波长精准控制技术、新型倒台脊形波导结构及DFB激光器芯片制作技术等核心技术，不断提升产品竞争力：在速率方面，除目前正在对客户开展产品导入的各种型号规模的 2.5G、10GDFB激光器芯片外，发行人于2020年5月完成1350nm、1370nm 25G DFB激光器芯片样品研发，并于2020年6月开始向下游客户送样测试；在新需求的波长（如1470nm-1570nm）、外调制用大功率DFB（连续波CW）、小发散角、宽工作温度范围方面，发行人积累了自身的技术特点和优势。此外，发行人通过掌握 MQW有源区设计、MOCVD外延、电子束光栅、芯片加工直至耦合封装的全产业链，不仅能够推动对下游客户的产品导入进度，也使得发行人能够紧跟行业前沿需求、持续提升产品竞争力。
2、国内同行业上市公司 DFB 激光器芯片的研发及量产进展情况，以及核心技术指标对比情况
DFB激光器芯片在光通信行业数据中心市场以及电信市场均有广泛的应用，对于我国未来数据中心建设、5G建设以及千兆网络的升级有着重要意义。但与
此同时，DFB激光器芯片技术长期被美国、日本等发达国家掌握，整体上看，
包括发行人在内的国内光通信企业（含自主芯片业务）与国外行业领先企业如
安华高（Avago）、奥兰若（Oclaro）、Macom、日本三菱、日本古河等在技术
水平上仍然有较为明显的距离，包括发行人在内的国内光通信企业都在努力缩
短与国外企业的差距。由于DFB激光器芯片产品的类别较为复杂，细分类别众
多，国内企业根据自身技术储备及客户结构，选择不同型号DFB激光器芯片产
品开展差异化的研发和量产工作，以应用不同的细分领域。目前DFB激光器芯
片的下游国内客户出于供应链安全考虑，正在积极推动国产化替代进程，为国
内DFB激光器芯片厂商创造了良好的市场机遇。
（1）光迅科技最近五年公开披露的DFB激光器芯片研发及量产进展情况
单位：万元
项目 2019年 2018年 2017年 2016年 2015年
营业收入 533,791.57 492,904.93 455,306.70 405,921.46 313,997.87
DFB激光器芯 未披露 未披露 未披露 未披露 未披露
片产品收入
1、2015年年度报告披露，10G DFB通过可靠性验证；
2、2017年8月，在投资者互动中披露，“EML、DFB芯片主要是10Gbp及以下速率
的，25Gbps及以上速率的芯片在处在研发与工程化阶段”；
3、2017年年度报告披露，10G DFB全系列芯片实现商用，已布局25G DFB芯片开发；
研发及量产进 4、2018年年度报告披露，完成高速25G系列芯片开发；
展 5、2019年9月，在投资者互动中披露，“光迅25G DFB光芯片研发均按内部进度执
行，部分波长的样品已经提供客户验证”；
6、2019年12月，在投资者互动中披露，“5G中传模块激光器芯片主要是25Gb/s EML
和DFB芯片，目前公司相关芯片正处于小批量验证或客户验证阶段”；
7、2020年5月，在投资者互动中披露，“有关25G全系列的芯片公司都在研发，公司
芯片目前只用于自用，没有对外销售”
根据最近五年的公开披露信息，光迅科技披露了其DFB激光器芯片的研发进展，同时光迅科技该类芯片以自用为主，未披露过产销量数据和收入明细数据。
（2）博创科技最近五年公开披露的DFB激光器芯片研发及量产进展情况
单位：万元
项目 2019年 2018年 2017年 2016年 2015年
营业收入 40,717.16 27,511.09 34,923.67 31,763.02 23,726.24
DFB激光器芯 未披露 未披露 未披露 未披露 未披露
片产品收入
研发及量产进展 未披露过开展DFB激光器芯片研发工作的信息
根据最近五年的公开披露信息，博创科技在有源器件产品方向主要从事光收发模块的研发和量产工作，未提及其开展DFB激光器芯片的研发工作，也未披露过关于DFB激光器芯片的产销量数据和收入明细数据。
（3）华工科技最近五年公开披露的DFB激光器芯片研发及量产进展情况
单位：万元
项目 2019年 2018年 2017年 2016年 2015年
营业收入 546,024.55 523,283.89 448,055.28 331,369.92 261,955.31
DFB激光器芯片 未披露 未披露 未披露 未披露 未披露
产品收入
1、2018年年度报告披露，发起设立云岭光电，向上延伸光通信产业链，10G光芯片成
研发及量产进展 功实现量产，25G光芯片及器件已完成优化设计（注1）；
2、2019年年度报告披露，10G光芯片产品已实现批量供货，获得了大客户认可，25G
接收芯片已具备量产能力，25G发射芯片正在进行测试评估，实现了光通信芯片的国
产化
注1：未明确芯片类型是否为DFB激光器芯片
（4）发行人DFB激光器芯片与国内同行业公司核心技术指标对比情况
目前国内厂商DFB激光器芯片基本处于持续研发和逐步量产阶段，对于各自DFB激光器产品的规格文件、性能指标等，基本上都未予以公开。因此，发行人未检索到关于光迅科技、博创科技或华工科技等国内同行业上市公司的DFB激光器芯片的产品规格资料。
目前发行人能够取得的国内厂商同类产品规格书为陕西源杰 1270nm 2.5GDFB激光器芯片、10G CWDM DFB激光器芯片产品规格书，具体对比情况如下：
第一、1270nm 2.5G DFB激光器芯片技术指标对比情况
技术指标 发行人 陕西源杰
阈值Ith@25℃ 15mA 12mA
功率值@Ith+20mA,25℃ 9mW 9mW
高温功率值@Ith+20mA 5.4mW@95℃ 5.4mW@85℃
工作温度 -20℃~95℃ -20℃~85℃
最大水平发散角 24° 26°
最大垂直发散角 28° 30°
-3dB带宽最小值@25℃ 4GHz 2.5GHz
是否免隔离器 可以实现 可以实现
注1：该芯片关键是功率指标，芯片设计实现反射光不灵敏可以减少隔离器的使用，降低综合成本。
注2：陕西源杰半导体技术有限公司成立于2013年，是一家自主研发、生产和销售从2.5G到10G的半导体激
光器芯片的高新技术企业。官方主页为http://www.yj-semitech.com/。
与陕西源杰同类产品相比，发行人1270nm 2.5G DFB激光器芯片在阈值指标方面略有不足，在高温功率值、工作温度及带宽等指标方面略有优势，其他指标基本一致。
第二、10G CWDM DFB激光器芯片技术指标对比情况
关键参数 发行人 陕西源杰
阈值最大值@25℃ 10mA 12mA
阈值最大值@85℃ 25mA 25mA
斜率效率最小值@25℃ 0.275 0.25
斜率效率最小值@85℃ 0.155 0.15
工作温度范围 C\I温度 C\E\I温度
-3dB带宽最小值， 12GHz 9GHz@25℃@Ith+20mA
@25℃@Ith+20mA
1270nm、1290nm、 1270nm、1290nm、
可以支持的波长 1310nm、 1310nm、
~1610nm ~1530nm
注1：该芯片关键点为-3dB带宽，在越低功率下带宽越高可以实现的调制速率更高。C温度代表商业温度-5℃
~70℃，E温度代表扩展温度-20℃~85℃，I温度代表工业温度-40~85℃
与陕西源杰产品相比，发行人 10G CWDM DFB激光器芯片在阈值、斜率效率、带宽等指标方面略有优势，其他指标基本一致。
3、发行人目前 DFB 激光器芯片的技术水平和竞争地位，以及对本次募投项目实施的影响
（1）发行人 DFB 激光器芯片的研发以及产品导入进展顺利，因技术更新迭代而被替代的风险较低
目前发行人主要研发成功并已启动产品导入工作的 DFB 激光器芯片包括1270nm 2.5G DFB激光器芯片、1270nm 10G DFB激光器芯片、大功率CW DFB激光器芯片和10G CWDM DFB激光器芯片，具体情况如下：
序号 型号 应用场景 产品主要优势 产品导入进展 备注
1270nm DFB 激光器芯 已通过国内主流厂商对
1270nm2.5 下一代光纤到 片，主要用于下一代光 产品的性能检测，并完
1 G DFB激 户（XG-PON） 纤到户的 ONU 端产 成客户1的产品导入，
光器芯片 品，属于新近出现的需 2020年3月开始小批量 2019年3
求，市场空间良好。 销售 月起，与
发行人通过 InP 基多量 国内主流
子阱外延技术、高精度 厂商签署
布拉格光栅制作及波长 《合作备
精准控制技术、新型倒 忘录》以
台脊形波导结构及 DFB 及《技术
1270nm 下一代光纤到 激光器芯片制作技术等 已通过国内主流厂商对 开发合
2 10G DFB 户（XGS- 核 心 技 术 实 现 了 产品的性能检测，正在 同》，为
激光器芯片PON、10G 1270nm 产品的研制和 开展对客户1的产品导 国内主流
EPON） 逐步量产，实现功率 入 厂商开发
高、发散角小等技术特 并优先向
点，同时实现免隔离器 其供应
设计，能够在不影响性
能的情况下降低下游厂
商的封装成本
大功率CW 大功率CW DFB激光器 已通过国内主流厂商对
3 DFB激光 数据中心 芯片属于外调制用芯 产品的性能检测，正在 无
器芯片 片，发行人通过 InP 基 开展对客户2的产品导
多量子阱外延技术等， 入；开始向AOI、思科
序号 型号 应用场景 产品主要优势 产品导入进展 备注
根据长腔低耦合系数设 进行产品送样
计，解决了含Al材料的
高温损耗问题，实现
75mW 内无扭折的功率
输出，与下一代数据中
心技术路线吻合，未来
能够应用于800G、1.6T
光模块产品
过往无线网络使用的
DFB 激光器芯片主要波
长为 1310nm、1330nm
等 O波段为主，较少使
用1470nm-1570nm等的
10G 波长。发行人通过 InP
CWDM 基多量子阱外延技术、
4 DFB激光 5G建设 高精度布拉格光栅制作 开始启动产品送样工作 无
器芯片 及波长精准控制技术等
核心技术，制作出了长
波长（ 1470nm-1610nm
长 波 领 域）的 10G
CWDM DFB 激光器芯
片的，并且能够匹配工
业温度范围使用
发行人通过掌握 DFB 激光器芯片一次外延至芯片制造的完整工艺，以及InP基多量子阱外延技术、高精度布拉格光栅制作及波长精准控制技术、新型倒台脊形波导结构及DFB激光器芯片制作技术等核心技术，不断提升产品竞争力：在速率方面，除目前正在对客户开展产品导入的各种型号规模的 2.5G、10GDFB激光器芯片外，发行人于2020年5月完成1350nm、1370nm 25G DFB激光器芯片样品研发，并于2020年6月开始向下游客户送样测试；在新需求的波长（如1470nm-1570nm）、外调制用大功率DFB（连续波CW）、小发散角、宽工作温度范围方面，发行人积累了自身的技术特点和优势。此外，发行人通过掌握 MQW有源区设计、MOCVD外延、电子束光栅、芯片加工直至耦合封装的全产业链，不仅能够推动对下游客户的产品导入进度，也使得发行人能够紧跟行业前沿需求、持续提升产品竞争力。因此发行人DFB激光器芯片产品因技术更新迭代而被替代的风险较低。
（2）发行人DFB激光器芯片收入实现情况
报告期内，发行人DFB激光器芯片收入情况如下：
单位：万元
项目 2019年度 2018年度 2017年度
DFB晶圆加工费 244.69 61.85 -
合计 244.69 61.85 -
2018年、2019年，发行人与国内主流厂商、客户3等合作，为其提供DFB激光器晶圆加工、光学镀膜加工等服务。该部分收入由于仅针对部分工序，工艺成熟度较高，发行人将该部分收入确认为DFB激光器芯片收入。
截至2020年1月1日至6月20日，发行人DFB激光器芯片（不包含器件）新获取订单及交付情况（不含税）如下表所示：
单位：万元
序号 客户名称 新获取订单情况 已执行情况
1 客户1 330.06 74.71
2 国内主流厂商 119.10 11.03
3 NIHONDENKEICO.,LTD 33.98 -
4 深圳市亚美斯通电子有限公司 19.96 11.11
5 日照市艾锐光电科技有限公司 19.14 5.29
6 客户3 17.96 17.96
7 其他 59.44 29.10
合计 599.63 149.19
根据发行人报告期内DFB激光器芯片收入实现情况，以及2020年1月至6月 20日新获取订单以及已执行情况分析，发行人 DFB激光器芯片的产品导入进展顺利，收入呈快速增长态势。
（3）发行人DFB激光器芯片产品下游应用场景市场空间较大
发行人上述DFB激光器芯片下游应用场景的市场空间良好，具体情况如下：
第一、发行人1270nm 2.5G及10G DFB激光器芯片主要应用在下一代接入网，如 10G PON、WDM-PON 方面。根据 Lightcounting 的统计和预测，10GPON市场规模将持续扩大。
资料来源：Lightcounting
图1：全球FTTH光器件销售额规模及预测（单位：百万美元）
第二、发行人大功率CW DFB激光器芯片主要应用于硅光外调制方案数据中心光模块中。根据Lightcounting的统计和预测，2020年起100G数据中心光模块市场规模将维持在 25亿美元左右，200G、400G数据中心光模块市场规模将迅速提升，2023年400G数据中心光模块市场规模将接近30亿美元。
资料来源：Lightcounting
图2：全球数据中心光模块销售额规模及预测（单位：百万美元）
关于数据中心光模块的市场规模情况，具体参见本题前述对于数据中心AWG芯片产品市场空间的分析。
第三、发行人开发10G CWDM DFB激光器芯片覆盖1470nm-1610nm长波领域，主要应用于 5G 无线网络建设。关于无线网络光模块的市场规模情况，根据讯石信息咨询《全球光通讯市场分析及预测（2020）》，由于国内 5G 牌照的提前半年发放，国内三大运营商 5G部署加速，2019年全球无线前传和回传应用光模块销售额翻了一番以上。2020 年，中国三大运营商预计部署 60-80万站5G基站。根据三大运营商的5G发展规划，2021-2023年将是国内5G建设高峰期，2022年达到顶峰，即三大运营商将在未来两三年内完成 5G大部分承载网部署。因此，2020-2023年将是 5G无线需求发展的高峰期，该板块的强劲需求也将成为光器件市场发展的主要驱动力之一。根据 Lightcounting的统计和预测，随着5G建设开展，无线网络光模块市场规模将恢复增长，预计2023年将接近10亿美元。
资料来源：Lightcounting
图3：无线网络光模块销售额规模及预测（单位：百万美元）
（4）国内光设备、光模块厂商出于供应链安全考虑，国产化替代需求也较为强烈
根据工信部电子信息司、中国电子元件行业协会于 2017 年 12 月编写的《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018-2022）》，在光通信产业中，国内企业目前在光通信设备、光纤光缆等领域已经有了长足的发展，涌现出包括华为、中兴通讯、烽火通信、长飞光纤、中航光电等一批优秀企业，在全球范围内都有着较强的竞争力。然而在光芯片、光器件/光模块领域，我国仍然处于追逐者的位置，光通信高端核心芯片90%以上需要进口。
近年来，受国际局势影响，尤其是华为、中兴通讯等国内一线厂商在电芯片、光芯片等采购方面屡屡受到不利影响。因此，目前国内光设备、光模块厂商出于供应链安全考虑，国产化替代需求较为强烈，为国内拥有自主光芯片能力的企业创造了更好的市场机遇。
综上所述，发行人通过掌握DFB激光器芯片一次外延至芯片制造的完整工艺，以及 InP基多量子阱外延技术、高精度布拉格光栅制作及波长精准控制技术、新型倒台脊形波导结构及 DFB 激光器芯片制作技术等核心技术，在速率（除 2.5G、10G产品外，1350nm、1370nm 25G产品已完成研发并开始送样）、新需求的波长（如1470nm-1570nm）、外调制用大功率DFB（连续波CW）、
小发散角、宽工作温度范围方面，发行人积累了自身的技术优势，并得到国内
主流厂商的认可，产品导入进展顺利，收入保持快速增长态势，DFB激光器芯
片产品因技术更新迭代而被替代的风险较低。同时发行人上述DFB激光器芯片
下游应用场景的市场空间良好，国内下游厂商出于供应链安全考虑，国产化替
代需求也较为强烈。
因此，通过对发行人DFB芯片产品的技术水平、竞争地位以及未来的产品需求情况的分析，发行人本次募投项目的实施不存在重大风险。
4、招股说明书补充披露情况
（1）在招股说明书“第六节/一/（二）/3、DFB 激光器芯片系列产品”中补充披露如下：
截至本招股说明书签署日，公司针对DFB激光器芯片已建立了包含外延生长、光栅制作、条形刻蚀、端面镀膜、划片裂片、特性测试、封装筛选和芯片老化的完整工艺线。经过持续的研发投入和工艺优化，公司已经成为国内少数掌握MQW有源区设计、MOCVD外延、电子束光栅、芯片加工、直至耦合封装的全产业链DFB激光器芯片生产企业，在速率（除2.5G、10G产品外，1350nm、1370nm 25G产品已完成研发并开始送样）、新需求的波长（如1470nm-1570nm）、外调制用大功率DFB（连续波CW）、小发散角、宽工作温度范围方面，公司积累
了自身的技术优势，并得到国内主流厂商的认可。
（2）在招股说明书“第六节/一/（四）主营业务及主要产品变化情况”中补充披露如下：
光芯片种类 应用领域 具体进展情况
?2018年，2.5G 、10G DFB激光器芯片研制成功
接入网 ? 2019年，已通过国内主要厂商性能测验，目前仍在产
品导入过程中
?2019年，工业温度25G DFB立项，目前正处于内部设计
5G网络 验证阶段
DFB激光器芯 ? 2020年，5月完成1350nm、1370nm 25G DFB激光器芯片
片 样品研发，6月开始向下游客户送样测试
?2018年，大功率CW DFB激光器芯片研制成功；2019
年，已通过国内主要厂商性能测验，目前仍在产品导入
数据中心 过程中
?2019年，商业温度25G DFB立项，目前正处于内部流片
验证阶段
（3）在招股说明书“第六节/三/（一）/3、DFB 激光器芯片掌握一次外延至芯片制造的完整工艺”中补充披露如下：
针对DFB激光器芯片，公司已建立了包含外延生长、光栅制作、条形刻蚀、端面镀膜、划片裂片、特性测试、封装筛选和芯片老化的完整工艺线，经过持
续研发投入和工艺优化，成为国内少数掌握MQW有源区设计、MOCVD外延、电
子束光栅、芯片加工、直至耦合封装的全产业链DFB激光器芯片生产企业，在
速率（除2.5G、10G产品外，1350nm、1370nm 25G产品已完成研发并开始送
样）、新需求的波长（如1470nm-1570nm）、外调制用大功率DFB（连续波CW）、
小发散角、宽工作温度范围方面，公司积累了自身的技术优势，并得到国内主
流厂商的认可。
（二）保荐机构的核查程序及核查意见
1、核查程序
（1）查阅了《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018-2022）》等资料，并对发行人 DFB激光器芯片主要负责人进行了访谈，了解发行人 DFB激光器芯片的发展情况、技术优势、竞争地位等；
（2）查阅了光迅科技、博创科技及华工科技等国内同行业上市公司年度报告、投资者关系互动等公开披露信息情况；查阅陕西源杰同类产品的规格书，与发行人产品的技术指标进行对比分析；
（3）查阅发行人报告期内 DFB 激光器芯片的销售明细情况，结合发行人2020年1月-6月20日在DFB激光器芯片方面新获取订单及已执行情况，分析发行人DFB激光器芯片的业务发展情况；
（4）查阅了Lightcounting及讯石信息等第三方机构出具的相关材料，了解发行人DFB激光器芯片下游应用场景的市场空间情况。
2、核查意见
经核查，保荐机构认为，发行人通过掌握DFB激光器芯片一次外延至芯片制造的完整工艺，以及 InP基多量子阱外延技术、高精度布拉格光栅制作及波长精准控制技术、新型倒台脊形波导结构及DFB激光器芯片制作技术等核心技术，在速率（除 2.5G、10G产品外，1350nm、1370nm 25G产品已完成研发并开始送样）、新需求的波长（如1470nm-1570nm）、外调制用大功率DFB（连续波 CW）、小发散角、宽工作温度范围方面，发行人积累了自身的技术优势，并得到国内主流厂商的认可，产品导入进展顺利，收入保持快速增长态势，
DFB 激光器芯片产品因技术更新迭代而被替代的风险较低。同时发行人上述
DFB激光器芯片下游应用场景的市场空间良好，国内下游厂商出于供应链安全
考虑，国产化替代需求也较为强烈。因此，根据发行人DFB芯片产品的技术水
平、竞争地位以及未来的产品需求情况分析，发行人本次募投项目的实施不存
在重大风险。
四、请发行人适当调整招股说明书中部分披露内容：（1）发行人三大业务板块中，光芯片及器件收入占比不足40%，请发行人客观披露业务情况，不得过分强调光芯片及器件业务而淡化其他传统业务的披露;（2）请发行人在列示芯片业务产品技术性能对比时，客观比较有代表性的产品，不得仅列示对发行人有利的数据。
回复：
（一）发行人三大业务板块中，光芯片及器件收入占比不足 40%，请发行人客观披露业务情况，不得过分强调光芯片及器件业务而淡化其他传统业务的披露
针对室内光缆业务、线缆材料业务，发行人进行了如下补充披露：
1、在招股说明书（注册稿）“第六节/一/（二）/6、线缆材料”中补充披露如下：
发行人室内光缆业务自2000年起步后，为更好地匹配下游客户对室内光缆产品的性能需求，加快下游客户产品导入进程，在室内光缆业务的基础上，逐步以无锡杰科、杰科公司为主体，开展线缆材料业务。经过持续研发及市场开拓，发行人线缆材料产品类别涵盖热塑性低烟无卤阻燃聚烯烃材料、辐照交联低烟无卤阻燃聚烯烃材料、辐照交联低烟低卤阻燃聚烯烃材料、热塑性聚氯乙烯材料（PVC）、热塑性阻燃聚氨酯产品（TPU），参与起草了全国标准《电线电缆用无卤低烟阻燃电缆料》（标准号：GB/T32129-2015），产品应用领域由通信线缆拓展至电力线缆、汽车线缆等。2017年，公司通过同一控制下合并的方式收购该业务，具体参见本招股说明书“第五节/三/（一）2017年12月，发行人收购杰科公司81.14%股权”。
2、在招股说明书（注册稿）“第六节/二/（一）/1、光通信行业概况”中补充披露如下：
光器件是由光芯片、光纤及金属连线组合封装在一起，完成单项或少数几项功能的混合集成器件。光模块是以光器件为核心，增加一些电路部分和结构功能件等完成相应功能的单元。光纤预制棒生产成光纤，光纤与线缆材料等生产成光缆（包括室内光缆和室外光缆）。光设备与光模块，结合光纤光缆实现光信息传输功能并提供运营服务。目前光通信主要应用市场为电信市场、数据中心市场，其中：电信市场主要应用于骨干网、城域网、接入网以及无线基站；数据中心市场主要应用于数据中心内部互联以及数据中心互联。
3、在招股说明书（注册稿）“第六节/二/（一）/3、光通信细分情况”中补充披露如下：
线缆材料在室内或室外光缆结构中用作绝缘层、护套、屏蔽层、填充材料等。其中聚烯烃材料，特别是绿色环保型聚烯烃材料的技术发展和产品创新，包括无卤阻燃聚烯烃高分子材料、3G/4G基站建设以及FTTx用高分子材料等材料的应用，促进通讯线缆产品的不断更新换代。
4、在招股说明书（注册稿）“第六节/二/（二）行业管理体制及主管部门”中补充披露如下：
公司聚焦光通信领域，主营业务覆盖光芯片及器件、室内光缆、线缆材料三大板块，主要产品包括PLC分路器芯片系列产品、AWG芯片系列产品、DFB激光器芯片系列产品、光纤连接器、室内光缆、线缆材料等。
根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司从事的行业属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。根据不同业务类型，公司光芯片及器件业务、室内光缆业务均属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），线缆材料业务属于“制造业”中的“橡胶和塑料制品行业”（C29）。
5、在招股说明书（注册稿）“第六节/二/（二）/2、行业协会”中补充披露如下：
在行业自律监管方面，光通信行业涉及的行业协会包括中国光学光电子行业协会、中国电子元件行业协会以及中国通信企业协会，负责进行自律性行业管理，代表和维护行业内企业的合法权益，组织制订行业规范等。
