三安光电：第三代半导体产能即将落地，Led芯片再迎行业风口

（原标题：三安光电：第三代半导体产能即将落地，Led芯片再迎行业风口）

今年1月7日，览富财经网发文《三安光电：第三代半导体广泛布局，有望长期受益功率器件蓝海市场》，关注到三安光电(600703)第三代半导体项目。

日前，三安光电旗下三安半导体投资160亿元、占地面积1000亩的湖南省首个第三代半导体产业园及国内首条碳化硅研发生产全产业链生产线，有了新进展。

具体而言，三安半导体项目中最大单体M2B芯片厂房封顶，该厂房占地23206平方米、建筑面积52326平方米、钢构大屋面面积16500平方米。

项目全面建成投产后，将形成碳化硅研发和生产全产业链两条生产线，全部建成后预计可实现年产值120亿元以上，并可带动上下游配套产业产值预计超1000亿元。

除此之外，三安光电既往主业LED芯片也迎来行业风口，伴随苹果、三星等一线大厂关于Mini led的应用越来越广泛，作为国内成立最早、规模最大的LED芯片及外延片生产企业，三安光电业绩在未来五年有望迎来收获期。

前瞻布局第三代半导体

第三代半导体是览富财经网长期关注行业，三安光电是第三代半导体龙头企业之一。

与前两代半导体相比，以GaN、GaAs为代表的第三代化合物半导体物理特性优势明显，下