其中，对于光芯片及器件业务，涉及的行业协会主要为中国电子元件行业协会及其光器件分会、中国光学光电子行业协会以及中国通信企业协会；对于室内光缆业务，涉及的行业协会主要为中国电子元件行业协会及其光电线缆分会、中国通信企业协会及其通信电缆光缆专业委员会；对于线缆材料业务，涉及的行业协会主要为中国电子元件行业协会及其光电线缆分会、中国电器工业协会及其电线电缆分会等。上述协会主要负责进行自律性行业管理，研究行业发展方向、编制行业发展规划和组织制订行业规范等。
6、在招股说明书（注册稿）“第六节/二/（三）行业主要法律法规及政策”中补充披露如下：
除上述法律法规及政策外，发行人室内光缆及线缆材料业务涉及主要法律法规及产业政策如下：
序号 法律法规/产 颁布机构 相关规定
业政策
发展高速光纤传输与接入、大容量路由交换、
超高清视频产 5G通信、SDN/NFV（软件定义网络/网络功能虚
业发展行动计 工信部、国家广 拟化）等网络设备与软件系统，推进有线网络
1 划（2019- 播电视总局、中 IP化、光纤化进程。加快全国有线电视网络互
2022年） 央广播电视总台 联互通平台建设，同步建设4K超高清电视监测
监管系统。探索5G应用于超高清视频传输，实
现超高清视频业务与5G的协同发展
《国家中长期 制造业中的优先发展主题：重点研究开发满足
科学和技术发 国民经济基础产业发展需求的高性能复合材料
2 展规划纲要 国务院 的制备技术、高性能工程塑料、具有环保和健
（2006年- 康功能的绿色材料
2020年）》
7、在招股说明书（注册稿）“第六节/二/（四）/6、室内光缆及线缆材料的行业发展情况及发展趋势”中补充披露如下：
6、室内光缆及线缆材料的行业发展情况及发展趋势
对于室内光缆，当前在下游行业的带动下以及各国对4G/5G建设的鼓励政策推动下，包括室内光缆在内的光纤光缆行业仍保持一定幅度的增长。根据英国商品研究所（CRU）对全球光缆需求的预测，2019年-2022年全球光缆需求分别为58,275万芯公里、60,481万芯公里、61,771万芯公里、63,169万芯公里，将保持持续增长。
对于线缆材料，根据国家通信行业相关标准的要求，生产通信光缆及电缆所使用的护套料大部分均要求使用低烟无卤阻燃高分子材料，其中包含用在移动基站上的射频电缆用护套料、拉远光缆用护套料、满足光纤到户用的蝶形光缆、圆形光缆护套料等。高端绿色环保线缆材料的市场规模和产品技术水平未来将随着下游行业如FTTH、移动基站建设、三网融合等持续发展而得到稳步提升。
8、在招股说明书（注册稿）“第六节/三/（二）行业内的主要企业”中补充披露如下：
1、光通信行业内主要企业
由于光通信行业细分产品众多，不同的企业在业务发展路径上又有所不同，因此行业内各企业在细分产品类别、业务重点方面存在一定的差异。目前，国
内光通信行业主要企业（包括上市公司和新三板公司）与公司具有一定可比性
的，主要如下所示：
证券代码 证券简称 简介
光迅科技成立于2001年1月，主营业务产品包括光通信行业的无
002281.SZ 光迅科技 源芯片及器件、有源芯片及器件、模块以及子系统。光迅科技于
2009年8月在深圳证券交易所中小板上市。
博创科技成立于2003年7月，主营业务产品包括光无源器件和光
300548.SZ 博创科技 有源器件。博创科技于2016年10月在深圳证券交易所创业板上
市。
太辰光成立于2000年12月，主营业务产品包括陶瓷插芯、光纤
300570.SZ 太辰光 连接器、PLC分路器等光器件以及光纤传感产品等。太辰光于
2016年12月在深圳证券交易所创业板上市。
苏州旭创科技有限公司成立于2008年4月，主营业务产品包括光
300308.SZ 中际旭创 模块等。中际旭创于2012年4月在深圳证券交易所创业板上市，
2017年8月，中际旭创完成对苏州旭创科技有限公司的重组。
华工科技成立于1999年7月，主营业务产品包括激光装备制造、
000988.SZ 华工科技 光通信器件、激光全息仿伪、传感器等。华工科技于2000年6月
在深圳证券交易所主板上市。
300502.SZ 新易盛 新易盛成立于2008年4月，主营业务产品包括光模块等。新易盛
于2016年3月在深圳证券交易所创业板上市。
832063.OC 鸿辉光通 鸿辉光通成立于2001年1月，主营业务产品包括光纤光缆填充
膏、光器件等。
驿路通成立于2012年6月，主营业务产品包括PLC分路器器件、
837823.OC 驿路通 薄膜滤波片式波分复用器（CWDM、DWDM等）、光纤连接器（跳
线）、光纤光缆等。
中兴新地成立于2003年7月，主营业务产品包括光无源器件产
834115.OC 中兴新地 品、ODN及配套类产品、配线架系列产品、数据中心配套产品
等。
2、室内光缆、线缆材料细分领域的主要上市公司
除此之外，在室内光缆业务方面，国内目前主要从事室内光缆业务的上市公司较少，长飞光纤、中天科技、亨通光电、通光线缆等上市公司主要以光纤、室外光缆产品为主，与室内光缆产品差异较大，特发信息业务结构中的室内光
缆产品与发行人的室内光缆有一定的可比性；在线缆材料业务方面，国内目前
主要从事线缆材料业务的上市公司包括至正股份、道恩股份、德威新材、中广
核技等，具体情况如下：
（1）室内光缆主要企业证券代码 证券简称 简介
特发信息成立于1999年7月，主营业务包括光纤光缆、电子
000070.SZ 特发信息 元器件、光通讯设备等。特发信息于2000年4月在深圳证券
交易所主板上市。
（2）线缆材料主要企业证券代码 证券简称 简介
603991.SH 至正股份 至正股份成立于2004年12月，主营业务为线缆用高分子材
料。至正股份于2017年3月在上海证券交易所主板上市。
道恩股份成立于2002年12月，主营业务包含热塑性弹性体、
002838.SZ 道恩股份 改性塑料和色母粒等功能性高分子复合材料。道恩股份于
2017年1月在深圳证券交易所中小板上市。
德威新材成立于1995年12月，专业从事线缆用高分子材料的
300325.SZ 德威新材 研发、生产和销售。德威新材于2012年6月在深圳证券交易
所创业板上市。
000881.SZ 中广核技 中广核技成立于1993年4月，主营业务包含改性高分子材料
等。中广核技于2017年2月在深圳证券交易所主板上市。
9、在招股说明书（注册稿）“第六节/三/（三）/4、室内光缆、线缆材料业务的对比情况”中补充披露如下：
4、室内光缆、线缆材料业务的比较情况
2019年，发行人室内光缆与线缆材料业务与可比公司的比较情况如下：
（1）室内光缆业务的比较情况
单位：万元
证券简称 营业收入 毛利率 行业地位
从事光纤光缆、配线网络设备及通信设备研制、
特发信息 465,591.11 17.92% 生产，目前围绕光通信产业积极发展光纤光缆、
智能接入和军工信息化等领域，已形成了多元化
的产业格局
发行人室内光缆产品包括单芯光缆、多芯光缆及
本公司 54,632.00 24.81% 射频拉远光缆等。在射频拉远光缆方面，公司牵
（注） 头制定行业标准。2019年度，本公司室内光缆业
务收入为16,630.53万元，毛利率为20.77%
注：该毛利率数据为发行人整体毛利率水平
（2）线缆材料业务的比较情况
单位：万元
证券简称 营业收入 毛利率 行业地位
至正股份 46,186.56 11.52% 从事电线电缆、光缆用绿色环保型聚烯烃高分子材
料的研发、生产和销售，产品包括三大类：光通信
证券简称 营业收入 毛利率 行业地位
线缆、光缆用特种环保聚烯烃高分子材料；电气装
备线用环保型聚烯烃高分子材料；电网系统电力电
缆用特种绝缘高分子材料
从事热塑性弹性体、改性塑料和色母粒等功能性高
分子复合材料的研发、生产和销售，其中：热塑性
道恩股份 273,544.08 16.91% 弹性体产品主要是动态全硫化热塑性弹性体
（TPV）；改性塑料产品主要是增强增韧改性塑
料、高光泽改性塑料、阻燃改性塑料和熔喷料；色
母粒产品主要是专用色母粒和多功能色母粒
从事线缆用高分子材料的研发、生产和销售，主要
德威新材 115,082.50 13.64% 生产XLPE绝缘材料、内外屏蔽材料、汽车线束绝
缘材料、弹性体材料、UL系列材料及通用PVC材料
等系列，覆盖了绝缘材料、屏蔽材料、护套材料等
从事工业电子加速器、环保光缆护套材料、特种线
中广核技 702,162.16 15.36% 缆材料、改性工程塑料等研发、生产和销售，以及
电子束辐照服务运营等业务
公司线缆材料业务在协助光纤连接器、室内光缆不
24.81% 断提升整体性能指标的同时，也在不断拓展客户范
本公司 54,632.00 （注） 围，加强公司在光通信行业的整体获客能力。2019
年，本公司线缆材料营业收入为15,304.47万元，
毛利率为15.08%
注：该毛利率数据为发行人整体毛利率水平
（二）请发行人在列示芯片业务产品技术性能对比时，客观比较有代表性的产品，不得仅列示对发行人有利的数据
1、PLC分路器芯片产品技术性能对比情况
根据行业惯例，发行人及竞争对手产品规格书中列示的性能参数指标包括损耗（IL）、损耗均匀性（UNIF）、偏振相关损耗（PDL）。发行人在对比PLC 分路器芯片产品时，将上述性能参数指标全部列示并进行比较，所选择的产品为竞争对手公开披露产品规格书的产品以及发行人相关规格产品，具有客观性。
2、AWG芯片产品技术性能对比情况
发行人在对比 AWG芯片产品时，由于 AWG芯片产品涉及的规格较多，按照行业惯例，选取最主要的性能参数损耗（IL）、1dB带宽（Band width）、3dB 带宽（Band width）、偏振相关损耗（PDL）、相邻串扰（AX）、非相邻串扰（NX）六个指标进行对比。为进一步提升对比的客观性，发行人将产品规格书中所涉及的所有性能参数进行对比，对比情况如下：
根据公开的产品规格书，发行人与光迅科技、博创科技同类产品技术性能对比情况如下：
产品 型号 关键指标（注） 发行人 光迅科技 博创科技
通道间隔 100G 100G 未开披查露阅到的公产
通带宽度 0.1 未列示 品规格书
通道数 48 40
波长偏移≤ 0.05 0.05
IL≤ 3.5 3.5
通带平坦度≤ 1.0 0.5
损耗均匀性≤ 1.0 1.0
1dB Bandwidth≥ 0.24 0.2
Gaussion 3dBBandwidth≥ 0.42 0.28
（高斯型）
20dB Bandwidth≤ 1.15 未列示
PDL≤ 0.5 0.5
AX≥ 25 23
NX≥ 30 30
DWDM TX≥ 27 21
AWG器件 PMD≤ 0.5 0.5
CD≤ 20 20
RL≥ 40 40
通道间隔 100G 100G 100G
PB 0.1 未列示 0.1
通道数 48 40 48
Offset≤ 0.05 0.05 0.05
IL≤ 5.5 5.5 6.0
Flat Ripple≤ 0.5 0.5 未列示
（平坦型）
Unif≤ 1.0 1.0 未列示
1dB Bandwidth≥ 0.4 0.4 0.4
3dB Bandwidth≥ 0.6 0.6 0.55
20dB Bandwidth≤ 1.2 未列示 1.2
PDL≤ 0.5 0.5 0.5
产品 型号 关键指标（注） 发行人 光迅科技 博创科技
AX≥ 24 23 25
NX≥ 30 30 30
TX≥ 24 21 22
PMD≤ 0.5 0.5 未列示
CD≤ 20 20 未列示
RL≥ 40 40 45
注：PB指通带带宽，Offset指波长精度，IL指损耗，Ripple为通带平坦度，Unif为通道均匀性，1dB Band
width、3dB Band width、20dB Band width指带宽，PDL指偏振相关损耗，AX指相邻串扰，NX指非相邻
串扰，TX指总串扰，PMD指偏振模色散，CD指色度色散，RL指回损，上述指标中 Offset、IL、Ripple、
Unif、PDL、PMD、CD为数值越小，性能越好；1dB Band width、3dB Band width、20dB Band width、AX、
NX、TX、RL为数值越大，性能越好
第一、发行人与光迅科技相比：Gaussion（高斯型）DWDM AWG 器件方面，发行人1dB Band width、3dB Band width带宽、AX（相邻串扰）、TX（总串扰）指标方面优于光迅科技同类产品，发行人 Ripple（通道平坦度）指标逊于光迅科技同类产品，光迅科技同类产品规格书中不包含20dB Band width指标，其他指标一致；Flat（平坦型）DWDM AWG器件方面，发行人产品AX（相邻
串扰）、TX（总串扰）指标方面略优于光迅科技同类产品，光迅科技同类产品
规格书中不包含20dB Band width指标，其他指标一致；
第二、发行人与博创科技相比：博创科技未公布 Gaussion（高斯型）DWDM AWG器件产品的规格资料；Flat（平坦型）DWDM AWG器件方面，发行人产品 IL（损耗）、3dB Band width带宽、TX（总串扰）指标方面优于博创科技同类产品，AX（相邻串扰）、RL（回损）指标方面逊于博创科技同类产品，博创科技同类产品规格书中不包含 Ripple（通带平坦度）、Unif（通道均匀性）、PMD（偏振模色散）、CD（色度色散）等指标，其他指标一致。
综上，与国内主要AWG芯片厂商同类产品相比，发行人DWDM AWG器件产品性能指标与光迅科技、博创科技同类产品相比基本一致。数据中心AWG器件产品方面尚无国内厂商同类产品进行比较。
发行人所选择的产品为竞争对手公开披露产品规格书的产品以及发行人相关规格产品，具有客观性。
发行人在招股说明书“第六节/三/（四）/2/（2）发行人与国内主要芯片厂商同类产品的对比情况”中，对相关内容进行的补充，具体如下：
根据公开的产品规格书，发行人与光迅科技、博创科技同类产品技术性能对比情况如下：
产品 型号 关键指标（注） 发行人 光迅科技 博创科技
通道间隔 100G 100G
通带宽度 0.1 未列示
通道数 48 40
波长偏移≤ 0.05 0.05
IL≤ 3.5 3.5
通带平坦度≤ 1.0 0.5
损耗均匀性≤ 1.0 1.0
1dBBand width≥ 0.24 0.2 未查阅到公
Gaussion 3dB Band width≥ 0.42 0.28 开披露的产
（高斯型） 品规格书
20dB Band width≤ 1.15 未列示
PDL≤ 0.5 0.5
AX≥ 25 23
NX≥ 30 30
DWDM AWG TX≥ 27 21
器件
PMD≤ 0.5 0.5
CD≤ 20 20
RL≥ 40 40
通道间隔 100G 100G 100G
PB 0.1 未列示 0.1
通道数 48 40 48
Offset≤ 0.05 0.05 0.05
Flat IL≤ 5.5 5.5 6.0
（平坦型） Ripple≤ 0.5 0.5 未列示
Unif≤ 1.0 1.0 未列示
1dBBand width≥ 0.4 0.4 0.4
3dBBand width≥ 0.6 0.6 0.55
20dB Band width≤ 1.2 未列示 1.2
产品 型号 关键指标（注） 发行人 光迅科技 博创科技
PDL≤ 0.5 0.5 0.5
AX≥ 24 23 25
NX≥ 30 30 30
TX≥ 24 21 22
PMD≤ 0.5 0.5 未列示
CD≤ 20 20 未列示
RL≥ 40 40 45
注：PB指通带带宽，Offset指波长精度，IL指损耗，Ripple为通带平坦度，Unif为通道均匀性，1dB
Band width、3dB Band width、20dB Band width指带宽，PDL指偏振相关损耗，AX指相邻串扰，NX指
非相邻串扰，TX指总串扰，PMD指偏振模色散，CD指色度色散，RL指回损，上述指标中Offset、IL、
Ripple、Unif、PDL、PMD、CD为数值越小，性能越好；1dB Band width、3dB Band width、20dB Band
width、AX、NX、TX、RL为数值越大，性能越好
第一、发行人与光迅科技相比：Gaussion（高斯型）DWDM AWG器件方面，发行人1dB Band width、3dB Band width带宽、AX（相邻串扰）、TX（总串扰）指标方面优于光迅科技同类产品，发行人Ripple（通道平坦度）指标逊于光迅
科技同类产品，光迅科技同类产品规格书中不包含20dB Band width指标，其
他指标一致；Flat（平坦型）DWDM AWG器件方面，发行人产品AX（相邻串扰）、
TX（总串扰）指标方面略优于光迅科技同类产品，光迅科技同类产品规格书中
不包含20dB Band width指标，其他指标一致；
第二、发行人与博创科技相比：博创科技未公布Gaussion（高斯型）DWDMAWG器件产品的规格资料；Flat（平坦型）DWDM AWG器件方面，发行人产品IL（损耗）、3dB Band width带宽、TX（总串扰）指标方面优于博创科技同类产品，AX（相邻串扰）、RL（回损）指标方面逊于博创科技同类产品，博创科技同类产品规格书中不包含Ripple（通带平坦度）、Unif（通道均匀性）、PMD（偏振模色散）、CD（色度色散）等指标，其他指标一致。
综上，与国内主要AWG芯片厂商同类产品相比，发行人DWDM AWG器件产品性能指标与光迅科技、博创科技同类产品相比基本一致。数据中心AWG器件产品方面尚无国内厂商同类产品进行比较。
3、DFB激光器芯片产品技术性能对比情况
目前国内厂商DFB激光器芯片基本处于持续研发和逐步量产阶段，对于各自DFB激光器产品的规格文件、性能指标等，基本上都未予以公开。目前发行人能够取得的国内厂商同类产品规格书为陕西源杰1270nm 2.5G DFB激光器芯片、10G CWDM DFB激光器芯片产品规格书，产品规格书中的性能参数均已列示并进行比较，具有客观性。
五、请补充说明发行人及其子公司无锡杰科塑业有限公司、河南仕佳通信科技有限公司3家公司申请高新技术企业证书续期的进展情况。
回复：
（一）发行人及其子公司无锡杰科、仕佳通信高新技术企业证书情况及目前申报进展
序 持有 证书号 颁发部门 颁发日期 到期日期 首次颁发 历次续
号 人 办情况
1 仕佳 GR201741000166 河南省科学技术 2017-8-29 2020-8-28 2014-10-23 正常
光子 厅、河南省财政
仕佳 厅、河南省国家
2 通信 GR201741000398 税务局、河南省 2017-8-29 2020-8-28 2011-7-28 正常
地方税务局
江苏省科学技术
无锡 厅、江苏财政
3 杰科 GR201732001974 厅、江苏省国家 2017-11-17 2020-11-16 2014-9-2 正常
税务局、江苏省
地方税务局
仕佳光子、仕佳通信及无锡杰科自首次取得高新技术企业证书以来，历次续办情况正常。
根据鹤壁市科技局关于转发省高新技术企业认定管理工作领导小组《组织申报 2020 年度高新技术企业的通知》的通知要求，2020年度高新技术企业申报材料的时间节点为：第一批截止时间为2020年6月12日，第二批截止时间为2020年8月7日，第三批截止时间2020年9月25。仕佳光子、仕佳通信计划按照第二批的时间点完成高新技术企业的申报工作。
根据无锡市科技局关于转发省高新技术企业认定管理工作领导小组《组织申报 2020 年度高新技术企业的通知》的通知要求，2020年度高新技术企业申报材料的时间节点为：第一批截止时间为2020年7月16日，第二批截止时间为2020年8月13日，第三批截止时间2020年8月31号，无锡杰科计划按照第二批的时间点完成高新技术企业的申报工作。
（二）发行人及其子公司无锡杰科、仕佳通信符合高新技术企业认定的相关规定
根据科技部、财政部、国家税务总局于2016年1月29日发布的《高新技术企业认定管理办法》（国科发火〔2016〕32号）、《高新技术企业认定管理工作指引》的规定，发行人及其子公司无锡杰科、仕佳通信的具体对照情况如下：
序号 要求 仕佳光子情况 无锡杰科情况 仕佳通信情况
1 企业申请认定时须注册 符合 符合 符合
成立一年以上
企业通过自主研发、受 符合。目前仕佳光子 符合。目前无锡杰科 符合。目前仕佳通信
让、受赠、并购等方 拥 有 18 项 发 明 专 拥 有 13 项 授 权 专 拥有发明专利 2项、
2 式，获得对其主要产品 利、9 项实用新型专 利，其中发明专利 实 用 新 型 专 利 28
（服务）在技术上发挥 利和 1项外观设计专 10项，实用新型专利 项，用于生产销售主
核心支持作用的知识产 利，用于生产销售主 3 项，用于生产销售 要产品
权的所有权 要产品 主要产品
符合，对主要产品发
对企业主要产品（服 符合，对主要产品发 挥核心支持作用的技 符合，对主要产品发
务）发挥核心支持作用 挥核心支持作用的技 术属于《国家重点支 挥核心支持作用的技
3 的技术属于《国家重点 术属于《国家重点支 持的高新技术领域》 术属于《国家重点支
支持的高新技术领域》 持的高新技术领域》 规定中的“新材料、 持的高新技术领域》
规定的范围 中的电子信息技术领 高分子材料、新型功 中的电子信息技术领
域。 能高分子材料的制备 域。
及应用技术”。
符 合，仕 佳 光 子 符 合，无 锡 杰 科 符 合，仕 佳 通 信
企业从事研发和相关技 2019年末员工总数为 2019年末员工总数为 2019年末员工总数为
4 术创新活动的科技人员 484 人，其中研发人 93人，其中研发人员 131 人，其中研发人
占企业当年职工总数的 员为 85 人，占比为 10 人 ， 占 比 为 员 14 人，占 比 为
比例不低于10%。 17.56%，超过 10%的 10.75%，超过 10%的 10.69%，超过 10%的
比例规定。 规定比例。 规定比例。
企业近三个会计年度 符合 符合 符合
（实际经营期不满三年 1、2017-2019 年的销 1、2017-2019 年度销 1、公司2017-2019年
的按实际经营时间计 售 收 入 分 别 为 售 收 入 分 别 为： 度 销 售 收 入
算，下同）的研究开发 13,737.68 万 元 、 15,122.39 万 元 、 10,857.30 万 元 、
费用总额占同期销售收 13,091.37 万 元 、 14,749.02 万 元 、 13,914.43 万 元 、
入总额的比例符合如下 15,730.18 万 元 ； 13,305.96 万 元 ， 11,307.98 万 元 ，
要求： 1. 最近一年销售 2017-2019 年研发费 2017-2019 年研发费 2017-2019 年研发费
收 入 小 于 5,000 万 元 用分别为 3,374.00万 用分别为：729.02 万 用分别为：584.43 万
5 （含）的企业，比例不 元、 3,352.95 万元， 元、617.11 万 元、 元、640.34 万 元、
低于5%； 2.最近一年销 4,629.09 万元，研发 544.56 万元，研发费 510.10 万元，研发费
售收入在5,000万元至2 费 用 占 比 分 别 为 用 占 比 分 别 为： 用 占 比 分 别 为：
亿元（含）的企业，比 24.56%、25.61%、 4.82%、4.18%、 5.38%、4.60%、
例不低于4%； 3.最近一 29.43%， 2017-2019 4.09%，2017-2019 年 4.51%，2017-2019 年
年销售收入在2亿元以上 年三年研发费用总额 三年研发费用总额 三年研发费用总额
的企业，比例不低于 11,356.04万元，占占 1,890.69 万 元，占 1,734.86 万 元，占
3%。其中，企业在中国 2017 年-2019 年销售 2017 年-2019 年销售 2017 年-2019 年销售
境内发生的研究开发费 收入 42,559.23 万元 收入 43,177.36 万元 收入 36,079.71 万元
序号 要求 仕佳光子情况 无锡杰科情况 仕佳通信情况
用总额占全部研究开发 的 26.68%，均超过 的 4.38%，均 超 过 的 4.81%，均 超 过
费用总额的比例不低于 4%的比例。 4%的规定比例。 4%的规定比例。
60% 2、研发费用全部为 2、公司研发费用全 2、公司研发费用全
在境内发生的研发费 部为在境内发生的研 部为在境内发生的研
用，超过 60%的比例 发费用，超过 60%的 发费用，超过 60%的
规定。 比例规定 比例规定
符合，2019年高新技 符合，2019年高新技 符合，2019年高新技
近一年高新技术产品 术产品（服务）收入 术 产 品 收 入 术 产 品 收 入 为
6 （服务）收入占企业同 为 14,606.38 万元， 12,667.07 万元，占 7,221.42 万 元，占
期总收入的比例不低于 占 2019 年营业收入 2019 年营业收入的 2019年营业收入的比
60% 的比例为92.86%，超 95.20%，超过 60%的 例为 63.86%，超过
过60%的比例规定 规定比例 60%的规定比例
企业创新能力评价应达 符合，已建立较为完 符合，已建立较为完 符合，已建立较为完
7 到相应要求 善的研究开发与技术 善的研究开发与技术 善的研究开发与技术
创新组织管理体系 创新组织管理体系 创新组织管理体系
企业申请认定前一年内 符合，最近一年内未 符合，最近一年内未 符合，最近一年内未
8 未发生重大安全、重大 发生重大安全、重大 发生重大安全、重大 发生重大安全、重大
质量事故或严重环境违 质量事故或严重环境 质量事故或严重环境 质量事故或严重环境
法行为 违法行为 违法行为 违法行为
根据上表分析，发行人及其子公司无锡杰科、仕佳通信符合《高新技术企业认定管理办法》（国科发火〔2016〕32号）、《高新技术企业认定管理工作指引》的相关规定。
综上所述，发行人及其子公司无锡杰科、仕佳通信高新技术企业证书续期工作正常，不存在到期无法续期办理的风险。
六、发行人AWG芯片系列产品于2019年起才达到一定规模，2018年该类产品收入仅约673万元，2019年增长至4,339万元；2020年1-5月该类产品收入为5,279万元（未审数）。2019年，发行人该类产品的毛利率达到57.59%，远高于同行业可比公司，当年该类产品毛利额占比33%。
发行人该类产品的客户主要为英特尔及其代工厂，2019年发行人向英特尔及其代工厂销售金额为3,063万元，2020年1-5月为4,029万元（未审数）。根据申请文件，发行人主要根据英特尔代工厂英特尔代工厂A、英特尔代工厂B的订单进行生产、发货，直接向英特尔销售的金额较少。英特尔代工厂A、英特尔代工厂B属于英特尔指定代工厂的证据，包括发行人与英特尔的往来邮件、保荐机构对上述代工厂人员的视频访谈资料等。
请说明或核查以下事项：（1）发行人AWG芯片系列产品属于无源光器件，2019年度该类产品毛利率为57.59%。请发行人与同行业可比公司AWG系列产品或无源光器件（模块）产品的毛利率进行对比分析，对发行人 AWG系列产品2019年毛利率的合理性进行说明。请保荐机构进行核查并发表意见；（2）请保荐机构和律师就上述英特尔邮件的发送地址、邮件内容进行核查，英特尔要求发行人提供的产品类型与数量（如有）与发行人向英特尔代工厂A、英特尔代工厂B销售的产品类型与数量是否一致，并就以上述邮件证明英特尔代工厂A、英特尔代工厂B系英特尔代工厂的依据是否可靠、充分，发表核查意见；（3）请发行人说明在进入英特尔供应商名单后双方是否签署质量控制协议、合作框架等书面文件，说明签署时间、主要内容以及约定的合作期限；请保荐机构和律师进行核查；（4）申请文件显示，发行人与英特尔代工厂A的订单中产品项列示为“光纤尾纤”，与英特尔代工厂B的订单中产品项列示为“电缆”，请说明订单所列产品与AWG芯片系列产品的相关性，如有必要，请更新招股书
披露的发行人向英特尔及其代工厂销售的产品类型，更为准确地披露所售产品。
请保荐机构核查并发表意见。
回复：
根据发行人与英特尔之间签署的保密协议要求，英特尔与代工厂之间的代工关系属于商业秘密，因此本回复报告在问题六之题干及回复内容中，将英特尔代工厂的具体名称分别由英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B来进行替代。对于上述信息豁免披露事项，发行人已根据《招股说明书准则》、《上市审核规则》、《上市审核问答》等法律、法规、规范性文件的要求，履行了信息豁免披露的相应程序，并由中介机构出具了核查意见。
（一）发行人AWG芯片系列产品属于无源光器件，2019年度该类产品毛利率为57.59%。请发行人与同行业可比公司AWG系列产品或无源光器件（模块）产品的毛利率进行对比分析，对发行人AWG系列产品2019年毛利率的合理性进行说明
1、发行人主要AWG芯片产品的具体情况
发行人AWG系列产品主要由数据中心AWG器件构成，数据中心AWG器件产品的拆解图情况如下：
（1）数据中心光模块拆解图
（2） ROSA（光接收子组件）拆解图
（3） TOSA（光发射子组件）拆解图
由上述拆解图可知，发行人数据中心 AWG 器件主要由发行人自产的数据中心AWG芯片与Receptacle（适配器）组装为数据中心AWG器件，由下游客户生产成ROSA（光接收子组件）、TOSA（光发射子组件），并最终封装为数据中心光模块。
2、发行人AWG器件产品与同行业可比公司AWG器件产品的比较情况
截至本回复报告签署日，量产销售（含自用）AWG晶圆、芯片的国内主要厂商为光迅科技、博创科技。
（1）与光迅科技的比较情况
根据公司主页披露的产品信息，光迅科技对外销售的主要产品为子系统（介于光模块与光设备之间）和各类光模块（具体参见http://www.accelink.com/index.php?a=lists&catid=2），并且不对外出售 AWG 晶圆、芯片等前序环节的产品。结合上述数据中心光模块的拆解图分析，发行人 AWG 系列产品与光迅科技对外披露的产品类型差异较大，不具有可比性。
（2）与博创科技的比较情况
根据公司主页披露的产品信息，博创科技产品以无源器件和有源器件为主（具体参见 http://www.broadex-tech.com/products_list.aspx），其中无源器件包括DWDM AWG器件、PLC分路器器件、VOA器件等。
根据博创科技招股说明书（2016年9月），其披露的AWG器件2015年、2016年1-6月的毛利率分别为43.21%、42.01%。同时，根据博创科技招股说明书披露，当时博创科技还不具备自主芯片能力，博创科技的 AWG 器件使用的AWG芯片主要向美国JDSU、美国Kaiam采购。博创科技2016年10月完成上市发行后，未再披露过关于AWG器件产品的毛利率数据。
发行人AWG芯片系列产品2019年度毛利率为57.59%，高于博创科技2016年度招股说明书披露的AWG器件毛利率42.01%（2016年1-6月），主要系发行人具备从晶圆、芯片生产至器件的业务能力，因此发行人 AWG芯片产品毛利率较高具有合理性。
2、发行人AWG器件产品与无源光器件产品的毛利率不具有可比性
无源光器件涵盖的范围较广，除 AWG芯片系列产品外，PLC分路器芯片系列产品、光纤连接器产品均属于无源光器件。2019年度，发行人 AWG芯片系列产品、PLC分路器芯片系列产品、光纤连接器产品的毛利率分别为 57.59%、31.88%和 23.26%，虽然同属于无源光器件，但是由于产品技术壁垒、市场竞争
格局的差异，上述产品毛利率差异较大。
因此，直接将发行人 AWG 器件产品与同行业公司无源光器件产品比较，不具有可比性。
3、发行人AWG器件产品与光模块产品的毛利率不具有可比性
根据上述数据中心光模块的拆解图分析，从发行人数据中心 AWG 器件需要先封装为ROSA（光接收子组件）、TOSA（光发射子组件），然后再封装为光模块。因此数据中心 AWG器件与最终产品光模块差异较大，不具有可比性。
4、发行人2019年AWG芯片系列产品毛利率较高的主要原因
2019年，发行人 AWG芯片系列产品毛利率较高，主要系两方面原因所致：第一、发行人数据中心 AWG器件产品完成对英特尔的产品导入，并且从 2019年 7月起形成稳定批量销售。由于行业内能够生产该产品的厂商较少，并且该产品下游最终应用于数据中心建设，市场需求情况良好，因此发行人该产品价格情况较好；第二、2019年数据中心 AWG器件产销量的提升对制造费用分摊效应明显，从而推动产品单位成本大幅下降。因此，发行人2019年AWG芯片系列产品毛利率较高具有合理性。
（二）请保荐机构和律师就上述英特尔邮件的发送地址、邮件内容进行核查，英特尔要求发行人提供的产品类型与数量（如有）与发行人向英特尔代工厂A、英特尔代工厂 B销售的产品类型与数量是否一致，并就以上述邮件证明英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B系英特尔代工厂的依据是否可靠、充分，发表核查意见
发行人与英特尔开展业务经历了产品性能测试、根据英特尔的指示小批量交付订单、英特尔代工厂直接向发行人下单采购等阶段，具体如下：
1、发行人开始对英特尔进行产品送样、性能测试等产品导入
发行人自2017年9月起与英特尔接触，对英特尔进行产品送样、性能测试等产品导入过程，产品的性能参数、技术指标等均由英特尔确定，发行人根据英特尔的技术要求设计开发样品，并将样品交付予英特尔进行性能测试。
在签署保密协议后，双方以电子邮件方式确认并持续推进产品导入过程。
2、发行人根据英特尔的要求向英特尔代工厂 A及英特尔代工厂 B交付小批量订单
在多轮样品测试持续符合英特尔技术要求后，自2019年1月起，英特尔直接向发行人下达小批量采购订单，并在订单中明确约定产品的交付对象为英特尔代工厂 A及英特尔代工厂 B。根据发行人与英特尔电子邮件交流情况，英特尔代工厂A及英特尔代工厂B将包括发行人数据中心AWG器件在内的材料生产成数据中心光模块后，进一步开展后续的产品性能测试。
3、英特尔代工厂A、英特尔代工厂B向发行人直接采购
经多轮小批量订单批次验证后，发行人数据中心 AWG 器件符合英特尔技术要求，自2019年7月起，按照与英特尔电子邮件确认情况，英特尔代工厂A、英特尔代工厂 B直接向发行人逐月发送采购订单，并由发行人直接向英特尔代
工厂 A、英特尔代工厂 B交付产品。产品的型号、技术指标、性能要求与英特
尔产品导入时的性能标准要求保持一致。同时，发行人每季度与英特尔以电子
邮件形式确定下季度产品价格，并每季度以电子邮件形式估计下季度预计采购
量以便发行人安排生产计划，最终实际采购数量以英特尔代工厂 A、英特尔代
工厂B发出的订单为准。
发行人与英特尔开展业务经历了逐步建立信任并深入合作的过程，英特尔要求发行人提供的产品类型与发行人向英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B销售的产品类型一致，英特尔以电子邮件形式估计下季度预计采购数量以便发行人安排生产计划，最终实际采购数量以英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B发出的订单为准；根据发行人与英特尔的电子邮件内容、订单及订单核心条款的确定方式，以及发行人与英特尔业务开展过程，能够确认英特尔代工厂 A和英特尔代工厂B系英特尔指定的代工厂，上述确认依据充分、可靠。
（三）请发行人说明在进入英特尔供应商名单后双方是否签署质量控制协议、合作框架等书面文件，说明签署时间、主要内容以及约定的合作期限；请保荐机构和律师进行核查
1、发行人与英特尔签署的框架协议的主要内容
（1）协议签署时间及生效时间
协议签署时间： 22020年4月3日；协议生效时间：2020年4月6日。
（2）合作期间
根据框架协议约定，合作期间为2020年4月6日至2025年4月5日。
（3）产品及价格确定
产品分别为 3CWDM4 Rx组件和FR4 Rx组件。双方每季度对产品价格进行评审和协商。实际订购价格将根据每个季度的谈判结果确定。随着业务的发展，双方将会开发更多的产品，这些产品将包括在本合同中。
（4）质量要求
发行人作为供应商为英特尔履行本协议项下的服务时，应遵守买方质量管理过程规范。发行人可以在供应商站点的产品数据管理模块（EPDM）中访问英特尔的规范。
2、英特尔通过例会的形式对发行人的产品进行质量要求并持续提出具体改进建议
除上述框架协议，英特尔品质和供应链管理部门还通过召开质量控制的周例会及月度例会形式对发行人关于英特尔需求产品的生产情况、生产过程中发现的问题、改进建议、客户反馈情况等进行讨论，督促发行人保持对相关产品的质量控制，例会的主要议题情况如下：
序号 会议主题（Meeting Topic）
1 每周产量（Weekly Yield）
2 内部问题分析（Internal IssueAnalysis）
3 内部问题分析及改进建议（Internal IssueAnalysis&Improvement）
4 客户反馈（CustomerFeedback）
5 开放式讨论（Opens）
综上所述，发行人进入英特尔供应商名单后双方已签署框架协议，并对产品名、价格确定方式、质量要求等要素进行了明确约定；同时，英特尔还通过2注：发行人与英特尔的合作协议签署日为2020年4月，但由于美国地区疫情较为严重，受居家办公等因素影响，发行人于6月收到正式签署的协议文件
3注：CWDM4 Rx组件对应发行人CWDM DEMUX（±6.5nm）规格的数据中心AWG器件；FR4 Rx组件
对应发行人CWDM DEMUX（±5.75nm）规格的数据中心AWG器件
例会的形式对发行人的产品提出质量要求并持续提出具体改进建议。
（四）申请文件显示，发行人与英特尔代工厂 A 的订单中产品项列示为“光纤尾纤”，与英特尔代工厂 B的订单中产品项列示为“电缆”，请说明订单所列产品与 AWG 芯片系列产品的相关性，如有必要，请更新招股书披露的发行人向英特尔及其代工厂销售的产品类型，更为准确地披露所售产品
申请文件中，英特尔代工厂A与英特尔代工厂B订单中对产品规格的表述及发行人相应的物料代码情况如下表所示：
客户名称 订单产品规格 发行人产品出库单
代码及名称
ISP-J12961-002_S_FIBER PIGTAIL,SMF-28,53.0,C
RX,W/DEMUS,BOI;FIBER ASSEMBLY**This mat
erial must comply to EU RoHS Directive.CoC requir
英特尔代工厂A ed for each lot.,COMMODITY;Optical Part,（MFG/ C.10.01.010940001，
MFG Part Number）: AWG组件
（HENAN SHIJIA PHOTONS TECHNOLOG/C.10.
01.010940001）,（10/01）,（010940001/-）
317.Z0036.005 C.10.01.010940001，
英特尔代工厂B CABLE AVRX FAU71.25MM GP AWG组件
C.10.01.10940001
1、上述订单中产品规格表述的前半部分为各自根据内部物料代码规则定义的名称，比如与英特尔代工厂A的订单中有“光纤尾纤”（即PIGTAIL）的表述，与英特尔代工厂B的订单中有“电缆”（即CABLE）的表述，上述差异因其各自内部物料代码的差异所造成；
2、上述订单的后半部分，系发行人对该产品的物料代码，均为“C.10.01.010940001 / C.10.01.10940001”，即指代发行人数据中心 AWG器件产品（规格为 CWDM DEMUX（±6.5nm））。发行人针对上述订单相应的出库单、发票等文件中均按照发行人物料代码列示，具有一致性。
因此，申请文件中发行人对英特尔代工厂A与英特尔代工厂B出售的产品相同，均为数据中心 AWG器件（具体规格为 CWDM DEMUX（±6.5nm））。
3、申请文件中，发行人对英特尔及其代工厂的订单为金额超过人民币 100万元以上的订单，涉及的产品均为数据中心AWG器件（规格为CWDM DEMUX（±6.5nm））。除此之外，发行人还向英特尔及其代工厂销售过 CWDM DEMUX（±5.75nm）规格的数据中心AWG器件，物料代码为C.10.01.010940008。
（五）保荐机构核查程序及核查意见
1、核查程序
（1）对发行人主要技术人员进行访谈，了解发行人主要 AWG 芯片产品的下游应用情况，查阅光迅科技、博创科技公司主页以及公开披露资料，比较发行人 AWG芯片产品与光迅科技、博创科技等主要同行业公司主要产品的差异，并结合发行人自身业务情况，分析 2019年发行人 AWG芯片系列产品毛利率较高的合理性；
（2）查阅了发行人与英特尔的重要往来邮件，确认相关邮件（邮件后缀均为@intel.com），邮件的收发方为英特尔的对接人员；
（3）查阅了英特尔指示发行人向英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B直接发货的有关邮件，确认英特尔代工厂A、英特尔代工厂B与英特尔的供应关系；
（4）查阅发行人与英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B的订单及物料代码，确认发行人向英特尔代工厂A、英特尔代工厂B销售的产品类型一致；
（5）对发行人主要业务负责人进行访谈，了解发行人和英特尔及英特尔代工厂A、英特尔代工厂B开展业务的过程，确认英特尔代工厂A、英特尔代工厂B与英特尔的供应关系；
（6）实地走访了英特尔代工厂 B在中山保税区的工厂（与订单发货地址一致）；
（7）视频访谈了英特尔代工厂 A，视频访谈过程中致同国际泰国成员所前往英特尔代工厂 A 生产经营地（与订单发货地址一致）与被访谈对象一同参与，保存了访谈录像并取得对方书面签署确认的访谈记录文件；
（8）查阅发行人与英特尔签署的协议，以及发行人与英特尔品质和供应链管理部门关于质量控制的周例会、月度例会的会议文件；
（9）查阅发行人与英特尔及英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B的订单，将上述订单中涉及发行人物料代码的内容与订单对应的出库单、发票等文件进行核对，检查物料代码是否具有一致性。
2、核查意见
经核查，保荐机构认为：
（1）发行人AWG系列产品2019年毛利率水平合理；
（2）发行人与英特尔开展业务经历了逐步建立信任并深入合作的过程，英特尔要求发行人提供的产品类型与发行人向英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B销售的产品类型一致，英特尔以电子邮件形式估计下季度预计采购数量以便发行人安排生产计划，最终实际采购数量以英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B发出的订单为准；根据发行人与英特尔的电子邮件内容、订单及订单核心条款的确定方式，以及发行人与英特尔业务开展过程，能够确认英特尔代工厂 A和英特尔代工厂B系英特尔指定的代工厂，上述确认依据充分、可靠；
（3）发行人进入英特尔供应商名单后双方已签署框架协议，并对产品名、价格确定方式、质量要求等要素进行了明确约定；同时，英特尔还通过例会的形式对发行人的产品提出质量要求并持续提出具体改进建议；
（4）发行人对英特尔及其代工厂出售的产品均为数据中心AWG器件。
（六）发行人律师核查程序及核查意见
1、核查程序
（1）查阅了发行人与英特尔的重要往来邮件，确认相关邮件（邮件后缀均为@intel.com），邮件的收发方为英特尔的对接人员；
（2）查阅了英特尔指示发行人向英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B直接发货的有关邮件，确认英特尔代工厂A、英特尔代工厂B与英特尔的供应关系；
（3）查阅发行人与英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B的订单及物料代码，确认发行人向英特尔代工厂A、英特尔代工厂B销售的产品类型一致；
（4）对发行人主要业务负责人进行访谈，了解发行人和英特尔及英特尔代工厂A、英特尔代工厂B开展业务的过程，确认英特尔代工厂A、英特尔代工厂B与英特尔的供应关系；
（5）实地走访了英特尔代工厂 B在中山保税区的工厂（与订单发货地址一致）；
（6）视频访谈了英特尔代工厂 A，视频访谈过程中致同国际泰国成员所前往英特尔代工厂 A 生产经营地（与订单发货地址一致）与被访谈对象一同参与，保存了访谈录像并取得对方书面签署确认的访谈记录文件；
（7）查阅发行人与英特尔签署的协议，以及发行人与英特尔品质和供应链管理部门关于质量控制的周例会、月度例会的会议文件。
2、核查意见
经核查，发行人律师认为：
（1）发行人与英特尔开展业务经历了逐步建立信任并深入合作的过程，英特尔要求发行人提供的产品类型与发行人向英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B销售的产品类型一致，英特尔以电子邮件形式估计下季度预计采购数量以便发行人安排生产计划，最终实际采购数量以英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B发出的订单为准；根据发行人与英特尔的电子邮件内容、订单及订单核心条款的确定方式，以及发行人与英特尔业务开展过程，能够确认英特尔代工厂 A和英特尔代工厂B系英特尔指定的代工厂，上述确认依据充分、可靠；
（2）发行人进入英特尔供应商名单后双方已签署框架协议，并对产品名、价格确定方式、质量要求等要素进行了明确约定；同时，英特尔还通过例会的形式对发行人的产品提出质量要求并持续提出具体改进建议。
七、发行人报告期递延收益分别为 7,020.86 万元、6,944.27 万元和8,610.28万元，主要有中国科学院半导体研究所河南研究院研究平台奖励补贴、仕佳光电子产业园前期开发费、公租房项目。请发行人说明上述3个项目进展
情况，长期挂账原因，报告期摊销及未来拟摊销情况，账务处理是否符合相关
企业会计准则。请保荐机构和会计师就相关情况进行核查并发表明确意见。
回复：
（一）请发行人说明上述 3 个项目进展情况，长期挂账原因，报告期摊销及未来拟摊销情况，账务处理是否符合相关企业会计准则
1、中国科学院半导体研究所河南研究院研究平台项目
根据鹤壁市人民政府办公室印发的《鹤壁市人民政府办公会议纪要》（鹤政办会[2015]4号）、根据鹤壁经济技术开发区财政局印发的《关于下达中国科学半导体研究所河南研究院研究平台奖励补贴资金的通知》等文件的规定，该项目主要系针对发行人与中科院半导体所合作开展DFB激光器芯片产业化的补助。
该项目政府补助长期挂账原因主要有两个：第一、财政拨款分批下发，公司分别于 2015 年度、2017 年度、2019 年度收到财政拨款 2,000.00 万元、1,000.00万元、2,000.00万元，合计5,000.00万元；第二、根据政府补助文件，2015-2017年度收到的政府补助主要与资产相关，用于购买设备，相应的政府补助在设备购置或在建工程转入固定资产后逐年摊销；2019年度收到的政府补助用于补贴DFB激光器芯片研发实际产生费用，尚未使用的部分计入递延收益。目前发行人DFB激光器芯片的研发工作仍然在持续开展。
该项目政府补助报告期内的摊销情况如下表所示：
单位：万元
收到 收到 报告期 2019年
补助项目 年份 补助类型 金额 初已摊 2017年 2018年 2019年 末递延
销金额 收益
与收益相关 500.00 500.00 - - - -
500.00 50.00 50.00 50.00 50.00 300.00
2015年
中国科学院 与资产相关 500.00 - - - 50.00 450.00
半导体研究 500.00 - - - 50.00 450.00
所河南研究
院研究平台 500.00 - - - 50.00 450.00
项目 2017年 与资产相关 500.00 - - - - 500.00
2019年 与收益相关 2,000.00 - - - 501.11 1,498.89
合计 5,000.00 550.00 50.00 50.00 701.11 3,648.89
上述政府补助未来拟摊销情况如下：第一、与资产相关的政府补助，将按照所购置设备的使用年限（一般为10年）进行摊销；第二、与收益相关的政府补助，将根据该项目实际产生费用情况进行摊销。
2、仕佳光电子产业园前期开发费项目
根据《鹤壁经济技术开发区财政局关于拨付河南仕佳光子科技有限公司平面光波导（PLC）芯片项目扶持资金的通知》（鹤开管财[2011]105 号），发行人于2011年度收到财政拨款1,987.26万元，用于公司平面光波导（PLC）芯片项目（一期）的基础设施建设。
该项目政府补助长期挂账原因系上述款项用于购买土地使用权，根据土地使用权期限50年进行摊销。
报告期内，仕佳光电子产业园前期开发费项目的摊销及递延收益情况如下：
单位：万元
收到 收到 报告期 2019年
补助项目 年份 补助类型 金额 初已摊 2017年 2018年 2019年 末递延
销金额 收益
仕佳光电子
产业园前期 2011年 与资产相关 1,987.26 211.96 39.75 39.75 39.75 1,656.05
开发费项目
上述政府补助未来将延续该项目递延收益的摊销政策继续进行摊销，直至摊销完毕。
3、仕佳光子公租房项目
根据《鹤壁市保障性安居工程工作领导小组关于开发区荣基春城部分项目建设地址变更的批复》（鹤保安居[2014]22号），公司分别于2016年度、2017年度收到政府补助300.00万元、600.00万元，合计900.00万元。根据上述文件要求，该 900.00万元政府补助将用于仕佳光电子产业园区职工宿舍楼（公租房）建设的补贴。
该项目政府补助长期挂账原因系上述款项用于建设职工宿舍楼，为与资产相关的政府补助。2018年 6月，职工宿舍楼建设项目完工并达到可使用状态，转入固定资产，发行人根据职工宿舍楼（公租房）的预计可使用年限30年对已确认的递延收益进行摊销。
报告期内，仕佳光子公租房项目的摊销及递延收益情况如下：
单位：万元
收到 收到 报告期 2019年
补助项目 年份 补助类型 金额 初已摊 2017年 2018年 2019年 末递延
销金额 收益
仕佳光子公 2016年、 与资产相关 900.00 - - 15.00 30.00 855.00
租房项目 2017年
上述政府补助未来将延续该项目递延收益的摊销政策继续进行摊销，直至摊销完毕。
4、上述政府补助项目的账务处理符合企业会计准则的规定
根据《企业会计准则第16号—政府补助》规定，发行人将用于购建或以其他方式形成长期资产的政府补助划分为与资产相关的政府补助；对于政府文件未明确规定补助对象的，能够形成长期资产的，与资产价值相对应的政府补助部分作为与资产相关的政府补助，其余部分作为与收益相关的政府补助；除与资产相关的政府补助之外的政府补助划分为与收益相关的政府补助；对于同时包含与资产相关部分和与收益相关部分的综合性政府补助，公司区分不同部分分别进行会计处理；难以区分的，应当整体归类为与收益相关的政府补助。
与资产相关的政府补助，收到时确认为递延收益的，应当在相关资产使用寿命内按照合理、系统的方法分期计入损益；与收益相关的政府补助，用于补偿企业以后期间的相关成本费用，收到时确认为递延收益，并在确认相关成本费用的期间，计入当期损益。
对照企业会计准则的规定，发行人上述政府补助项目的财务处理符合《企业会计准则第16号—政府补助》的相关规定。
（二）保荐机构和会计师的核查程序及核查意见
1、核查程序
（1）查阅发行人的政府补助项目相关批准文件及资金划拔单等，检查政府补助相关项目进展情况，检查相关政府补助是否满足文件规定的条件；
（2）复核政府补助的性质、金额、入账时间、摊销是否正确，长期挂账原因是否合理，检查相关会计处理是否符合《企业会计准则第 16 号-政府补助》的规定。
2、核查意见
经核查，保荐机构及申报会计师认为，发行人上述政府补助项目长期挂账的原因合理，账务处理符合《企业会计准则第16号—政府补助》的规定。
（本页无正文，为《关于河南仕佳光子科技股份有限公司首次公开发行股票并
在科创板上市的发行注册环节反馈意见落实函之回复》之签章页）
法定代表人、董事长：
葛海泉
河南仕佳光子科技股份有限公司
年 月 日
保荐机构总经理的声明
本人已认真阅读河南仕佳光子科技股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的发行注册环节反馈意见落实函之回复的全部内容，了解回复涉及问题的核查过程、本公司的内核和风险控制流程，确认本公司按照勤勉尽责原则履行核查程序，本回复不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对上述文件的真实性、准确性、完整性、及时性承担相应法律责任。
保荐机构总经理：
马 骁
华泰联合证券有限责任公司
年 月 日
（本页无正文，为《关于河南仕佳光子科技股份有限公司首次公开发行股票并
在科创板上市的发行注册环节反馈意见落实函之回复》之签章页）
保荐代表人：
刘 鹭 李 威
华泰联合证券有限责任公司
年 月 日
关于河南仕佳光子科技股份有限公司
首次公开发行股票并在科创板上市的
发行注册环节反馈意见落实函之回复
中国证券监督管理委员会、上海证券交易所：
河南仕佳光子科技股份有限公司（以下简称“公司”、“发行人”或“仕佳光子”）及华泰联合证券有限责任公司（以下简称“华泰联合证券”、“保荐机构”）收到贵所于 2020 年 6 月 23 日转发的《发行注册环节反馈意见落实函》（以下简称“落实函”），公司已会同华泰联合证券、上海市锦天城律师事务所（以下简称“律师”）、致同会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称“会计师”）进行了认真研究和落实，并按照落实函的要求对所涉及的问题进行了回复，请予审核。
除非文义另有所指，本落实函回复中的简称与《河南仕佳光子科技股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书（注册稿）》（以下简称“《招股说明书》”）中的释义具有相同涵义。
本问询函回复的字体说明如下：
审核问询函所列问题 黑体（不加粗）
对问题的回答 宋体
对招股说明书的修改、补充 楷体、加粗
对招股说明书引用 楷体不加粗
一、关于PLC芯片系列产品。PLC分路器芯片是发行人光芯片业务的主要产品类型，2017年至2019年发行人PLC分路器芯片系列产品收入分别为1.24亿元、1.22亿元、1.10亿元，占发行人同期收入总额的比重约20%。招股说明书中披露，“发行人PLC分路器芯片全球市场占有率第一”，该结论主要是通过引用第三方机构ElectroniCast报告公布的市场规模及发行人PLC芯片的销售数量推算得出。问询函回复中提到的三家PLC芯片的同行业公司（鸿辉光通等）整体收入规模与发行人相当或超过发行人，请发行人说明上述“PLC分路器芯片市场占有率全球第一”的计算口径是否合理、计算依据是否充分，如上述市场占有率的表述不够准确，请在招股说明书中准确披露公司的市场地位。请保荐机构核查后发表意见。
回复：
（一）问询函回复中提到的三家PLC芯片的同行业公司（鸿辉光通等）整体收入规模与发行人相当或超过发行人，请发行人说明上述“PLC 分路器芯片市场占有率全球第一”的计算口径是否合理、计算依据是否充分，如上述市场占有率的表述不够准确，请在招股说明书中准确披露公司的市场地位
1、三家 PLC 分路器芯片同行业公司（鸿辉光通、太辰光、中兴新地）与发行人的进一步比较
（1）发行人与鸿辉光通的进一步比较
①鸿辉光通PLC分路器芯片产能及产销量情况低于发行人
鸿辉光通招股说明书申报稿（2017年11月10日报送）中未披露其PLC分路器晶圆、芯片的产销量情况，仅披露了其 PLC分路器器件的产销量情况，具体如下所示：
单位：万只
产品类别 项目 2017年1-6月 2016年 2015年 2014年
产能 60.00 120.00 120.00 80.00
PLC光分路器 产量 41.66 90.18 159.29 63.91
销量 32.85 102.86 152.47 46.02
假定上述 PLC分路器器件全部使用自产芯片，按照其 2016年的对外销售折算，其 PLC分路器器件折算的 PLC分路器芯片为 102.86万片，低于发行人PLC分路器芯片的销售量。
②鸿辉光通 PLC 分路器芯片核心设备（晶圆段设备）数量少于发行人且后续未发生大规模设备新增投资
根据鸿辉光通招股说明书，其 2017年 6月末 PLC分路器晶圆主要设备与发行人2017年12月末上述设备的对照情况如下：
单位：台
鸿辉光通 发行人
设备用途 （2017年6月30日） （2017年12月31日）
设备名称 数量 设备名称 数量
晶圆芯区 化学气相沉淀设备(PECVD) 1 化学气相沉积（PECVD芯区） 7
生长
晶圆包层 火焰水解沉积设备(FHD) 1 化学气相沉积（PECVD上包） 4
生产
晶圆芯区 刻蚀设备（Silica） 1 刻蚀设备（Silica） 5
刻蚀
晶圆芯区 退火设备（用于PECVD生 1 退火设备（用于PECVD生长 2
退火 长后退火） 芯区后退火）
晶圆包层 退火设备（用于FHD生长后 1 退火设备（用于PECVD生长 6
回流 退火） 上包后退火）
晶圆芯区 晶圆光刻机 1 晶圆光刻机 2
光刻
同时，根据鸿辉光通于新三板披露的2017年、2018年及2019年年度报告，其2017年以来总体新增的机器设备情况如下：
单位：万元
项目 2019年 2018年 2017年
本期增加 499.50 191.62 188.14
而根据鸿辉光通招股说明书，其 PLC分路器晶圆主要设备的购买原值情况如下：
单位：万元
设备用途 设备名称 数量（台） 原值
晶圆芯区生长 化学气相沉淀设备（PECVD） 1 911.28
晶圆包层生产 火焰水解沉积设备（FHD） 1 601.59
晶圆芯区刻蚀 刻蚀设备（Silica） 1 474.94
晶圆芯区退火 退火设备（用于PECVD生长后退火） 1 392.62
晶圆包层回流 退火设备（用于FHD生长后退火） 1 101.32
晶圆芯区光刻 晶圆光刻机 1 139.70
结合鸿辉光通 2017年以来总体新增的机器设备金额以及其 PLC分路器晶圆主要设备的购买原值情况分析，鸿辉光通自 2017年以来未对其 PLC分路器晶圆制造主要设备进行大规模的新增投资。
③鸿辉光通披露的“PLC 分路器及其他光器件”收入明细包含的产品类别较多
在收入明细方面，鸿辉光通未披露 PLC分路器晶圆、芯片或器件的收入明细，按照“PLC 分路器及其他光器件”的口径（根据其招股说明书披露，此处口径包括PLC分路器晶圆、芯片及器件、AWG晶圆及芯片1、VOA可调光衰减器、光纤连接器、FBT光分路器、MPO连接器、V型槽、光纤阵列等）披露收入情况如下：
单位：万元
产品类别 2017年1-6月 2016年 2015年 2014年
PLC分路器及其他光器件 1,490.93 6,175.66 9,511.69 5,448.26
鸿辉光通于新三板披露的2017年、2018年及2019年年度报告中，均未披露 PLC分路器晶圆、芯片及器件的收入明细或产销量数据情况，仍然按照该口径进行披露，具体如下：
单位：万元
产品类别 2019年 2018年 2017年
PLC分路器及其他光器件 9,242.43 4,779.26 4,164.54
根据其公开披露资料，鸿辉光通上述口径包含的产品类别较多。
综上所述，根据鸿辉光通招股说明书披露的过往年度 PLC分路器产销量情况、核心设备数量情况以及后续的设备投资情况分析，报告期内鸿辉光通 PLC1根据鸿辉光通招股说明书，鸿辉光通 2016-2017年研发出 AWG晶圆产品并已实现试生产，但未披露其AWG 晶圆的产能、产销量数据。根据鸿辉光通 2019年年度报告，在经营计划或目标方面，计划“扩充公司晶圆及芯片产能，为AWG晶圆及芯片推向市场做好产能准备”，但未披露AWG晶圆、芯片或器件量产的信息或收入数据。
分路器芯片的产能、产销量低于发行人。
（2）发行人与太辰光的进一步比较
根据太辰光2016年11月披露的《招股说明书》，太辰光主要从事PLC分路器封装业务，其 PLC分路器芯片主要采购自广东瑞芯源技术有限公司（以下简称“瑞芯源”）。
瑞芯源系收购广东尚能光电技术有限公司（原名佛山日海易能光电技术有限公司，以下简称“尚能光电”）主要资产后在其原经营地址设立。尚能光电成立于2011年2月28日，由日海智能（002313.SZ）子公司深圳市日海通讯设备有限公司（以下简称“日海通讯”）与加拿大 Enablence合资设立，日海通讯持股 51%，从事 PLC分路器晶圆及芯片的生产销售。自设立以来，尚能光电的营业收入及净利润情况如下表所示：
单位：万元
项 目 2015年 2014年 2013年 2012年
营业收入 1,790.65 700.05 340.73 266.14
净利润 -5,509.07 -1,622.83 -1,895.25 -1,811.72
2015年度，日海通讯对尚能光电的固定资产进行拍卖。2015年11月，瑞芯源在尚能光电原经营地址设立，主要资产仍为尚能光电对外拍卖固定资产。
2017年8月10日，太辰光发布《对外投资公告》，决定以人民币800万元收购瑞芯源 100%股权。2017年 10月 27日，太辰光发布《关于变更部分募投项目（新增 PLC晶圆生产线）资金用途的公告》，决定对于首发募投项目进行部分变更----新增PLC晶圆生产线，实施方式由外购、自建生产线变更为向全资子公司瑞芯源增资。
根据太辰光 2019年年度报告，募投项目新增 PLC晶圆生产线（改为以收购瑞芯源并增资实现）于2019年12月06日达到预定可使用状态。
2017年、2018年及2019年年度报告中，太辰光未披露过关于PLC分路器晶圆、芯片或器件的产销量数据或收入明细数据。
（3）发行人与中兴新地的进一步比较
根据中兴新地2015年9月《公开转让说明书》，研发项目中“多模集成光分路芯片开发”项目仍处于“小批试制”状态。2015年年度报告中，中兴新地披露“本年度，公司进一步优化了自制光芯片的生产工艺，实现了大批量生产”。2018年8月，中兴新地变更经营范围，在经营范围中增加“光波导芯片”的内容。
2017年、2018年及2019年年度报告中，中兴新地未披露过关于PLC分路器晶圆、芯片或器件的产销量数据或收入明细数据。
报告期内，中兴新地持续向发行人采购 PLC分路器晶圆、芯片，具体金额情况如下：
单位：万元
项 目 2019年 2018年 2017年
PLC分路器晶圆 33.10 19.92 20.84
PLC分路器芯片 - 0.98 11.47
合计 33.10 20.90 32.30
2、发行人“PLC分路器芯片市场占有率全球第一”的依据
（1）发行人PLC分路器芯片市场占有率计算依据为数量占比及原因
PLC 分路器芯片根据封装工序的不断延伸，可以加工至器件（包括祼器件、加接头器件）、模块、设备等，产品价格也从几元/片、几十元/只，到几百元/台，价格差异比较大。而同行业各公司由于产品类别不同，仅从 PLC系列产品整体销售收入规模分析，难以准确体现各公司在芯片方面的市场地位。因此，发行人主要根据PLC分路器芯片的销售量来计算并披露发行人在PLC分路器芯片方面的行业地位。
（2）发行人折算PLC分路器芯片销售量和占有率的方法具有合理性
在折算PLC分路器芯片对外销售时，考虑到发行人同时出售PLC分路器晶圆、芯片及器件产品，发行人进行如下折算：第一、对于晶圆，按照当年发行人自用晶圆的单张晶圆平均生产芯片数量，乘以当年对外销售的晶圆数量，将晶圆折算为芯片数量；第二、对于器件，由于单只 PLC分路器件使用的芯片均为一片，因此将当年对外销售的 PLC器件数量近似按 1:1的关系折算为芯片数量。
ElectroniCast分别于2018年3月和2019年3月公开发布行业报告，2017年和 2018年全球 PLC分路器器件消耗量分别为 3,280万只和 3,348万只。对于2019年全球PLC分路器器件消耗量，ElectroniCast尚未公开发布相关报告。
针对 2017年、2018年的数量，结合发行人自身销售情况，对 PLC分路器芯片占有率的折算过程如下：
项目 2018年度 2017年度
PLC分路器晶圆对外销售量（张） A 17,376 24,604
PLC分路器晶圆自用量（张） B 19,974 11,635
PLC分路器芯片产量（万片） C 980.95 457.91
单张晶圆平均生产芯片数量（片/ D=C/B 491.11 393.56
张）
PLC分路器晶圆对外销售折算芯片 E=A*D 853.36 968.32
数量（万片）
PLC分路器芯片对外销售量（万 F 554.31 187.15
片）
PLC分路器器件对外销售量（万片） G 397.69 333.28
器件与芯片的折算关系 H 1 1
PLC分路器器件对外销售折算芯片 I=G*H 397.69 333.28
数量（万片）
折算后PLC分路器芯片对外销售量 J=E+F+I 1,805.36 1,488.75
全球市场PLC分路器器件数量 K 3,348 3,280
折算后全球市场PLC分路器芯片数 L=K*H 3,348 3,280
量
发行人PLC分路器芯片占有率 M=J/L 53.92% 45.39%
经测算，发行人 2017 年度、2018 年度 PLC 分路器芯片占有率分别为45.39%、53.92%。上述计算方法具有合理性，根据上述计算结果，发行人认定“PLC分路器芯片市场占有率全球第一”具有合理性。
（3）发行人“PLC 分路器芯片市场占有率全球第一”的表述亦有外部第三方证据支撑
① 中国电子元件行业协会光电线缆及光器件分会于 2016 年 5 月编写的《中国光电线缆及光器件行业“十三五”发展规划纲要（2016~2020）》中，对光器件行业“十二五”回顾时，明确指出：
第一、无源产品“晶圆与芯片制造涉及光波导结构设计和半导体制备工艺，由于技术起点高，制备工艺设备价格昂贵，因此，晶圆及芯片长期受制于国外，为日、韩等国垄断。自2010年，我国有几家PLC晶圆生产企业相继成立，1*N、2*N（N=2,4,8,16,32,64,128等）多个规格产品全面推向市场，初步掌握了 PLC晶圆设计、制备工艺及规模化生产技术，PLC 晶圆性能达到国际同类水平。‘十二五’期间，PLC晶圆的突破，特别是光分路器芯片占50%，国内以河南仕佳光子为主。但由于资金密集、技术密集、投入高，产出少，且起步晚，由于日、韩企业的起步早，目前已经完成的设备折旧的费用，国内厂商在竞争中，成本上不具备优势，始终没有形成产业规模的优势。”
第二、细分产业分析“细分市场其中光收发模块类市场为45亿美元，我国光迅占5%，居全球第5位；光放大器市场为5亿美元，我国光迅占10%，居全球第3位；PLC光分路器晶圆及芯片，河南仕佳光子约占全球一半的份额。”
②行业内主要媒体相关报道
标题 时间 来源 相关报道内容
鹤壁市的 PLC光分路器芯片产业化项目是
国内第一个实现光分路器芯片产业化的项
《鹤壁市将率先实 2012年1 讯石光通 目，建成投产后将在国内率先实现 PLC光
现PLC光分路器芯 月 讯网 分路器芯片的自主知识产权研发和规模化
片自主生产》 生产，填补国内空白，并有望成为我国光
集成的生产、研发中心乃至光分路器芯片
方面的生产基地
早在两个月前，韩国芯片厂商已经开始故
《PLC芯片价格大 2015年1 意不放货给大陆厂商，以便找到涨价的理
涨的背后》 月 光纤在线 由。此外，尽管国内厂商仕佳的芯片已经
被在规模采用，但产能仍然不足以满足日
渐增长的需求
《光纤通信50年： 2016年6 在光芯片领域，在无源 PLC分路器领域，
光通信产业发展飞 月 光纤在线 仕佳已经成为全球最大的 PLC分路器芯片
速但仍需努力》 制造商
注 1：讯石光通讯网系讯石信息咨询（深圳）有限公司创办，讯石信息咨询（深圳）有限
公司成立于2001年4月，是以光通信企业为对象的专业化咨询服务机构，在国内光通信行
业具有一定权威性，网址链接http://www.iccsz.com/Site/CN/contact/index.html
注2：光纤在线成立于2001年5月，系服务于中国光纤通信行业的专业垂直门户网站和咨
询机构，是最早的光纤通信中文资讯网站之一，网址链接http://www.c-fol.net/
综上所述，发行人在招股说明书中“PLC 分路器芯片市场占有率全球第一”计算口径合理、计算依据充分，结合外部第三方证据的佐证，发行人对 PLC分
路器芯片的市场占有率和市场地位的表述准确。
（二）保荐机构的核查程序及核查意见
1、核查程序
（1）查阅了鸿辉光通、太辰光和中兴新地的公开披露信息，将发行人与上述三家企业在PLC分路器芯片方面进行比较分析；
（2）查阅 PLC 分路器产品从晶圆、芯片到器件的生产业务流程关系，结合发行人PLC分路器系列产品产销量统计情况，复核发行人折算PLC分路器芯片的计算口径是否合理、计算依据是否充分；
（3）查阅《中国光电线缆及光器件行业“十三五”发展规划纲要（2016~2020）》、讯石光通讯网及光纤在线等第三方资料，分析发行人对于PLC分路器芯片行业地位的表述是否准确。
2、核查意见
经核查，保荐机构认为，发行人关于“PLC分路器芯片市场占有率全球第一”的计算口径合理、计算依据充分，发行人“PLC分路器芯片市场占有率全球第一”的表述准确。
二、关于AWG芯片系列产品。AWG芯片产品主要用于5G前传和数据中心两种场景。招股说明书披露，国内稳定批量生产数据中心AWG芯片产品的厂商主要为发行人，其他国内厂商仍在研发或逐步量产。但同行业公司光迅科技等也已有AWG芯片相关产品。
请发行人说明并披露不同应用场景下的AWG芯片厂家是否存在竞争关系、AWG芯片产能或产线是否与应用场景具有较强的对应关系、在不同应用场景实现切换是否存在较大障碍。并请说明数据中心除使用AWG芯片产品以外，是否存在其他类型或其他技术路线的可替代芯片。请结合上述情况完整披露发行人在AWG芯片产品相关领域的竞争对手和市场地位。
回复：
（一）请发行人说明并披露不同应用场景下的 AWG 芯片厂家是否存在竞争关系、AWG 芯片产能或产线是否与应用场景具有较强的对应关系、在不同应用场景实现切换是否存在较大障碍
1、不同应用场景下的AWG芯片产品不存在竞争关系
发行人不同应用场景下AWG芯片的主要区别如下：
项目 数据中心 骨干网 5G前传
数据中心光模块厂商， DWDM光模块或光设备 WDM模块或基站设备
客户 包括英特尔、索尔思、 厂商，包括Molex、中 厂商
AOI、华工正源等 兴通信、武汉永鼎等
衬底材料 石英衬底或硅衬底，以 硅衬底 硅衬底
石英衬底为主
折射率差 2.0% 0.75% 0.75%
需要解决小尺寸、低损 需要调节上包层B、P 需要通过自由波谱重叠
耗之间制约关系，以及 重掺杂组份减小应力双 设计，调节材料生长折
工艺难点 高掺杂芯区与上包层互 折射，以及解决重掺杂 射率优化色散值，保证
溶的问题 上包层高湿度吸水龟裂 同一通道两个波长的上
的问题 传和下载
注：此处5G前传场景下进行比较的是5G前传用AWG芯片，而非基于AWG封装技术的
波分复用WDM器件
不同应用场景下的 AWG芯片在客户、衬底材料、工艺难点等方面存在较大差异，不存在相互竞争关系。
根据公开披露资料，目前国内能够量产销售（含自用）AWG晶圆、芯片厂商主要为光迅科技、博创科技，其产品为 DWDM AWG 器件，与发行人DWDM AWG器件产品之间存在竞争关系，与发行人数据中心 AWG器件产品之间不存在竞争关系。
2、不同应用场景下AWG芯片产品的设备具有一定共通性，但是工艺技术差异较大，需要在芯片设计、晶圆制造等工艺突破和持续优化后才能实现切换
数据中心AWG芯片与DWDM AWG芯片在晶圆段的设备如芯区生长、刻蚀、光刻等设备可以共用。设备可以共用仅代表工艺路线存在相似性，并不代表能够随意切换。根据发行人DWDM AWG芯片产品、数据中心AWG芯片产品的先后量产经验，不同应用场景下 AWG芯片产品的切换需要满足如下条件：
（1）减小芯片尺寸。在骨干网、城域网和5G用AWG芯片尺寸为44.7mmx 34.4mm，而数据中心AWG芯片尺寸要求更小，一般在10.5 mm x 2.5mm。芯片尺寸的减小，要求在芯片设计中采用更小的弯曲半径、更小的波导尺寸，并且需要重新调整晶圆制造及芯片加工工艺，以兼顾芯片尺寸及性能的匹配关系。
（2）重新制定工艺方案并不断优化。由于不同应用场景 AWG芯片衬底材料不同、折射率差不同，波导宽度和厚度不同，因此针对不同应用场景的AWG芯片需要不同的工艺方案和技术路线。比如发行人在DWDM AWG研制成功并开始逐步量产后，在数据中心 AWG的研制和量产过程中，进行了大量的工艺实验，对材料生长各气体流量比、刻蚀气体流量比及退火温度曲线等工艺方案的诸多方面进行反复探索和不断优化，直到形成新的能够量产的工艺方案，并积累了相应的核心工艺技术。
因此，在实现相关芯片在芯片设计、晶圆制造等环节的新的工艺突破和持续优化后，AWG芯片产能或产线在不同应用场景才可以实现切换；在不具备相应新的工艺技术开发和积累的情况下，AWG芯片产能或产线在不同应用场景难以实现切换。
（二）请发行人说明数据中心除使用 AWG 芯片产品以外，是否存在其他类型或其他技术路线的可替代芯片
1、介质膜滤光片（TFF）与 AWG芯片之间有替代关系，AWG芯片集成化程度更高，符合行业技术演进趋势
介质膜滤光片（TFF）和 AWG芯片均属于光波分复用技术（WDM）技术，对波长进行分割复用/解复用。AWG芯片属于平面型，介质膜滤光片（TFF）属
于介质膜型。AWG芯片与滤光片的技术性能比较情况如下表所示：
项 目 AWG芯片 介质膜滤光片（TFF）
集成度高，一个芯片可完成多个波
长的复用及解复用功能，减少复杂 通道数少时损耗小，波长对温度敏
优点 的组装工艺，有利于降低封装成 感性较低、带宽大
本；损耗不随通道数增加成比例增
加
缺点 波长对温度敏感，密集波分复用下 每个滤光片只能实现一个波长的滤
需要温度控制装置 波，多波长的复用、解复用功能需
要多个滤光片、透明基块以及准直
透镜组装在一起才能实现，导致封
装工艺较为复杂，集成度较低；损
耗随着通道数增加成比例增加
发行人招股说明书（注册稿）在“第六节/二/（四）/5/（2）波分复用技术的下沉和演进”已进行如下披露：
以数据中心为例，随着超大型数据中心数量的增加，平面光路型WDM的应用场景和需求也大幅增加。以CWDM4 100G光模块为例，适用连接距离0.5-2km，每个光模块需要一对4通道AWG芯片（属于平面型）或两组滤波片（属于介质膜型）。随着4通道AWG芯片成本下降及光电集成技术的成熟，目前包括英特尔在内的多家光模块公司已转向使用AWG芯片组装集成方案，预计未来在400G光模块技术中，平面型的AWG方案将成为市场主流。
此外，WDM方案在无线网络建设尤其是5G建设领域的应用也不断加大。目前5G前传6波、12波的方案中，采用以滤波片为主的WDM器件。未来在密集波分复用应用方案下，AWG将逐步得到应用和推广。
由于介质膜滤光片（TFF）针对每一个波长需要设置一个滤光片，集成化程度较低，并且随着波长数量的增加，会导致后续模块封装工艺难度的提升。WDM根据波长间隔可以分为粗波分复用 CWDM和密集波分复用 DWDM。目前数据中心光模块以及5G前传光模块等产品主要以粗波分复用CWDM为主，一般在4 ~12波，在此领域介质膜滤光片（TFF）主要在粗波分复用CWDM技术中与AWG芯片存在一定的替代关系。而密集波分复用DWDM一般为40~48波，在此领域基本为AWG芯片方案，较少采用滤光片方案。
在工信部电子信息司、中国电子元件行业协会于 2017年 12月编写的《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018-2022）》中，明确提出“AWG 是密集波分复用系统（DWDM）中的首选技术。是利用PLC技术在芯片衬底上制作的阵列波导光栅。与介质膜滤光片（TFF）、光纤光栅（FBG）技术相比，AWG具有集成度高、通道数目多、插入损耗小、易于批量自动化生产等优点”。因此《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018-2022）》中将 AWG芯片而
非介质膜滤光片（TFF）列示为核心通信光电子芯片。AWG芯片的特点有利于
提升光器件、光模块的集成度，符合数据中心光模块从100G向200G、400G演
进趋势。发行人 4通道 AWG芯片在数据中心光模块产品领域已成功实现批量
化应用。根据技术演进情况，目前100G数据中心光模块仅部分采用AWG芯片
方案，未来 AWG芯片方案在 200G、400G数据中心光模块将得到更加广泛的
应用。
2、介质膜滤光片（TFF）的主要厂商
（1）统新光讯股份有限公司
统新光讯股份有限公司成立于2003年，位于中国台湾台南市，为台湾证券交易所上市公司（TWSE：6426），主营薄膜滤光片、光学与功能性镀膜加工等，主要应用于电信及数据通信市场，2019年营业收入约1.44亿人民币。
（2）合波光电通信科技有限公司
合波光电通信科技有限公司成立于2006年9月，注册资本5,060.00万人民币，专业从事设计、研发、生产光通信镀膜产品，主要产品包括OSA/Bidi/Triplexer用滤光片、CWDM/LAN WDM filter/Block、全波 CWDM滤光片、窄带滤光片、分光片等。
（3）苏州浩联光电科技有限公司
苏州浩联光电科技有限公司成立于2017年5月，注册资本1,000.00万元人民币，是一家以生产光通讯高端光学薄膜产品为主的公司，主要产品包括光通信窄带滤光片（LanWDM、DWDM）、宽带滤光片、边通滤光片、增益平坦滤光片（GFF）、精密光学滤光片、生物医疗滤光片。
（4）腾景科技
腾景科技股份有限公司成立于 2013年 10月，从事各类精密光学元件、光纤器件研发、生产和销售，产品主要应用于光通信、光纤激光、量子信息科研等领域。根据腾景科技招股说明书申报稿（2020年4月29日申报），腾景科技的产品包括数据中心CWDM滤光片，其数据中心用CWDM滤光片已成为苏州旭创等全球知名光模块厂商的主要供方。腾景科技招股说明书申报稿中未披露其数据中心用CWDM滤光片的销售收入，或者对苏州旭创的销售收入。
（三）请结合上述情况完整披露发行人在 AWG 芯片产品相关领域的竞争对手和市场地位
1、根据上述情况，发行人在招股说明书（注册稿）“第六节/三/（四）/2/（3）不同应用场景下AWG芯片产品之间的竞争关系及产能产线切换可行性”中补充披露如下：
（3）不同应用场景下AWG芯片产品之间的竞争关系及产能产线切换可行性
第一、不同应用场景下的AWG芯片产品不存在竞争关系
发行人不同应用场景下AWG芯片的主要区别如下：
项目 数据中心 骨干网 5G前传
数据中心光模块厂商， DWDM光模块或光设备厂 WDM模块或基站设备厂
客户 包括英特尔、索尔思、 商，包括Molex、中兴 商
AOI、华工正源等 通信、武汉永鼎等
衬底材料 石英衬底或硅衬底，以 硅衬底 硅衬底
石英衬底为主
折射率差 2.0% 0.75% 0.75%
需要解决小尺寸、低损 需要调节上包层B、P 需要通过自由波谱重叠
耗之间制约关系，以及 重掺杂组份减小应力双 设计，调节材料生长折
工艺难点 高掺杂芯区与上包层互 折射，以及解决重掺杂 射率优化色散值，保证
溶的问题 上包层高湿度吸水龟裂 同一通道两个波长的上
的问题 传和下载
注：此处5G前传场景下进行比较的是5G前传用AWG芯片，而非基于AWG封装技术的波分
复用WDM器件
不同应用场景下的AWG芯片在客户、衬底材料、工艺难点等方面存在较大差异，不存在相互竞争关系。
根据公开披露资料，目前国内能够量产销售（含自用）AWG晶圆、芯片厂商主要为光迅科技、博创科技，其产品为DWDM AWG器件，与发行人DWDM AWG器件产品之间存在竞争关系，与发行人数据中心AWG器件产品之间不存在竞争关系。
第二、不同应用场景下AWG芯片产品的设备具有一定共通性，但是工艺技术差异较大，需要在芯片设计、晶圆制造等工艺突破和持续优化后才能实现切换
数据中心AWG芯片与DWDM AWG芯片在晶圆段的设备如芯区生长、刻蚀、光刻等设备可以共用。设备可以共用仅代表工艺路线存在相似性，并不代表能够随意切换。根据发行人DWDM AWG芯片产品、数据中心AWG芯片产品的先后量产经验，不同应用场景下AWG芯片产品的切换需要满足如下条件：
①减小芯片尺寸。在骨干网、城域网和5G用AWG芯片尺寸为44.7mm x34.4mm，而数据中心AWG芯片尺寸要求更小，一般在10.5 mm x 2.5mm。芯片尺寸的减小，要求在芯片设计中采用更小的弯曲半径、更小的波导尺寸，并且需要重新调整晶圆制造及芯片加工工艺，以兼顾芯片尺寸及性能的匹配关系。
②重新制定工艺方案并不断优化。由于不同应用场景AWG芯片衬底材料不同、折射率差不同，波导宽度和厚度不同，因此针对不同应用场景的AWG芯片需要不同的工艺方案和技术路线。比如发行人在DWDM AWG研制成功并开始逐步量产后，在数据中心AWG的研制和量产过程中，进行了大量的工艺实验，对材料生长各气体流量比、刻蚀气体流量比及退火温度曲线等工艺方案的诸多方面进行反复探索和不断优化，直到形成新的能够量产的工艺方案，并积累了相应的核心工艺技术。
因此，在实现相关芯片在芯片设计、晶圆制造等环节的新的工艺突破和持续优化后，AWG芯片产能或产线在不同应用场景才可以实现切换；在不具备相应新的工艺技术开发和积累的情况下，AWG芯片产能或产线在不同应用场景难以实现切换。
2、根据上述情况，发行人在招股说明书（注册稿）“第六节/三/（四）/2/（4）AWG芯片与介质膜滤光片（TFF）的比较情况”中补充披露如下：
（4）AWG芯片与介质膜滤光片（TFF）的比较情况
第一、介质膜滤光片（TFF）与AWG芯片之间有替代关系，AWG芯片集成化程度更高，符合行业技术演进趋势
介质膜滤光片（TFF）和AWG芯片均属于光波分复用技术（WDM）技术，对波长进行分割复用/解复用。AWG芯片属于平面型，介质膜滤光片（TFF）属于介质膜型。AWG芯片与滤光片的技术性能比较情况如下表所示：
项 目 AWG芯片 介质膜滤光片（TFF）
集成度高，一个芯片可完成多个波
长的复用及解复用功能，减少复杂 通道数少时损耗小，波长对温度敏
优点 的组装工艺，有利于降低封装成 感性较低、带宽大
本；损耗不随通道数增加成比例增
加
每个滤光片只能实现一个波长的滤
波，多波长的复用、解复用功能需
缺点 波长对温度敏感，密集波分复用下 要多个滤光片、透明基块以及准直
需要温度控制装置 透镜组装在一起才能实现，导致封
装工艺较为复杂，集成度较低；损
耗随着通道数增加成比例增加
由于介质膜滤光片（TFF）针对每一个波长需要设置一个滤光片，集成化程度较低，并且随着波长数量的增加，会导致后续模块封装工艺难度的提升。WDM根据波长间隔可以分为粗波分复用CWDM和密集波分复用DWDM。目前数据中心光模块以及5G前传光模块等产品主要以粗波分复用CWDM为主，一般在4 ~12波，在此领域介质膜滤光片（TFF）主要在粗波分复用CWDM技术中与AWG芯片存在一定的替代关系。而密集波分复用DWDM一般为40~48波，在此领域基本为AWG芯片方案，较少采用滤光片方案。
在工信部电子信息司、中国电子元件行业协会于2017年12月编写的《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018-2022）》中，明确提出“AWG是密集波分复用系统（DWDM）中的首选技术。是利用PLC技术在芯片衬底上制作的阵列波导光栅。与介质膜滤光片（TFF）、光纤光栅（FBG）技术相比，AWG具有集成度高、通道数目多、插入损耗小、易于批量自动化生产等优点”。因此《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018-2022）》中将AWG芯片而非介质膜滤光片（TFF）列示为核心通信光电子芯片。AWG芯片的特点有利于提升光器件、光模块的集成度，符合数据中心光模块从100G向200G、400G演进趋势。发行人4通道AWG芯片在数据中心光模块产品领域已成功实现批量化应用。根
据技术演进情况，目前100G数据中心光模块仅部分采用AWG芯片方案，未来
AWG芯片方案在200G、400G数据中心光模块将得到更加广泛的应用。
第二、介质膜滤光片（TFF）的主要厂商
①统新光讯股份有限公司
统新光讯股份有限公司成立于2003年，位于中国台湾台南市，为台湾证券交易所上市公司（TWSE：6426），主营薄膜滤光片、光学与功能性镀膜加工等，主要应用于电信及数据通信市场，2019年营业收入约1.44亿人民币。
②合波光电通信科技有限公司
合波光电通信科技有限公司成立于2006年9月，注册资本5,060.00万人民币，专业从事设计、研发、生产光通信镀膜产品，主要产品包括OSA/Bidi/Triplexer用滤光片、CWDM/LAN WDM filter/Block、全波CWDM滤光片、窄带滤光片、分光片等。
③苏州浩联光电科技有限公司
苏州浩联光电科技有限公司成立于2017年5月，注册资本1,000.00万元人民币，是一家以生产光通讯高端光学薄膜产品为主的公司，主要产品包括光通信窄带滤光片（LanWDM、DWDM）、宽带滤光片、边通滤光片、增益平坦滤光片（GFF）、精密光学滤光片、生物医疗滤光片。
④腾景科技
腾景科技股份有限公司成立于2013年10月，从事各类精密光学元件、光纤器件研发、生产和销售，产品主要应用于光通信、光纤激光、量子信息科研等领域。根据腾景科技招股说明书申报稿（2020年4月29日申报），腾景科技的产品包括数据中心CWDM滤光片，其数据中心用CWDM滤光片已成为苏州旭创等全球知名光模块厂商的主要供方。腾景科技招股说明书申报稿中未披露其数据中心用CWDM滤光片的销售收入，或者对苏州旭创的销售收入。
三、DFB芯片系列产品。发行人对于DFB芯片系列产品行业竞争地位的表述为“DFB激光器芯片掌握一次外延至芯片制造的完整工艺”，主要研发成功并已启动产品导入工作的DFB激光器芯片包括1270nm 2.5G DFB激光器芯片、1270nm 10G DFB激光器芯片、大功率CW DFB激光器芯片和10G CWDM DFB激光器芯片。通过与陕西源杰同类产品技术参数对比，得出发行人与同行业竞争对手技术性能基本一致的结论。
同行业公司光迅科技、博创科技等公司在年报及相关公告中披露期目前已经量产传输速率为10Gb/s的DFB芯片产品，其中光迅科技披露其10Gb/s速率的光芯片2019年已经规模化量产并商业化使用，25Gb/s部分产品预计2020年下半年开始商业化应用。
请发行人说明DFB芯片产品的技术水平在同行业中的竞争地位，就核心技术指标与国内竞争对手进行对比，并说明发行人DFB芯片产品是否存在因技术更新迭代而被替代的风险，发行人DFB芯片产品的技术水平和竞争地位对本次募投项目（AWG、DFB产品线）的实施是否有重大影响，如存在重大风险请进行重大事项提示。请保荐机构核查并发表意见。
回复：
（一）请发行人说明DFB芯片产品的技术水平在同行业中的竞争地位，就核心技术指标与国内竞争对手进行对比，并说明发行人DFB芯片产品是否存在因技术更新迭代而被替代的风险，发行人DFB芯片产品的技术水平和竞争地位对本次募投项目（AWG、DFB 产品线）的实施是否有重大影响，如存在重大风险请进行重大事项提示
1、影响DFB激光器芯片的性能和工艺要求的因素较多
DFB激光器芯片属于光通信行业的核心通讯光源，应用领域较广，芯片产品的类别亦较为复杂，细分类别众多，涉及DFB激光器芯片的性能和技术壁垒的维度较多，具体如下所示：
因素 概述 工艺要求 发行人情况
发行人InP基多量子阱外延
技术 已 具 备 应 变 补 偿
AlInGaAs 量子阱实现高微
对于直接调制 DFB 激光 通常速率越高，设计制作加工难 分增益的外延制作，在短腔
器芯片，对于同一波长， 度越大，排巴镀膜、抗静电、高 长 DFB 激光器的设计和工
速率越高通常被认为性能 温工作难度都将大大增加；同时 艺技术方面也在不断积累和
速率 越 好，常 用 速 率 包 括 速率越高、有源区的腔长越短， 优化。除目前正在对客户开
1.25G、2.5G、10G、 需要有短有源区腔长制作工艺技 展产品导入的各种型号规模
25G，目前50G DFB激光 术以及生长高微分增益材料外延 的 2.5G、10G DFB 激光器
器芯片正在研发过程中， 等工艺能力 芯片外，发行人于 2020 年
50G基本达到理论极限 5 月完成 1350nm、1370nm
25G DFB 激光器芯片样品
研发，并于2020年 6月开
始向下游客户送样测试
不同应用场景具有不同的 同一速率，不同波长 DFB激光器 发行人InP基多量子阱外延
波长要求或者波长标准， 芯片在外延材料和光栅上都有较 技术能够实现新波长产品如
波长 而不同波长产品由于生产 大差异。需求量新增较为明显的 在低缺陷1270nm DFB外延
技术成熟度的差异，对工 产品如 1270nm DFB 激光器芯 材料制作，在增益峰波长控
艺细节要求相差较大。比 片，与 1310nm、1550nm 产品相 制方面有优势；
如 波 长 为 1310nm、 比，有源层中AlGaInAs的组分比 发行人高精度布拉格光栅制
因素 概述 工艺要求 发行人情况
1550nm的 DFB激光器芯 例中需要增加含Al量以保证禁带 作及波长精准控制技术可精
片已在之前广泛应用，产 宽度与激发波长一致，需要有相 准制作不同周期的DFB光
业链配套相对成熟，有独 应的外延材料生长工艺和更短周 栅
立的外延片生产商直接提 期的光栅制作工艺予以支撑
供外延片。1270nm DFB
激 光 器 芯 片 系 在 10G
PON 和 4G/5G Bidi 等标
准确立，才确定规模化使
用，尤其在 2019 年启动
的下一代光纤到户中需要
大量的1270nm DFB激光
器芯片，属于新近出现的
市场需求
围绕硅光应用需求的CW
DFB光源，发行人InP基多
DFB激光器芯片还分为直 量子阱外延技术能够实现连
接调制和外调制。直接调 连续波CW DFB激光器芯片需要 续波大功率DFB激光外延
制到50G基本达到理论极 优化可减小光限制因子的量子阱 制作，采用少数量的量子阱
调制方式 限；未来外调制是主要发 结构，解决低损耗掺杂技术，以 降低光限制因子，应用δ掺
展方向，代表性的有电吸 及大功率下空间烧孔工艺难题， 杂技术实现了低损耗的外
收调制器和硅光调制器 从而实现小发散角降低耦合损 延，同时采用高精度布拉格
等，均需要连续波 CW 耗，以及较大的出光功率 光栅制作技术制作了CPM
DFB激光器芯片作为光源 光栅降低了空间烧孔，实现
DFB75℃以上的高温高功
率工作
发行人InP基多量子阱外延
特定电流点的功率是激光 技术采用渐变掺杂设计生长
器的重要指标，斜率效率 大功率或者高斜率效率要求外延 出了低损耗的外延层，精确
在不同的芯片需求场合要 材料的损耗做得足够低，需要精 外延生长光栅层的组分和厚
功率或者 求不同。比如对于同样波 准的外延掺杂控制和良好的量子 度；通过高精度布拉格光栅
斜率效率 长如 1270nm，下一代光 阱质量，同时光栅耦合系数等都 制作及波长精准控制技术的
纤到户应用的 XGS-PON 要做的合适，对光栅厚度、组合 光栅腐蚀停止方案实现精确
就比Bidi应用要求的斜率 控制等有较高的要求 的光栅耦合系数控制，有利
效率高很多 于大功率或高效率的 DFB
激光器芯片的生产制作
发行人InP基多量子阱外延
在外延材料生长方面需要远场减 技术中通过外延模式扩展层
发散角度越小越好，水平 小的设计结构，在器件工艺方面 实现了近场光斑增大，有助
方向和垂直方向越对称越 需要考虑近场扩展，解决对接生 于减少了远场发散角；发行
发散角 好，可以降低下游器件及 长模斑转换材料层工艺问题，或 人新型倒台脊形波导结构及
模块的耦合难度和封装成 者模式扩展新结构，以实现光斑 DFB 激光器芯片制作技术
本 下拉 通过采用波导限制及掩埋对
称光斑方案实现了小发散角
DFB制作
DFB激光器芯片的工作温 发行人 InP基多量子阱外延
度 包 括 商 业 温 度 工作温度范围越大，材料增益峰 技术通过非一致量子阱技术
（0~70℃）、扩展温度（- 波长与DFB波长之间的温度漂移 实现了宽增益光谱材料生
工作温度 20℃~85℃）、工业温度 差越大，工艺中需要解决两者之 长，可降低增益峰与 DFB
（-40℃~85℃），工作温 间的匹配问题 波长间的匹配难度，实现宽
度覆盖范围越大，应用场 温工作
所越广
综上所述，DFB激光器芯片的应用场景较多，评价DFB激光器芯片的性能水平和工艺要求的因素较多，高速率是直接调制DFB激光器芯片的重要指标，也是国内光通信行业目前重点突破的方向，另一方面，扩展应用波长、外调制大功率 CW DFB激光器芯片、小发散角 DFB激光器芯片是光通信行业开发热点方向。
发行人通过掌握 DFB 激光器芯片一次外延至芯片制造的完整工艺，以及InP基多量子阱外延技术、高精度布拉格光栅制作及波长精准控制技术、新型倒台脊形波导结构及DFB激光器芯片制作技术等核心技术，不断提升产品竞争力：在速率方面，除目前正在对客户开展产品导入的各种型号规模的 2.5G、10GDFB激光器芯片外，发行人于2020年5月完成1350nm、1370nm 25G DFB激光器芯片样品研发，并于2020年6月开始向下游客户送样测试；在新需求的波长（如1470nm-1570nm）、外调制用大功率DFB（连续波CW）、小发散角、宽工作温度范围方面，发行人积累了自身的技术特点和优势。此外，发行人通过掌握 MQW有源区设计、MOCVD外延、电子束光栅、芯片加工直至耦合封装的全产业链，不仅能够推动对下游客户的产品导入进度，也使得发行人能够紧跟行业前沿需求、持续提升产品竞争力。
2、国内同行业上市公司 DFB 激光器芯片的研发及量产进展情况，以及核心技术指标对比情况
DFB激光器芯片在光通信行业数据中心市场以及电信市场均有广泛的应用，对于我国未来数据中心建设、5G建设以及千兆网络的升级有着重要意义。但与
此同时，DFB激光器芯片技术长期被美国、日本等发达国家掌握，整体上看，
包括发行人在内的国内光通信企业（含自主芯片业务）与国外行业领先企业如
安华高（Avago）、奥兰若（Oclaro）、Macom、日本三菱、日本古河等在技术
水平上仍然有较为明显的距离，包括发行人在内的国内光通信企业都在努力缩
短与国外企业的差距。由于DFB激光器芯片产品的类别较为复杂，细分类别众
多，国内企业根据自身技术储备及客户结构，选择不同型号DFB激光器芯片产
品开展差异化的研发和量产工作，以应用不同的细分领域。目前DFB激光器芯
片的下游国内客户出于供应链安全考虑，正在积极推动国产化替代进程，为国
内DFB激光器芯片厂商创造了良好的市场机遇。
（1）光迅科技最近五年公开披露的DFB激光器芯片研发及量产进展情况
单位：万元
项目 2019年 2018年 2017年 2016年 2015年
营业收入 533,791.57 492,904.93 455,306.70 405,921.46 313,997.87
DFB激光器芯 未披露 未披露 未披露 未披露 未披露
片产品收入
1、2015年年度报告披露，10G DFB通过可靠性验证；
2、2017年8月，在投资者互动中披露，“EML、DFB芯片主要是10Gbp及以下速率
的，25Gbps及以上速率的芯片在处在研发与工程化阶段”；
3、2017年年度报告披露，10G DFB全系列芯片实现商用，已布局25G DFB芯片开发；
研发及量产进 4、2018年年度报告披露，完成高速25G系列芯片开发；
展 5、2019年9月，在投资者互动中披露，“光迅25G DFB光芯片研发均按内部进度执
行，部分波长的样品已经提供客户验证”；
6、2019年12月，在投资者互动中披露，“5G中传模块激光器芯片主要是25Gb/s EML
和DFB芯片，目前公司相关芯片正处于小批量验证或客户验证阶段”；
7、2020年5月，在投资者互动中披露，“有关25G全系列的芯片公司都在研发，公司
芯片目前只用于自用，没有对外销售”
根据最近五年的公开披露信息，光迅科技披露了其DFB激光器芯片的研发进展，同时光迅科技该类芯片以自用为主，未披露过产销量数据和收入明细数据。
（2）博创科技最近五年公开披露的DFB激光器芯片研发及量产进展情况
单位：万元
项目 2019年 2018年 2017年 2016年 2015年
营业收入 40,717.16 27,511.09 34,923.67 31,763.02 23,726.24
DFB激光器芯 未披露 未披露 未披露 未披露 未披露
片产品收入
研发及量产进展 未披露过开展DFB激光器芯片研发工作的信息
根据最近五年的公开披露信息，博创科技在有源器件产品方向主要从事光收发模块的研发和量产工作，未提及其开展DFB激光器芯片的研发工作，也未披露过关于DFB激光器芯片的产销量数据和收入明细数据。
（3）华工科技最近五年公开披露的DFB激光器芯片研发及量产进展情况
单位：万元
项目 2019年 2018年 2017年 2016年 2015年
营业收入 546,024.55 523,283.89 448,055.28 331,369.92 261,955.31
DFB激光器芯片 未披露 未披露 未披露 未披露 未披露
产品收入
1、2018年年度报告披露，发起设立云岭光电，向上延伸光通信产业链，10G光芯片成
研发及量产进展 功实现量产，25G光芯片及器件已完成优化设计（注1）；
2、2019年年度报告披露，10G光芯片产品已实现批量供货，获得了大客户认可，25G
接收芯片已具备量产能力，25G发射芯片正在进行测试评估，实现了光通信芯片的国
产化
注1：未明确芯片类型是否为DFB激光器芯片
（4）发行人DFB激光器芯片与国内同行业公司核心技术指标对比情况
目前国内厂商DFB激光器芯片基本处于持续研发和逐步量产阶段，对于各自DFB激光器产品的规格文件、性能指标等，基本上都未予以公开。因此，发行人未检索到关于光迅科技、博创科技或华工科技等国内同行业上市公司的DFB激光器芯片的产品规格资料。
目前发行人能够取得的国内厂商同类产品规格书为陕西源杰 1270nm 2.5GDFB激光器芯片、10G CWDM DFB激光器芯片产品规格书，具体对比情况如下：
第一、1270nm 2.5G DFB激光器芯片技术指标对比情况
技术指标 发行人 陕西源杰
阈值Ith@25℃ 15mA 12mA
功率值@Ith+20mA,25℃ 9mW 9mW
高温功率值@Ith+20mA 5.4mW@95℃ 5.4mW@85℃
工作温度 -20℃~95℃ -20℃~85℃
最大水平发散角 24° 26°
最大垂直发散角 28° 30°
-3dB带宽最小值@25℃ 4GHz 2.5GHz
是否免隔离器 可以实现 可以实现
注1：该芯片关键是功率指标，芯片设计实现反射光不灵敏可以减少隔离器的使用，降低综合成本。
注2：陕西源杰半导体技术有限公司成立于2013年，是一家自主研发、生产和销售从2.5G到10G的半导体激
光器芯片的高新技术企业。官方主页为http://www.yj-semitech.com/。
与陕西源杰同类产品相比，发行人1270nm 2.5G DFB激光器芯片在阈值指标方面略有不足，在高温功率值、工作温度及带宽等指标方面略有优势，其他指标基本一致。
第二、10G CWDM DFB激光器芯片技术指标对比情况
关键参数 发行人 陕西源杰
阈值最大值@25℃ 10mA 12mA
阈值最大值@85℃ 25mA 25mA
斜率效率最小值@25℃ 0.275 0.25
斜率效率最小值@85℃ 0.155 0.15
工作温度范围 C\I温度 C\E\I温度
-3dB带宽最小值， 12GHz 9GHz@25℃@Ith+20mA
@25℃@Ith+20mA
1270nm、1290nm、 1270nm、1290nm、
可以支持的波长 1310nm、 1310nm、
~1610nm ~1530nm
注1：该芯片关键点为-3dB带宽，在越低功率下带宽越高可以实现的调制速率更高。C温度代表商业温度-5℃
~70℃，E温度代表扩展温度-20℃~85℃，I温度代表工业温度-40~85℃
与陕西源杰产品相比，发行人 10G CWDM DFB激光器芯片在阈值、斜率效率、带宽等指标方面略有优势，其他指标基本一致。
3、发行人目前 DFB 激光器芯片的技术水平和竞争地位，以及对本次募投项目实施的影响
（1）发行人 DFB 激光器芯片的研发以及产品导入进展顺利，因技术更新迭代而被替代的风险较低
目前发行人主要研发成功并已启动产品导入工作的 DFB 激光器芯片包括1270nm 2.5G DFB激光器芯片、1270nm 10G DFB激光器芯片、大功率CW DFB激光器芯片和10G CWDM DFB激光器芯片，具体情况如下：
序号 型号 应用场景 产品主要优势 产品导入进展 备注
1270nm DFB 激光器芯 已通过国内主流厂商对
1270nm2.5 下一代光纤到 片，主要用于下一代光 产品的性能检测，并完
1 G DFB激 户（XG-PON） 纤到户的 ONU 端产 成客户1的产品导入，
光器芯片 品，属于新近出现的需 2020年3月开始小批量 2019年3
求，市场空间良好。 销售 月起，与
发行人通过 InP 基多量 国内主流
子阱外延技术、高精度 厂商签署
布拉格光栅制作及波长 《合作备
精准控制技术、新型倒 忘录》以
台脊形波导结构及 DFB 及《技术
1270nm 下一代光纤到 激光器芯片制作技术等 已通过国内主流厂商对 开发合
2 10G DFB 户（XGS- 核 心 技 术 实 现 了 产品的性能检测，正在 同》，为
激光器芯片PON、10G 1270nm 产品的研制和 开展对客户1的产品导 国内主流
EPON） 逐步量产，实现功率 入 厂商开发
高、发散角小等技术特 并优先向
点，同时实现免隔离器 其供应
设计，能够在不影响性
能的情况下降低下游厂
商的封装成本
大功率CW 大功率CW DFB激光器 已通过国内主流厂商对
3 DFB激光 数据中心 芯片属于外调制用芯 产品的性能检测，正在 无
器芯片 片，发行人通过 InP 基 开展对客户2的产品导
多量子阱外延技术等， 入；开始向AOI、思科
序号 型号 应用场景 产品主要优势 产品导入进展 备注
根据长腔低耦合系数设 进行产品送样
计，解决了含Al材料的
高温损耗问题，实现
75mW 内无扭折的功率
输出，与下一代数据中
心技术路线吻合，未来
能够应用于800G、1.6T
光模块产品
过往无线网络使用的
DFB 激光器芯片主要波
长为 1310nm、1330nm
等 O波段为主，较少使
用1470nm-1570nm等的
10G 波长。发行人通过 InP
CWDM 基多量子阱外延技术、
4 DFB激光 5G建设 高精度布拉格光栅制作 开始启动产品送样工作 无
器芯片 及波长精准控制技术等
核心技术，制作出了长
波长（ 1470nm-1610nm
长 波 领 域）的 10G
CWDM DFB 激光器芯
片的，并且能够匹配工
业温度范围使用
发行人通过掌握 DFB 激光器芯片一次外延至芯片制造的完整工艺，以及InP基多量子阱外延技术、高精度布拉格光栅制作及波长精准控制技术、新型倒台脊形波导结构及DFB激光器芯片制作技术等核心技术，不断提升产品竞争力：在速率方面，除目前正在对客户开展产品导入的各种型号规模的 2.5G、10GDFB激光器芯片外，发行人于2020年5月完成1350nm、1370nm 25G DFB激光器芯片样品研发，并于2020年6月开始向下游客户送样测试；在新需求的波长（如1470nm-1570nm）、外调制用大功率DFB（连续波CW）、小发散角、宽工作温度范围方面，发行人积累了自身的技术特点和优势。此外，发行人通过掌握 MQW有源区设计、MOCVD外延、电子束光栅、芯片加工直至耦合封装的全产业链，不仅能够推动对下游客户的产品导入进度，也使得发行人能够紧跟行业前沿需求、持续提升产品竞争力。因此发行人DFB激光器芯片产品因技术更新迭代而被替代的风险较低。
（2）发行人DFB激光器芯片收入实现情况
报告期内，发行人DFB激光器芯片收入情况如下：
单位：万元
项目 2019年度 2018年度 2017年度
DFB晶圆加工费 244.69 61.85 -
合计 244.69 61.85 -
2018年、2019年，发行人与国内主流厂商、客户3等合作，为其提供DFB激光器晶圆加工、光学镀膜加工等服务。该部分收入由于仅针对部分工序，工艺成熟度较高，发行人将该部分收入确认为DFB激光器芯片收入。
截至2020年1月1日至6月20日，发行人DFB激光器芯片（不包含器件）新获取订单及交付情况（不含税）如下表所示：
单位：万元
序号 客户名称 新获取订单情况 已执行情况
1 客户1 330.06 74.71
2 国内主流厂商 119.10 11.03
3 NIHONDENKEICO.,LTD 33.98 -
4 深圳市亚美斯通电子有限公司 19.96 11.11
5 日照市艾锐光电科技有限公司 19.14 5.29
6 客户3 17.96 17.96
7 其他 59.44 29.10
合计 599.63 149.19
根据发行人报告期内DFB激光器芯片收入实现情况，以及2020年1月至6月 20日新获取订单以及已执行情况分析，发行人 DFB激光器芯片的产品导入进展顺利，收入呈快速增长态势。
（3）发行人DFB激光器芯片产品下游应用场景市场空间较大
发行人上述DFB激光器芯片下游应用场景的市场空间良好，具体情况如下：
第一、发行人1270nm 2.5G及10G DFB激光器芯片主要应用在下一代接入网，如 10G PON、WDM-PON 方面。根据 Lightcounting 的统计和预测，10GPON市场规模将持续扩大。
资料来源：Lightcounting
图1：全球FTTH光器件销售额规模及预测（单位：百万美元）
第二、发行人大功率CW DFB激光器芯片主要应用于硅光外调制方案数据中心光模块中。根据Lightcounting的统计和预测，2020年起100G数据中心光模块市场规模将维持在 25亿美元左右，200G、400G数据中心光模块市场规模将迅速提升，2023年400G数据中心光模块市场规模将接近30亿美元。
资料来源：Lightcounting
图2：全球数据中心光模块销售额规模及预测（单位：百万美元）
关于数据中心光模块的市场规模情况，具体参见本题前述对于数据中心AWG芯片产品市场空间的分析。
第三、发行人开发10G CWDM DFB激光器芯片覆盖1470nm-1610nm长波领域，主要应用于 5G 无线网络建设。关于无线网络光模块的市场规模情况，根据讯石信息咨询《全球光通讯市场分析及预测（2020）》，由于国内 5G 牌照的提前半年发放，国内三大运营商 5G部署加速，2019年全球无线前传和回传应用光模块销售额翻了一番以上。2020 年，中国三大运营商预计部署 60-80万站5G基站。根据三大运营商的5G发展规划，2021-2023年将是国内5G建设高峰期，2022年达到顶峰，即三大运营商将在未来两三年内完成 5G大部分承载网部署。因此，2020-2023年将是 5G无线需求发展的高峰期，该板块的强劲需求也将成为光器件市场发展的主要驱动力之一。根据 Lightcounting的统计和预测，随着5G建设开展，无线网络光模块市场规模将恢复增长，预计2023年将接近10亿美元。
资料来源：Lightcounting
图3：无线网络光模块销售额规模及预测（单位：百万美元）
（4）国内光设备、光模块厂商出于供应链安全考虑，国产化替代需求也较为强烈
根据工信部电子信息司、中国电子元件行业协会于 2017 年 12 月编写的《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018-2022）》，在光通信产业中，国内企业目前在光通信设备、光纤光缆等领域已经有了长足的发展，涌现出包括华为、中兴通讯、烽火通信、长飞光纤、中航光电等一批优秀企业，在全球范围内都有着较强的竞争力。然而在光芯片、光器件/光模块领域，我国仍然处于追逐者的位置，光通信高端核心芯片90%以上需要进口。
近年来，受国际局势影响，尤其是华为、中兴通讯等国内一线厂商在电芯片、光芯片等采购方面屡屡受到不利影响。因此，目前国内光设备、光模块厂商出于供应链安全考虑，国产化替代需求较为强烈，为国内拥有自主光芯片能力的企业创造了更好的市场机遇。
综上所述，发行人通过掌握DFB激光器芯片一次外延至芯片制造的完整工艺，以及 InP基多量子阱外延技术、高精度布拉格光栅制作及波长精准控制技术、新型倒台脊形波导结构及 DFB 激光器芯片制作技术等核心技术，在速率（除 2.5G、10G产品外，1350nm、1370nm 25G产品已完成研发并开始送样）、新需求的波长（如1470nm-1570nm）、外调制用大功率DFB（连续波CW）、
小发散角、宽工作温度范围方面，发行人积累了自身的技术优势，并得到国内
主流厂商的认可，产品导入进展顺利，收入保持快速增长态势，DFB激光器芯
片产品因技术更新迭代而被替代的风险较低。同时发行人上述DFB激光器芯片
下游应用场景的市场空间良好，国内下游厂商出于供应链安全考虑，国产化替
代需求也较为强烈。
因此，通过对发行人DFB芯片产品的技术水平、竞争地位以及未来的产品需求情况的分析，发行人本次募投项目的实施不存在重大风险。
4、招股说明书补充披露情况
（1）在招股说明书“第六节/一/（二）/3、DFB 激光器芯片系列产品”中补充披露如下：
截至本招股说明书签署日，公司针对DFB激光器芯片已建立了包含外延生长、光栅制作、条形刻蚀、端面镀膜、划片裂片、特性测试、封装筛选和芯片老化的完整工艺线。经过持续的研发投入和工艺优化，公司已经成为国内少数掌握MQW有源区设计、MOCVD外延、电子束光栅、芯片加工、直至耦合封装的全产业链DFB激光器芯片生产企业，在速率（除2.5G、10G产品外，1350nm、1370nm 25G产品已完成研发并开始送样）、新需求的波长（如1470nm-1570nm）、外调制用大功率DFB（连续波CW）、小发散角、宽工作温度范围方面，公司积累
了自身的技术优势，并得到国内主流厂商的认可。
（2）在招股说明书“第六节/一/（四）主营业务及主要产品变化情况”中补充披露如下：
光芯片种类 应用领域 具体进展情况
?2018年，2.5G 、10G DFB激光器芯片研制成功
接入网 ? 2019年，已通过国内主要厂商性能测验，目前仍在产
品导入过程中
?2019年，工业温度25G DFB立项，目前正处于内部设计
5G网络 验证阶段
DFB激光器芯 ? 2020年，5月完成1350nm、1370nm 25G DFB激光器芯片
片 样品研发，6月开始向下游客户送样测试
?2018年，大功率CW DFB激光器芯片研制成功；2019
年，已通过国内主要厂商性能测验，目前仍在产品导入
数据中心 过程中
?2019年，商业温度25G DFB立项，目前正处于内部流片
验证阶段
（3）在招股说明书“第六节/三/（一）/3、DFB 激光器芯片掌握一次外延至芯片制造的完整工艺”中补充披露如下：
针对DFB激光器芯片，公司已建立了包含外延生长、光栅制作、条形刻蚀、端面镀膜、划片裂片、特性测试、封装筛选和芯片老化的完整工艺线，经过持
续研发投入和工艺优化，成为国内少数掌握MQW有源区设计、MOCVD外延、电
子束光栅、芯片加工、直至耦合封装的全产业链DFB激光器芯片生产企业，在
速率（除2.5G、10G产品外，1350nm、1370nm 25G产品已完成研发并开始送
样）、新需求的波长（如1470nm-1570nm）、外调制用大功率DFB（连续波CW）、
小发散角、宽工作温度范围方面，公司积累了自身的技术优势，并得到国内主
流厂商的认可。
（二）保荐机构的核查程序及核查意见
1、核查程序
（1）查阅了《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018-2022）》等资料，并对发行人 DFB激光器芯片主要负责人进行了访谈，了解发行人 DFB激光器芯片的发展情况、技术优势、竞争地位等；
（2）查阅了光迅科技、博创科技及华工科技等国内同行业上市公司年度报告、投资者关系互动等公开披露信息情况；查阅陕西源杰同类产品的规格书，与发行人产品的技术指标进行对比分析；
（3）查阅发行人报告期内 DFB 激光器芯片的销售明细情况，结合发行人2020年1月-6月20日在DFB激光器芯片方面新获取订单及已执行情况，分析发行人DFB激光器芯片的业务发展情况；
（4）查阅了Lightcounting及讯石信息等第三方机构出具的相关材料，了解发行人DFB激光器芯片下游应用场景的市场空间情况。
2、核查意见
经核查，保荐机构认为，发行人通过掌握DFB激光器芯片一次外延至芯片制造的完整工艺，以及 InP基多量子阱外延技术、高精度布拉格光栅制作及波长精准控制技术、新型倒台脊形波导结构及DFB激光器芯片制作技术等核心技术，在速率（除 2.5G、10G产品外，1350nm、1370nm 25G产品已完成研发并开始送样）、新需求的波长（如1470nm-1570nm）、外调制用大功率DFB（连续波 CW）、小发散角、宽工作温度范围方面，发行人积累了自身的技术优势，并得到国内主流厂商的认可，产品导入进展顺利，收入保持快速增长态势，
DFB 激光器芯片产品因技术更新迭代而被替代的风险较低。同时发行人上述
DFB激光器芯片下游应用场景的市场空间良好，国内下游厂商出于供应链安全
考虑，国产化替代需求也较为强烈。因此，根据发行人DFB芯片产品的技术水
平、竞争地位以及未来的产品需求情况分析，发行人本次募投项目的实施不存
在重大风险。
四、请发行人适当调整招股说明书中部分披露内容：（1）发行人三大业务板块中，光芯片及器件收入占比不足40%，请发行人客观披露业务情况，不得过分强调光芯片及器件业务而淡化其他传统业务的披露;（2）请发行人在列示芯片业务产品技术性能对比时，客观比较有代表性的产品，不得仅列示对发行人有利的数据。
回复：
（一）发行人三大业务板块中，光芯片及器件收入占比不足 40%，请发行人客观披露业务情况，不得过分强调光芯片及器件业务而淡化其他传统业务的披露
针对室内光缆业务、线缆材料业务，发行人进行了如下补充披露：
1、在招股说明书（注册稿）“第六节/一/（二）/6、线缆材料”中补充披露如下：
发行人室内光缆业务自2000年起步后，为更好地匹配下游客户对室内光缆产品的性能需求，加快下游客户产品导入进程，在室内光缆业务的基础上，逐步以无锡杰科、杰科公司为主体，开展线缆材料业务。经过持续研发及市场开拓，发行人线缆材料产品类别涵盖热塑性低烟无卤阻燃聚烯烃材料、辐照交联低烟无卤阻燃聚烯烃材料、辐照交联低烟低卤阻燃聚烯烃材料、热塑性聚氯乙烯材料（PVC）、热塑性阻燃聚氨酯产品（TPU），参与起草了全国标准《电线电缆用无卤低烟阻燃电缆料》（标准号：GB/T32129-2015），产品应用领域由通信线缆拓展至电力线缆、汽车线缆等。2017年，公司通过同一控制下合并的方式收购该业务，具体参见本招股说明书“第五节/三/（一）2017年12月，发行人收购杰科公司81.14%股权”。
2、在招股说明书（注册稿）“第六节/二/（一）/1、光通信行业概况”中补充披露如下：
光器件是由光芯片、光纤及金属连线组合封装在一起，完成单项或少数几项功能的混合集成器件。光模块是以光器件为核心，增加一些电路部分和结构功能件等完成相应功能的单元。光纤预制棒生产成光纤，光纤与线缆材料等生产成光缆（包括室内光缆和室外光缆）。光设备与光模块，结合光纤光缆实现光信息传输功能并提供运营服务。目前光通信主要应用市场为电信市场、数据中心市场，其中：电信市场主要应用于骨干网、城域网、接入网以及无线基站；数据中心市场主要应用于数据中心内部互联以及数据中心互联。
3、在招股说明书（注册稿）“第六节/二/（一）/3、光通信细分情况”中补充披露如下：
线缆材料在室内或室外光缆结构中用作绝缘层、护套、屏蔽层、填充材料等。其中聚烯烃材料，特别是绿色环保型聚烯烃材料的技术发展和产品创新，包括无卤阻燃聚烯烃高分子材料、3G/4G基站建设以及FTTx用高分子材料等材料的应用，促进通讯线缆产品的不断更新换代。
4、在招股说明书（注册稿）“第六节/二/（二）行业管理体制及主管部门”中补充披露如下：
公司聚焦光通信领域，主营业务覆盖光芯片及器件、室内光缆、线缆材料三大板块，主要产品包括PLC分路器芯片系列产品、AWG芯片系列产品、DFB激光器芯片系列产品、光纤连接器、室内光缆、线缆材料等。
根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司从事的行业属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。根据不同业务类型，公司光芯片及器件业务、室内光缆业务均属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），线缆材料业务属于“制造业”中的“橡胶和塑料制品行业”（C29）。
5、在招股说明书（注册稿）“第六节/二/（二）/2、行业协会”中补充披露如下：
在行业自律监管方面，光通信行业涉及的行业协会包括中国光学光电子行业协会、中国电子元件行业协会以及中国通信企业协会，负责进行自律性行业管理，代表和维护行业内企业的合法权益，组织制订行业规范等。
其中，对于光芯片及器件业务，涉及的行业协会主要为中国电子元件行业协会及其光器件分会、中国光学光电子行业协会以及中国通信企业协会；对于室内光缆业务，涉及的行业协会主要为中国电子元件行业协会及其光电线缆分会、中国通信企业协会及其通信电缆光缆专业委员会；对于线缆材料业务，涉及的行业协会主要为中国电子元件行业协会及其光电线缆分会、中国电器工业协会及其电线电缆分会等。上述协会主要负责进行自律性行业管理，研究行业发展方向、编制行业发展规划和组织制订行业规范等。
6、在招股说明书（注册稿）“第六节/二/（三）行业主要法律法规及政策”中补充披露如下：
除上述法律法规及政策外，发行人室内光缆及线缆材料业务涉及主要法律法规及产业政策如下：
序号 法律法规/产 颁布机构 相关规定
业政策
发展高速光纤传输与接入、大容量路由交换、
超高清视频产 5G通信、SDN/NFV（软件定义网络/网络功能虚
业发展行动计 工信部、国家广 拟化）等网络设备与软件系统，推进有线网络
1 划（2019- 播电视总局、中 IP化、光纤化进程。加快全国有线电视网络互
2022年） 央广播电视总台 联互通平台建设，同步建设4K超高清电视监测
监管系统。探索5G应用于超高清视频传输，实
现超高清视频业务与5G的协同发展
《国家中长期 制造业中的优先发展主题：重点研究开发满足
科学和技术发 国民经济基础产业发展需求的高性能复合材料
2 展规划纲要 国务院 的制备技术、高性能工程塑料、具有环保和健
（2006年- 康功能的绿色材料
2020年）》
7、在招股说明书（注册稿）“第六节/二/（四）/6、室内光缆及线缆材料的行业发展情况及发展趋势”中补充披露如下：
6、室内光缆及线缆材料的行业发展情况及发展趋势
对于室内光缆，当前在下游行业的带动下以及各国对4G/5G建设的鼓励政策推动下，包括室内光缆在内的光纤光缆行业仍保持一定幅度的增长。根据英国商品研究所（CRU）对全球光缆需求的预测，2019年-2022年全球光缆需求分别为58,275万芯公里、60,481万芯公里、61,771万芯公里、63,169万芯公里，将保持持续增长。
对于线缆材料，根据国家通信行业相关标准的要求，生产通信光缆及电缆所使用的护套料大部分均要求使用低烟无卤阻燃高分子材料，其中包含用在移动基站上的射频电缆用护套料、拉远光缆用护套料、满足光纤到户用的蝶形光缆、圆形光缆护套料等。高端绿色环保线缆材料的市场规模和产品技术水平未来将随着下游行业如FTTH、移动基站建设、三网融合等持续发展而得到稳步提升。
8、在招股说明书（注册稿）“第六节/三/（二）行业内的主要企业”中补充披露如下：
1、光通信行业内主要企业
由于光通信行业细分产品众多，不同的企业在业务发展路径上又有所不同，因此行业内各企业在细分产品类别、业务重点方面存在一定的差异。目前，国
内光通信行业主要企业（包括上市公司和新三板公司）与公司具有一定可比性
的，主要如下所示：
证券代码 证券简称 简介
光迅科技成立于2001年1月，主营业务产品包括光通信行业的无
002281.SZ 光迅科技 源芯片及器件、有源芯片及器件、模块以及子系统。光迅科技于
2009年8月在深圳证券交易所中小板上市。
博创科技成立于2003年7月，主营业务产品包括光无源器件和光
300548.SZ 博创科技 有源器件。博创科技于2016年10月在深圳证券交易所创业板上
市。
太辰光成立于2000年12月，主营业务产品包括陶瓷插芯、光纤
300570.SZ 太辰光 连接器、PLC分路器等光器件以及光纤传感产品等。太辰光于
2016年12月在深圳证券交易所创业板上市。
苏州旭创科技有限公司成立于2008年4月，主营业务产品包括光
300308.SZ 中际旭创 模块等。中际旭创于2012年4月在深圳证券交易所创业板上市，
2017年8月，中际旭创完成对苏州旭创科技有限公司的重组。
华工科技成立于1999年7月，主营业务产品包括激光装备制造、
000988.SZ 华工科技 光通信器件、激光全息仿伪、传感器等。华工科技于2000年6月
在深圳证券交易所主板上市。
300502.SZ 新易盛 新易盛成立于2008年4月，主营业务产品包括光模块等。新易盛
于2016年3月在深圳证券交易所创业板上市。
832063.OC 鸿辉光通 鸿辉光通成立于2001年1月，主营业务产品包括光纤光缆填充
膏、光器件等。
驿路通成立于2012年6月，主营业务产品包括PLC分路器器件、
837823.OC 驿路通 薄膜滤波片式波分复用器（CWDM、DWDM等）、光纤连接器（跳
线）、光纤光缆等。
中兴新地成立于2003年7月，主营业务产品包括光无源器件产
834115.OC 中兴新地 品、ODN及配套类产品、配线架系列产品、数据中心配套产品
等。
2、室内光缆、线缆材料细分领域的主要上市公司
除此之外，在室内光缆业务方面，国内目前主要从事室内光缆业务的上市公司较少，长飞光纤、中天科技、亨通光电、通光线缆等上市公司主要以光纤、室外光缆产品为主，与室内光缆产品差异较大，特发信息业务结构中的室内光
缆产品与发行人的室内光缆有一定的可比性；在线缆材料业务方面，国内目前
主要从事线缆材料业务的上市公司包括至正股份、道恩股份、德威新材、中广
核技等，具体情况如下：
（1）室内光缆主要企业证券代码 证券简称 简介
特发信息成立于1999年7月，主营业务包括光纤光缆、电子
000070.SZ 特发信息 元器件、光通讯设备等。特发信息于2000年4月在深圳证券
交易所主板上市。
（2）线缆材料主要企业证券代码 证券简称 简介
603991.SH 至正股份 至正股份成立于2004年12月，主营业务为线缆用高分子材
料。至正股份于2017年3月在上海证券交易所主板上市。
道恩股份成立于2002年12月，主营业务包含热塑性弹性体、
002838.SZ 道恩股份 改性塑料和色母粒等功能性高分子复合材料。道恩股份于
2017年1月在深圳证券交易所中小板上市。
德威新材成立于1995年12月，专业从事线缆用高分子材料的
300325.SZ 德威新材 研发、生产和销售。德威新材于2012年6月在深圳证券交易
所创业板上市。
000881.SZ 中广核技 中广核技成立于1993年4月，主营业务包含改性高分子材料
等。中广核技于2017年2月在深圳证券交易所主板上市。
9、在招股说明书（注册稿）“第六节/三/（三）/4、室内光缆、线缆材料业务的对比情况”中补充披露如下：
4、室内光缆、线缆材料业务的比较情况
2019年，发行人室内光缆与线缆材料业务与可比公司的比较情况如下：
（1）室内光缆业务的比较情况
单位：万元
证券简称 营业收入 毛利率 行业地位
从事光纤光缆、配线网络设备及通信设备研制、
特发信息 465,591.11 17.92% 生产，目前围绕光通信产业积极发展光纤光缆、
智能接入和军工信息化等领域，已形成了多元化
的产业格局
发行人室内光缆产品包括单芯光缆、多芯光缆及
本公司 54,632.00 24.81% 射频拉远光缆等。在射频拉远光缆方面，公司牵
（注） 头制定行业标准。2019年度，本公司室内光缆业
务收入为16,630.53万元，毛利率为20.77%
注：该毛利率数据为发行人整体毛利率水平
（2）线缆材料业务的比较情况
单位：万元
证券简称 营业收入 毛利率 行业地位
至正股份 46,186.56 11.52% 从事电线电缆、光缆用绿色环保型聚烯烃高分子材
料的研发、生产和销售，产品包括三大类：光通信
证券简称 营业收入 毛利率 行业地位
线缆、光缆用特种环保聚烯烃高分子材料；电气装
备线用环保型聚烯烃高分子材料；电网系统电力电
缆用特种绝缘高分子材料
从事热塑性弹性体、改性塑料和色母粒等功能性高
分子复合材料的研发、生产和销售，其中：热塑性
道恩股份 273,544.08 16.91% 弹性体产品主要是动态全硫化热塑性弹性体
（TPV）；改性塑料产品主要是增强增韧改性塑
料、高光泽改性塑料、阻燃改性塑料和熔喷料；色
母粒产品主要是专用色母粒和多功能色母粒
从事线缆用高分子材料的研发、生产和销售，主要
德威新材 115,082.50 13.64% 生产XLPE绝缘材料、内外屏蔽材料、汽车线束绝
缘材料、弹性体材料、UL系列材料及通用PVC材料
等系列，覆盖了绝缘材料、屏蔽材料、护套材料等
从事工业电子加速器、环保光缆护套材料、特种线
中广核技 702,162.16 15.36% 缆材料、改性工程塑料等研发、生产和销售，以及
电子束辐照服务运营等业务
公司线缆材料业务在协助光纤连接器、室内光缆不
24.81% 断提升整体性能指标的同时，也在不断拓展客户范
本公司 54,632.00 （注） 围，加强公司在光通信行业的整体获客能力。2019
年，本公司线缆材料营业收入为15,304.47万元，
毛利率为15.08%
注：该毛利率数据为发行人整体毛利率水平
（二）请发行人在列示芯片业务产品技术性能对比时，客观比较有代表性的产品，不得仅列示对发行人有利的数据
1、PLC分路器芯片产品技术性能对比情况
根据行业惯例，发行人及竞争对手产品规格书中列示的性能参数指标包括损耗（IL）、损耗均匀性（UNIF）、偏振相关损耗（PDL）。发行人在对比PLC 分路器芯片产品时，将上述性能参数指标全部列示并进行比较，所选择的产品为竞争对手公开披露产品规格书的产品以及发行人相关规格产品，具有客观性。
2、AWG芯片产品技术性能对比情况
发行人在对比 AWG芯片产品时，由于 AWG芯片产品涉及的规格较多，按照行业惯例，选取最主要的性能参数损耗（IL）、1dB带宽（Band width）、3dB 带宽（Band width）、偏振相关损耗（PDL）、相邻串扰（AX）、非相邻串扰（NX）六个指标进行对比。为进一步提升对比的客观性，发行人将产品规格书中所涉及的所有性能参数进行对比，对比情况如下：
根据公开的产品规格书，发行人与光迅科技、博创科技同类产品技术性能对比情况如下：
产品 型号 关键指标（注） 发行人 光迅科技 博创科技
通道间隔 100G 100G 未开披查露阅到的公产
通带宽度 0.1 未列示 品规格书
通道数 48 40
波长偏移≤ 0.05 0.05
IL≤ 3.5 3.5
通带平坦度≤ 1.0 0.5
损耗均匀性≤ 1.0 1.0
1dB Bandwidth≥ 0.24 0.2
Gaussion 3dBBandwidth≥ 0.42 0.28
（高斯型）
20dB Bandwidth≤ 1.15 未列示
PDL≤ 0.5 0.5
AX≥ 25 23
NX≥ 30 30
DWDM TX≥ 27 21
AWG器件 PMD≤ 0.5 0.5
CD≤ 20 20
RL≥ 40 40
通道间隔 100G 100G 100G
PB 0.1 未列示 0.1
通道数 48 40 48
Offset≤ 0.05 0.05 0.05
IL≤ 5.5 5.5 6.0
Flat Ripple≤ 0.5 0.5 未列示
（平坦型）
Unif≤ 1.0 1.0 未列示
1dB Bandwidth≥ 0.4 0.4 0.4
3dB Bandwidth≥ 0.6 0.6 0.55
20dB Bandwidth≤ 1.2 未列示 1.2
PDL≤ 0.5 0.5 0.5
产品 型号 关键指标（注） 发行人 光迅科技 博创科技
AX≥ 24 23 25
NX≥ 30 30 30
TX≥ 24 21 22
PMD≤ 0.5 0.5 未列示
CD≤ 20 20 未列示
RL≥ 40 40 45
注：PB指通带带宽，Offset指波长精度，IL指损耗，Ripple为通带平坦度，Unif为通道均匀性，1dB Band
width、3dB Band width、20dB Band width指带宽，PDL指偏振相关损耗，AX指相邻串扰，NX指非相邻
串扰，TX指总串扰，PMD指偏振模色散，CD指色度色散，RL指回损，上述指标中 Offset、IL、Ripple、
Unif、PDL、PMD、CD为数值越小，性能越好；1dB Band width、3dB Band width、20dB Band width、AX、
NX、TX、RL为数值越大，性能越好
第一、发行人与光迅科技相比：Gaussion（高斯型）DWDM AWG 器件方面，发行人1dB Band width、3dB Band width带宽、AX（相邻串扰）、TX（总串扰）指标方面优于光迅科技同类产品，发行人 Ripple（通道平坦度）指标逊于光迅科技同类产品，光迅科技同类产品规格书中不包含20dB Band width指标，其他指标一致；Flat（平坦型）DWDM AWG器件方面，发行人产品AX（相邻
串扰）、TX（总串扰）指标方面略优于光迅科技同类产品，光迅科技同类产品
规格书中不包含20dB Band width指标，其他指标一致；
第二、发行人与博创科技相比：博创科技未公布 Gaussion（高斯型）DWDM AWG器件产品的规格资料；Flat（平坦型）DWDM AWG器件方面，发行人产品 IL（损耗）、3dB Band width带宽、TX（总串扰）指标方面优于博创科技同类产品，AX（相邻串扰）、RL（回损）指标方面逊于博创科技同类产品，博创科技同类产品规格书中不包含 Ripple（通带平坦度）、Unif（通道均匀性）、PMD（偏振模色散）、CD（色度色散）等指标，其他指标一致。
综上，与国内主要AWG芯片厂商同类产品相比，发行人DWDM AWG器件产品性能指标与光迅科技、博创科技同类产品相比基本一致。数据中心AWG器件产品方面尚无国内厂商同类产品进行比较。
发行人所选择的产品为竞争对手公开披露产品规格书的产品以及发行人相关规格产品，具有客观性。
发行人在招股说明书“第六节/三/（四）/2/（2）发行人与国内主要芯片厂商同类产品的对比情况”中，对相关内容进行的补充，具体如下：
根据公开的产品规格书，发行人与光迅科技、博创科技同类产品技术性能对比情况如下：
产品 型号 关键指标（注） 发行人 光迅科技 博创科技
通道间隔 100G 100G
通带宽度 0.1 未列示
通道数 48 40
波长偏移≤ 0.05 0.05
IL≤ 3.5 3.5
通带平坦度≤ 1.0 0.5
损耗均匀性≤ 1.0 1.0
1dBBand width≥ 0.24 0.2 未查阅到公
Gaussion 3dB Band width≥ 0.42 0.28 开披露的产
（高斯型） 品规格书
20dB Band width≤ 1.15 未列示
PDL≤ 0.5 0.5
AX≥ 25 23
NX≥ 30 30
DWDM AWG TX≥ 27 21
器件
PMD≤ 0.5 0.5
CD≤ 20 20
RL≥ 40 40
通道间隔 100G 100G 100G
PB 0.1 未列示 0.1
通道数 48 40 48
Offset≤ 0.05 0.05 0.05
Flat IL≤ 5.5 5.5 6.0
（平坦型） Ripple≤ 0.5 0.5 未列示
Unif≤ 1.0 1.0 未列示
1dBBand width≥ 0.4 0.4 0.4
3dBBand width≥ 0.6 0.6 0.55
20dB Band width≤ 1.2 未列示 1.2
产品 型号 关键指标（注） 发行人 光迅科技 博创科技
PDL≤ 0.5 0.5 0.5
AX≥ 24 23 25
NX≥ 30 30 30
TX≥ 24 21 22
PMD≤ 0.5 0.5 未列示
CD≤ 20 20 未列示
RL≥ 40 40 45
注：PB指通带带宽，Offset指波长精度，IL指损耗，Ripple为通带平坦度，Unif为通道均匀性，1dB
Band width、3dB Band width、20dB Band width指带宽，PDL指偏振相关损耗，AX指相邻串扰，NX指
非相邻串扰，TX指总串扰，PMD指偏振模色散，CD指色度色散，RL指回损，上述指标中Offset、IL、
Ripple、Unif、PDL、PMD、CD为数值越小，性能越好；1dB Band width、3dB Band width、20dB Band
width、AX、NX、TX、RL为数值越大，性能越好
第一、发行人与光迅科技相比：Gaussion（高斯型）DWDM AWG器件方面，发行人1dB Band width、3dB Band width带宽、AX（相邻串扰）、TX（总串扰）指标方面优于光迅科技同类产品，发行人Ripple（通道平坦度）指标逊于光迅
科技同类产品，光迅科技同类产品规格书中不包含20dB Band width指标，其
他指标一致；Flat（平坦型）DWDM AWG器件方面，发行人产品AX（相邻串扰）、
TX（总串扰）指标方面略优于光迅科技同类产品，光迅科技同类产品规格书中
不包含20dB Band width指标，其他指标一致；
第二、发行人与博创科技相比：博创科技未公布Gaussion（高斯型）DWDMAWG器件产品的规格资料；Flat（平坦型）DWDM AWG器件方面，发行人产品IL（损耗）、3dB Band width带宽、TX（总串扰）指标方面优于博创科技同类产品，AX（相邻串扰）、RL（回损）指标方面逊于博创科技同类产品，博创科技同类产品规格书中不包含Ripple（通带平坦度）、Unif（通道均匀性）、PMD（偏振模色散）、CD（色度色散）等指标，其他指标一致。
综上，与国内主要AWG芯片厂商同类产品相比，发行人DWDM AWG器件产品性能指标与光迅科技、博创科技同类产品相比基本一致。数据中心AWG器件产品方面尚无国内厂商同类产品进行比较。
3、DFB激光器芯片产品技术性能对比情况
目前国内厂商DFB激光器芯片基本处于持续研发和逐步量产阶段，对于各自DFB激光器产品的规格文件、性能指标等，基本上都未予以公开。目前发行人能够取得的国内厂商同类产品规格书为陕西源杰1270nm 2.5G DFB激光器芯片、10G CWDM DFB激光器芯片产品规格书，产品规格书中的性能参数均已列示并进行比较，具有客观性。
五、请补充说明发行人及其子公司无锡杰科塑业有限公司、河南仕佳通信科技有限公司3家公司申请高新技术企业证书续期的进展情况。
回复：
（一）发行人及其子公司无锡杰科、仕佳通信高新技术企业证书情况及目前申报进展
序 持有 证书号 颁发部门 颁发日期 到期日期 首次颁发 历次续
号 人 办情况
1 仕佳 GR201741000166 河南省科学技术 2017-8-29 2020-8-28 2014-10-23 正常
光子 厅、河南省财政
仕佳 厅、河南省国家
2 通信 GR201741000398 税务局、河南省 2017-8-29 2020-8-28 2011-7-28 正常
地方税务局
江苏省科学技术
无锡 厅、江苏财政
3 杰科 GR201732001974 厅、江苏省国家 2017-11-17 2020-11-16 2014-9-2 正常
税务局、江苏省
地方税务局
仕佳光子、仕佳通信及无锡杰科自首次取得高新技术企业证书以来，历次续办情况正常。
根据鹤壁市科技局关于转发省高新技术企业认定管理工作领导小组《组织申报 2020 年度高新技术企业的通知》的通知要求，2020年度高新技术企业申报材料的时间节点为：第一批截止时间为2020年6月12日，第二批截止时间为2020年8月7日，第三批截止时间2020年9月25。仕佳光子、仕佳通信计划按照第二批的时间点完成高新技术企业的申报工作。
根据无锡市科技局关于转发省高新技术企业认定管理工作领导小组《组织申报 2020 年度高新技术企业的通知》的通知要求，2020年度高新技术企业申报材料的时间节点为：第一批截止时间为2020年7月16日，第二批截止时间为2020年8月13日，第三批截止时间2020年8月31号，无锡杰科计划按照第二批的时间点完成高新技术企业的申报工作。
（二）发行人及其子公司无锡杰科、仕佳通信符合高新技术企业认定的相关规定
根据科技部、财政部、国家税务总局于2016年1月29日发布的《高新技术企业认定管理办法》（国科发火〔2016〕32号）、《高新技术企业认定管理工作指引》的规定，发行人及其子公司无锡杰科、仕佳通信的具体对照情况如下：
序号 要求 仕佳光子情况 无锡杰科情况 仕佳通信情况
1 企业申请认定时须注册 符合 符合 符合
成立一年以上
企业通过自主研发、受 符合。目前仕佳光子 符合。目前无锡杰科 符合。目前仕佳通信
让、受赠、并购等方 拥 有 18 项 发 明 专 拥 有 13 项 授 权 专 拥有发明专利 2项、
2 式，获得对其主要产品 利、9 项实用新型专 利，其中发明专利 实 用 新 型 专 利 28
（服务）在技术上发挥 利和 1项外观设计专 10项，实用新型专利 项，用于生产销售主
核心支持作用的知识产 利，用于生产销售主 3 项，用于生产销售 要产品
权的所有权 要产品 主要产品
符合，对主要产品发
对企业主要产品（服 符合，对主要产品发 挥核心支持作用的技 符合，对主要产品发
务）发挥核心支持作用 挥核心支持作用的技 术属于《国家重点支 挥核心支持作用的技
3 的技术属于《国家重点 术属于《国家重点支 持的高新技术领域》 术属于《国家重点支
支持的高新技术领域》 持的高新技术领域》 规定中的“新材料、 持的高新技术领域》
规定的范围 中的电子信息技术领 高分子材料、新型功 中的电子信息技术领
域。 能高分子材料的制备 域。
及应用技术”。
符 合，仕 佳 光 子 符 合，无 锡 杰 科 符 合，仕 佳 通 信
企业从事研发和相关技 2019年末员工总数为 2019年末员工总数为 2019年末员工总数为
4 术创新活动的科技人员 484 人，其中研发人 93人，其中研发人员 131 人，其中研发人
占企业当年职工总数的 员为 85 人，占比为 10 人 ， 占 比 为 员 14 人，占 比 为
比例不低于10%。 17.56%，超过 10%的 10.75%，超过 10%的 10.69%，超过 10%的
比例规定。 规定比例。 规定比例。
企业近三个会计年度 符合 符合 符合
（实际经营期不满三年 1、2017-2019 年的销 1、2017-2019 年度销 1、公司2017-2019年
的按实际经营时间计 售 收 入 分 别 为 售 收 入 分 别 为： 度 销 售 收 入
算，下同）的研究开发 13,737.68 万 元 、 15,122.39 万 元 、 10,857.30 万 元 、
费用总额占同期销售收 13,091.37 万 元 、 14,749.02 万 元 、 13,914.43 万 元 、
入总额的比例符合如下 15,730.18 万 元 ； 13,305.96 万 元 ， 11,307.98 万 元 ，
要求： 1. 最近一年销售 2017-2019 年研发费 2017-2019 年研发费 2017-2019 年研发费
收 入 小 于 5,000 万 元 用分别为 3,374.00万 用分别为：729.02 万 用分别为：584.43 万
5 （含）的企业，比例不 元、 3,352.95 万元， 元、617.11 万 元、 元、640.34 万 元、
低于5%； 2.最近一年销 4,629.09 万元，研发 544.56 万元，研发费 510.10 万元，研发费
售收入在5,000万元至2 费 用 占 比 分 别 为 用 占 比 分 别 为： 用 占 比 分 别 为：
亿元（含）的企业，比 24.56%、25.61%、 4.82%、4.18%、 5.38%、4.60%、
例不低于4%； 3.最近一 29.43%， 2017-2019 4.09%，2017-2019 年 4.51%，2017-2019 年
年销售收入在2亿元以上 年三年研发费用总额 三年研发费用总额 三年研发费用总额
的企业，比例不低于 11,356.04万元，占占 1,890.69 万 元，占 1,734.86 万 元，占
3%。其中，企业在中国 2017 年-2019 年销售 2017 年-2019 年销售 2017 年-2019 年销售
境内发生的研究开发费 收入 42,559.23 万元 收入 43,177.36 万元 收入 36,079.71 万元
序号 要求 仕佳光子情况 无锡杰科情况 仕佳通信情况
用总额占全部研究开发 的 26.68%，均超过 的 4.38%，均 超 过 的 4.81%，均 超 过
费用总额的比例不低于 4%的比例。 4%的规定比例。 4%的规定比例。
60% 2、研发费用全部为 2、公司研发费用全 2、公司研发费用全
在境内发生的研发费 部为在境内发生的研 部为在境内发生的研
用，超过 60%的比例 发费用，超过 60%的 发费用，超过 60%的
规定。 比例规定 比例规定
符合，2019年高新技 符合，2019年高新技 符合，2019年高新技
近一年高新技术产品 术产品（服务）收入 术 产 品 收 入 术 产 品 收 入 为
6 （服务）收入占企业同 为 14,606.38 万元， 12,667.07 万元，占 7,221.42 万 元，占
期总收入的比例不低于 占 2019 年营业收入 2019 年营业收入的 2019年营业收入的比
60% 的比例为92.86%，超 95.20%，超过 60%的 例为 63.86%，超过
过60%的比例规定 规定比例 60%的规定比例
企业创新能力评价应达 符合，已建立较为完 符合，已建立较为完 符合，已建立较为完
7 到相应要求 善的研究开发与技术 善的研究开发与技术 善的研究开发与技术
创新组织管理体系 创新组织管理体系 创新组织管理体系
企业申请认定前一年内 符合，最近一年内未 符合，最近一年内未 符合，最近一年内未
8 未发生重大安全、重大 发生重大安全、重大 发生重大安全、重大 发生重大安全、重大
质量事故或严重环境违 质量事故或严重环境 质量事故或严重环境 质量事故或严重环境
法行为 违法行为 违法行为 违法行为
根据上表分析，发行人及其子公司无锡杰科、仕佳通信符合《高新技术企业认定管理办法》（国科发火〔2016〕32号）、《高新技术企业认定管理工作指引》的相关规定。
综上所述，发行人及其子公司无锡杰科、仕佳通信高新技术企业证书续期工作正常，不存在到期无法续期办理的风险。
六、发行人AWG芯片系列产品于2019年起才达到一定规模，2018年该类产品收入仅约673万元，2019年增长至4,339万元；2020年1-5月该类产品收入为5,279万元（未审数）。2019年，发行人该类产品的毛利率达到57.59%，远高于同行业可比公司，当年该类产品毛利额占比33%。
发行人该类产品的客户主要为英特尔及其代工厂，2019年发行人向英特尔及其代工厂销售金额为3,063万元，2020年1-5月为4,029万元（未审数）。根据申请文件，发行人主要根据英特尔代工厂英特尔代工厂A、英特尔代工厂B的订单进行生产、发货，直接向英特尔销售的金额较少。英特尔代工厂A、英特尔代工厂B属于英特尔指定代工厂的证据，包括发行人与英特尔的往来邮件、保荐机构对上述代工厂人员的视频访谈资料等。
请说明或核查以下事项：（1）发行人AWG芯片系列产品属于无源光器件，2019年度该类产品毛利率为57.59%。请发行人与同行业可比公司AWG系列产品或无源光器件（模块）产品的毛利率进行对比分析，对发行人 AWG系列产品2019年毛利率的合理性进行说明。请保荐机构进行核查并发表意见；（2）请保荐机构和律师就上述英特尔邮件的发送地址、邮件内容进行核查，英特尔要求发行人提供的产品类型与数量（如有）与发行人向英特尔代工厂A、英特尔代工厂B销售的产品类型与数量是否一致，并就以上述邮件证明英特尔代工厂A、英特尔代工厂B系英特尔代工厂的依据是否可靠、充分，发表核查意见；（3）请发行人说明在进入英特尔供应商名单后双方是否签署质量控制协议、合作框架等书面文件，说明签署时间、主要内容以及约定的合作期限；请保荐机构和律师进行核查；（4）申请文件显示，发行人与英特尔代工厂A的订单中产品项列示为“光纤尾纤”，与英特尔代工厂B的订单中产品项列示为“电缆”，请说明订单所列产品与AWG芯片系列产品的相关性，如有必要，请更新招股书
披露的发行人向英特尔及其代工厂销售的产品类型，更为准确地披露所售产品。
请保荐机构核查并发表意见。
回复：
根据发行人与英特尔之间签署的保密协议要求，英特尔与代工厂之间的代工关系属于商业秘密，因此本回复报告在问题六之题干及回复内容中，将英特尔代工厂的具体名称分别由英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B来进行替代。对于上述信息豁免披露事项，发行人已根据《招股说明书准则》、《上市审核规则》、《上市审核问答》等法律、法规、规范性文件的要求，履行了信息豁免披露的相应程序，并由中介机构出具了核查意见。
（一）发行人AWG芯片系列产品属于无源光器件，2019年度该类产品毛利率为57.59%。请发行人与同行业可比公司AWG系列产品或无源光器件（模块）产品的毛利率进行对比分析，对发行人AWG系列产品2019年毛利率的合理性进行说明
1、发行人主要AWG芯片产品的具体情况
发行人AWG系列产品主要由数据中心AWG器件构成，数据中心AWG器件产品的拆解图情况如下：
（1）数据中心光模块拆解图
（2） ROSA（光接收子组件）拆解图
（3） TOSA（光发射子组件）拆解图
由上述拆解图可知，发行人数据中心 AWG 器件主要由发行人自产的数据中心AWG芯片与Receptacle（适配器）组装为数据中心AWG器件，由下游客户生产成ROSA（光接收子组件）、TOSA（光发射子组件），并最终封装为数据中心光模块。
2、发行人AWG器件产品与同行业可比公司AWG器件产品的比较情况
截至本回复报告签署日，量产销售（含自用）AWG晶圆、芯片的国内主要厂商为光迅科技、博创科技。
（1）与光迅科技的比较情况
根据公司主页披露的产品信息，光迅科技对外销售的主要产品为子系统（介于光模块与光设备之间）和各类光模块（具体参见http://www.accelink.com/index.php?a=lists&catid=2），并且不对外出售 AWG 晶圆、芯片等前序环节的产品。结合上述数据中心光模块的拆解图分析，发行人 AWG 系列产品与光迅科技对外披露的产品类型差异较大，不具有可比性。
（2）与博创科技的比较情况
根据公司主页披露的产品信息，博创科技产品以无源器件和有源器件为主（具体参见 http://www.broadex-tech.com/products_list.aspx），其中无源器件包括DWDM AWG器件、PLC分路器器件、VOA器件等。
根据博创科技招股说明书（2016年9月），其披露的AWG器件2015年、2016年1-6月的毛利率分别为43.21%、42.01%。同时，根据博创科技招股说明书披露，当时博创科技还不具备自主芯片能力，博创科技的 AWG 器件使用的AWG芯片主要向美国JDSU、美国Kaiam采购。博创科技2016年10月完成上市发行后，未再披露过关于AWG器件产品的毛利率数据。
发行人AWG芯片系列产品2019年度毛利率为57.59%，高于博创科技2016年度招股说明书披露的AWG器件毛利率42.01%（2016年1-6月），主要系发行人具备从晶圆、芯片生产至器件的业务能力，因此发行人 AWG芯片产品毛利率较高具有合理性。
2、发行人AWG器件产品与无源光器件产品的毛利率不具有可比性
无源光器件涵盖的范围较广，除 AWG芯片系列产品外，PLC分路器芯片系列产品、光纤连接器产品均属于无源光器件。2019年度，发行人 AWG芯片系列产品、PLC分路器芯片系列产品、光纤连接器产品的毛利率分别为 57.59%、31.88%和 23.26%，虽然同属于无源光器件，但是由于产品技术壁垒、市场竞争
格局的差异，上述产品毛利率差异较大。
因此，直接将发行人 AWG 器件产品与同行业公司无源光器件产品比较，不具有可比性。
3、发行人AWG器件产品与光模块产品的毛利率不具有可比性
根据上述数据中心光模块的拆解图分析，从发行人数据中心 AWG 器件需要先封装为ROSA（光接收子组件）、TOSA（光发射子组件），然后再封装为光模块。因此数据中心 AWG器件与最终产品光模块差异较大，不具有可比性。
4、发行人2019年AWG芯片系列产品毛利率较高的主要原因
2019年，发行人 AWG芯片系列产品毛利率较高，主要系两方面原因所致：第一、发行人数据中心 AWG器件产品完成对英特尔的产品导入，并且从 2019年 7月起形成稳定批量销售。由于行业内能够生产该产品的厂商较少，并且该产品下游最终应用于数据中心建设，市场需求情况良好，因此发行人该产品价格情况较好；第二、2019年数据中心 AWG器件产销量的提升对制造费用分摊效应明显，从而推动产品单位成本大幅下降。因此，发行人2019年AWG芯片系列产品毛利率较高具有合理性。
（二）请保荐机构和律师就上述英特尔邮件的发送地址、邮件内容进行核查，英特尔要求发行人提供的产品类型与数量（如有）与发行人向英特尔代工厂A、英特尔代工厂 B销售的产品类型与数量是否一致，并就以上述邮件证明英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B系英特尔代工厂的依据是否可靠、充分，发表核查意见
发行人与英特尔开展业务经历了产品性能测试、根据英特尔的指示小批量交付订单、英特尔代工厂直接向发行人下单采购等阶段，具体如下：
1、发行人开始对英特尔进行产品送样、性能测试等产品导入
发行人自2017年9月起与英特尔接触，对英特尔进行产品送样、性能测试等产品导入过程，产品的性能参数、技术指标等均由英特尔确定，发行人根据英特尔的技术要求设计开发样品，并将样品交付予英特尔进行性能测试。
在签署保密协议后，双方以电子邮件方式确认并持续推进产品导入过程。
2、发行人根据英特尔的要求向英特尔代工厂 A及英特尔代工厂 B交付小批量订单
在多轮样品测试持续符合英特尔技术要求后，自2019年1月起，英特尔直接向发行人下达小批量采购订单，并在订单中明确约定产品的交付对象为英特尔代工厂 A及英特尔代工厂 B。根据发行人与英特尔电子邮件交流情况，英特尔代工厂A及英特尔代工厂B将包括发行人数据中心AWG器件在内的材料生产成数据中心光模块后，进一步开展后续的产品性能测试。
3、英特尔代工厂A、英特尔代工厂B向发行人直接采购
经多轮小批量订单批次验证后，发行人数据中心 AWG 器件符合英特尔技术要求，自2019年7月起，按照与英特尔电子邮件确认情况，英特尔代工厂A、英特尔代工厂 B直接向发行人逐月发送采购订单，并由发行人直接向英特尔代
工厂 A、英特尔代工厂 B交付产品。产品的型号、技术指标、性能要求与英特
尔产品导入时的性能标准要求保持一致。同时，发行人每季度与英特尔以电子
邮件形式确定下季度产品价格，并每季度以电子邮件形式估计下季度预计采购
量以便发行人安排生产计划，最终实际采购数量以英特尔代工厂 A、英特尔代
工厂B发出的订单为准。
发行人与英特尔开展业务经历了逐步建立信任并深入合作的过程，英特尔要求发行人提供的产品类型与发行人向英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B销售的产品类型一致，英特尔以电子邮件形式估计下季度预计采购数量以便发行人安排生产计划，最终实际采购数量以英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B发出的订单为准；根据发行人与英特尔的电子邮件内容、订单及订单核心条款的确定方式，以及发行人与英特尔业务开展过程，能够确认英特尔代工厂 A和英特尔代工厂B系英特尔指定的代工厂，上述确认依据充分、可靠。
（三）请发行人说明在进入英特尔供应商名单后双方是否签署质量控制协议、合作框架等书面文件，说明签署时间、主要内容以及约定的合作期限；请保荐机构和律师进行核查
1、发行人与英特尔签署的框架协议的主要内容
（1）协议签署时间及生效时间
协议签署时间： 22020年4月3日；协议生效时间：2020年4月6日。
（2）合作期间
根据框架协议约定，合作期间为2020年4月6日至2025年4月5日。
（3）产品及价格确定
产品分别为 3CWDM4 Rx组件和FR4 Rx组件。双方每季度对产品价格进行评审和协商。实际订购价格将根据每个季度的谈判结果确定。随着业务的发展，双方将会开发更多的产品，这些产品将包括在本合同中。
（4）质量要求
发行人作为供应商为英特尔履行本协议项下的服务时，应遵守买方质量管理过程规范。发行人可以在供应商站点的产品数据管理模块（EPDM）中访问英特尔的规范。
2、英特尔通过例会的形式对发行人的产品进行质量要求并持续提出具体改进建议
除上述框架协议，英特尔品质和供应链管理部门还通过召开质量控制的周例会及月度例会形式对发行人关于英特尔需求产品的生产情况、生产过程中发现的问题、改进建议、客户反馈情况等进行讨论，督促发行人保持对相关产品的质量控制，例会的主要议题情况如下：
序号 会议主题（Meeting Topic）
1 每周产量（Weekly Yield）
2 内部问题分析（Internal IssueAnalysis）
3 内部问题分析及改进建议（Internal IssueAnalysis&Improvement）
4 客户反馈（CustomerFeedback）
5 开放式讨论（Opens）
综上所述，发行人进入英特尔供应商名单后双方已签署框架协议，并对产品名、价格确定方式、质量要求等要素进行了明确约定；同时，英特尔还通过2注：发行人与英特尔的合作协议签署日为2020年4月，但由于美国地区疫情较为严重，受居家办公等因素影响，发行人于6月收到正式签署的协议文件
3注：CWDM4 Rx组件对应发行人CWDM DEMUX（±6.5nm）规格的数据中心AWG器件；FR4 Rx组件
对应发行人CWDM DEMUX（±5.75nm）规格的数据中心AWG器件
例会的形式对发行人的产品提出质量要求并持续提出具体改进建议。
（四）申请文件显示，发行人与英特尔代工厂 A 的订单中产品项列示为“光纤尾纤”，与英特尔代工厂 B的订单中产品项列示为“电缆”，请说明订单所列产品与 AWG 芯片系列产品的相关性，如有必要，请更新招股书披露的发行人向英特尔及其代工厂销售的产品类型，更为准确地披露所售产品
申请文件中，英特尔代工厂A与英特尔代工厂B订单中对产品规格的表述及发行人相应的物料代码情况如下表所示：
客户名称 订单产品规格 发行人产品出库单
代码及名称
ISP-J12961-002_S_FIBER PIGTAIL,SMF-28,53.0,C
RX,W/DEMUS,BOI;FIBER ASSEMBLY**This mat
erial must comply to EU RoHS Directive.CoC requir
英特尔代工厂A ed for each lot.,COMMODITY;Optical Part,（MFG/ C.10.01.010940001，
MFG Part Number）: AWG组件
（HENAN SHIJIA PHOTONS TECHNOLOG/C.10.
01.010940001）,（10/01）,（010940001/-）
317.Z0036.005 C.10.01.010940001，
英特尔代工厂B CABLE AVRX FAU71.25MM GP AWG组件
C.10.01.10940001
1、上述订单中产品规格表述的前半部分为各自根据内部物料代码规则定义的名称，比如与英特尔代工厂A的订单中有“光纤尾纤”（即PIGTAIL）的表述，与英特尔代工厂B的订单中有“电缆”（即CABLE）的表述，上述差异因其各自内部物料代码的差异所造成；
2、上述订单的后半部分，系发行人对该产品的物料代码，均为“C.10.01.010940001 / C.10.01.10940001”，即指代发行人数据中心 AWG器件产品（规格为 CWDM DEMUX（±6.5nm））。发行人针对上述订单相应的出库单、发票等文件中均按照发行人物料代码列示，具有一致性。
因此，申请文件中发行人对英特尔代工厂A与英特尔代工厂B出售的产品相同，均为数据中心 AWG器件（具体规格为 CWDM DEMUX（±6.5nm））。
3、申请文件中，发行人对英特尔及其代工厂的订单为金额超过人民币 100万元以上的订单，涉及的产品均为数据中心AWG器件（规格为CWDM DEMUX（±6.5nm））。除此之外，发行人还向英特尔及其代工厂销售过 CWDM DEMUX（±5.75nm）规格的数据中心AWG器件，物料代码为C.10.01.010940008。
（五）保荐机构核查程序及核查意见
1、核查程序
（1）对发行人主要技术人员进行访谈，了解发行人主要 AWG 芯片产品的下游应用情况，查阅光迅科技、博创科技公司主页以及公开披露资料，比较发行人 AWG芯片产品与光迅科技、博创科技等主要同行业公司主要产品的差异，并结合发行人自身业务情况，分析 2019年发行人 AWG芯片系列产品毛利率较高的合理性；
（2）查阅了发行人与英特尔的重要往来邮件，确认相关邮件（邮件后缀均为@intel.com），邮件的收发方为英特尔的对接人员；
（3）查阅了英特尔指示发行人向英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B直接发货的有关邮件，确认英特尔代工厂A、英特尔代工厂B与英特尔的供应关系；
（4）查阅发行人与英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B的订单及物料代码，确认发行人向英特尔代工厂A、英特尔代工厂B销售的产品类型一致；
（5）对发行人主要业务负责人进行访谈，了解发行人和英特尔及英特尔代工厂A、英特尔代工厂B开展业务的过程，确认英特尔代工厂A、英特尔代工厂B与英特尔的供应关系；
（6）实地走访了英特尔代工厂 B在中山保税区的工厂（与订单发货地址一致）；
（7）视频访谈了英特尔代工厂 A，视频访谈过程中致同国际泰国成员所前往英特尔代工厂 A 生产经营地（与订单发货地址一致）与被访谈对象一同参与，保存了访谈录像并取得对方书面签署确认的访谈记录文件；
（8）查阅发行人与英特尔签署的协议，以及发行人与英特尔品质和供应链管理部门关于质量控制的周例会、月度例会的会议文件；
（9）查阅发行人与英特尔及英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B的订单，将上述订单中涉及发行人物料代码的内容与订单对应的出库单、发票等文件进行核对，检查物料代码是否具有一致性。
2、核查意见
经核查，保荐机构认为：
（1）发行人AWG系列产品2019年毛利率水平合理；
（2）发行人与英特尔开展业务经历了逐步建立信任并深入合作的过程，英特尔要求发行人提供的产品类型与发行人向英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B销售的产品类型一致，英特尔以电子邮件形式估计下季度预计采购数量以便发行人安排生产计划，最终实际采购数量以英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B发出的订单为准；根据发行人与英特尔的电子邮件内容、订单及订单核心条款的确定方式，以及发行人与英特尔业务开展过程，能够确认英特尔代工厂 A和英特尔代工厂B系英特尔指定的代工厂，上述确认依据充分、可靠；
（3）发行人进入英特尔供应商名单后双方已签署框架协议，并对产品名、价格确定方式、质量要求等要素进行了明确约定；同时，英特尔还通过例会的形式对发行人的产品提出质量要求并持续提出具体改进建议；
（4）发行人对英特尔及其代工厂出售的产品均为数据中心AWG器件。
（六）发行人律师核查程序及核查意见
1、核查程序
（1）查阅了发行人与英特尔的重要往来邮件，确认相关邮件（邮件后缀均为@intel.com），邮件的收发方为英特尔的对接人员；
（2）查阅了英特尔指示发行人向英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B直接发货的有关邮件，确认英特尔代工厂A、英特尔代工厂B与英特尔的供应关系；
（3）查阅发行人与英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B的订单及物料代码，确认发行人向英特尔代工厂A、英特尔代工厂B销售的产品类型一致；
（4）对发行人主要业务负责人进行访谈，了解发行人和英特尔及英特尔代工厂A、英特尔代工厂B开展业务的过程，确认英特尔代工厂A、英特尔代工厂B与英特尔的供应关系；
（5）实地走访了英特尔代工厂 B在中山保税区的工厂（与订单发货地址一致）；
（6）视频访谈了英特尔代工厂 A，视频访谈过程中致同国际泰国成员所前往英特尔代工厂 A 生产经营地（与订单发货地址一致）与被访谈对象一同参与，保存了访谈录像并取得对方书面签署确认的访谈记录文件；
（7）查阅发行人与英特尔签署的协议，以及发行人与英特尔品质和供应链管理部门关于质量控制的周例会、月度例会的会议文件。
2、核查意见
经核查，发行人律师认为：
（1）发行人与英特尔开展业务经历了逐步建立信任并深入合作的过程，英特尔要求发行人提供的产品类型与发行人向英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B销售的产品类型一致，英特尔以电子邮件形式估计下季度预计采购数量以便发行人安排生产计划，最终实际采购数量以英特尔代工厂 A、英特尔代工厂 B发出的订单为准；根据发行人与英特尔的电子邮件内容、订单及订单核心条款的确定方式，以及发行人与英特尔业务开展过程，能够确认英特尔代工厂 A和英特尔代工厂B系英特尔指定的代工厂，上述确认依据充分、可靠；
（2）发行人进入英特尔供应商名单后双方已签署框架协议，并对产品名、价格确定方式、质量要求等要素进行了明确约定；同时，英特尔还通过例会的形式对发行人的产品提出质量要求并持续提出具体改进建议。
七、发行人报告期递延收益分别为 7,020.86 万元、6,944.27 万元和8,610.28万元，主要有中国科学院半导体研究所河南研究院研究平台奖励补贴、仕佳光电子产业园前期开发费、公租房项目。请发行人说明上述3个项目进展
情况，长期挂账原因，报告期摊销及未来拟摊销情况，账务处理是否符合相关
企业会计准则。请保荐机构和会计师就相关情况进行核查并发表明确意见。
回复：
（一）请发行人说明上述 3 个项目进展情况，长期挂账原因，报告期摊销及未来拟摊销情况，账务处理是否符合相关企业会计准则
1、中国科学院半导体研究所河南研究院研究平台项目
根据鹤壁市人民政府办公室印发的《鹤壁市人民政府办公会议纪要》（鹤政办会[2015]4号）、根据鹤壁经济技术开发区财政局印发的《关于下达中国科学半导体研究所河南研究院研究平台奖励补贴资金的通知》等文件的规定，该项目主要系针对发行人与中科院半导体所合作开展DFB激光器芯片产业化的补助。
该项目政府补助长期挂账原因主要有两个：第一、财政拨款分批下发，公司分别于 2015 年度、2017 年度、2019 年度收到财政拨款 2,000.00 万元、1,000.00万元、2,000.00万元，合计5,000.00万元；第二、根据政府补助文件，2015-2017年度收到的政府补助主要与资产相关，用于购买设备，相应的政府补助在设备购置或在建工程转入固定资产后逐年摊销；2019年度收到的政府补助用于补贴DFB激光器芯片研发实际产生费用，尚未使用的部分计入递延收益。目前发行人DFB激光器芯片的研发工作仍然在持续开展。
该项目政府补助报告期内的摊销情况如下表所示：
单位：万元
收到 收到 报告期 2019年
补助项目 年份 补助类型 金额 初已摊 2017年 2018年 2019年 末递延
销金额 收益
与收益相关 500.00 500.00 - - - -
500.00 50.00 50.00 50.00 50.00 300.00
2015年
中国科学院 与资产相关 500.00 - - - 50.00 450.00
半导体研究 500.00 - - - 50.00 450.00
所河南研究
院研究平台 500.00 - - - 50.00 450.00
项目 2017年 与资产相关 500.00 - - - - 500.00
2019年 与收益相关 2,000.00 - - - 501.11 1,498.89
合计 5,000.00 550.00 50.00 50.00 701.11 3,648.89
上述政府补助未来拟摊销情况如下：第一、与资产相关的政府补助，将按照所购置设备的使用年限（一般为10年）进行摊销；第二、与收益相关的政府补助，将根据该项目实际产生费用情况进行摊销。
2、仕佳光电子产业园前期开发费项目
根据《鹤壁经济技术开发区财政局关于拨付河南仕佳光子科技有限公司平面光波导（PLC）芯片项目扶持资金的通知》（鹤开管财[2011]105 号），发行人于2011年度收到财政拨款1,987.26万元，用于公司平面光波导（PLC）芯片项目（一期）的基础设施建设。
该项目政府补助长期挂账原因系上述款项用于购买土地使用权，根据土地使用权期限50年进行摊销。
报告期内，仕佳光电子产业园前期开发费项目的摊销及递延收益情况如下：
单位：万元
收到 收到 报告期 2019年
补助项目 年份 补助类型 金额 初已摊 2017年 2018年 2019年 末递延
销金额 收益
仕佳光电子
产业园前期 2011年 与资产相关 1,987.26 211.96 39.75 39.75 39.75 1,656.05
开发费项目
上述政府补助未来将延续该项目递延收益的摊销政策继续进行摊销，直至摊销完毕。
3、仕佳光子公租房项目
根据《鹤壁市保障性安居工程工作领导小组关于开发区荣基春城部分项目建设地址变更的批复》（鹤保安居[2014]22号），公司分别于2016年度、2017年度收到政府补助300.00万元、600.00万元，合计900.00万元。根据上述文件要求，该 900.00万元政府补助将用于仕佳光电子产业园区职工宿舍楼（公租房）建设的补贴。
该项目政府补助长期挂账原因系上述款项用于建设职工宿舍楼，为与资产相关的政府补助。2018年 6月，职工宿舍楼建设项目完工并达到可使用状态，转入固定资产，发行人根据职工宿舍楼（公租房）的预计可使用年限30年对已确认的递延收益进行摊销。
报告期内，仕佳光子公租房项目的摊销及递延收益情况如下：
单位：万元
收到 收到 报告期 2019年
补助项目 年份 补助类型 金额 初已摊 2017年 2018年 2019年 末递延
销金额 收益
仕佳光子公 2016年、 与资产相关 900.00 - - 15.00 30.00 855.00
租房项目 2017年
上述政府补助未来将延续该项目递延收益的摊销政策继续进行摊销，直至摊销完毕。
4、上述政府补助项目的账务处理符合企业会计准则的规定
根据《企业会计准则第16号—政府补助》规定，发行人将用于购建或以其他方式形成长期资产的政府补助划分为与资产相关的政府补助；对于政府文件未明确规定补助对象的，能够形成长期资产的，与资产价值相对应的政府补助部分作为与资产相关的政府补助，其余部分作为与收益相关的政府补助；除与资产相关的政府补助之外的政府补助划分为与收益相关的政府补助；对于同时包含与资产相关部分和与收益相关部分的综合性政府补助，公司区分不同部分分别进行会计处理；难以区分的，应当整体归类为与收益相关的政府补助。
与资产相关的政府补助，收到时确认为递延收益的，应当在相关资产使用寿命内按照合理、系统的方法分期计入损益；与收益相关的政府补助，用于补偿企业以后期间的相关成本费用，收到时确认为递延收益，并在确认相关成本费用的期间，计入当期损益。
对照企业会计准则的规定，发行人上述政府补助项目的财务处理符合《企业会计准则第16号—政府补助》的相关规定。
（二）保荐机构和会计师的核查程序及核查意见
1、核查程序
（1）查阅发行人的政府补助项目相关批准文件及资金划拔单等，检查政府补助相关项目进展情况，检查相关政府补助是否满足文件规定的条件；
（2）复核政府补助的性质、金额、入账时间、摊销是否正确，长期挂账原因是否合理，检查相关会计处理是否符合《企业会计准则第 16 号-政府补助》的规定。
2、核查意见
经核查，保荐机构及申报会计师认为，发行人上述政府补助项目长期挂账的原因合理，账务处理符合《企业会计准则第16号—政府补助》的规定。
（本页无正文，为《关于河南仕佳光子科技股份有限公司首次公开发行股票并
在科创板上市的发行注册环节反馈意见落实函之回复》之签章页）
法定代表人、董事长：
葛海泉
河南仕佳光子科技股份有限公司
年 月 日
保荐机构总经理的声明
本人已认真阅读河南仕佳光子科技股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的发行注册环节反馈意见落实函之回复的全部内容，了解回复涉及问题的核查过程、本公司的内核和风险控制流程，确认本公司按照勤勉尽责原则履行核查程序，本回复不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对上述文件的真实性、准确性、完整性、及时性承担相应法律责任。
保荐机构总经理：
马 骁
华泰联合证券有限责任公司
年 月 日
（本页无正文，为《关于河南仕佳光子科技股份有限公司首次公开发行股票并
在科创板上市的发行注册环节反馈意见落实函之回复》之签章页）
保荐代表人：
刘 鹭 李 威
华泰联合证券有限责任公司
年 月 日
查看公告原文
首页
微信公众号
证券之星APP
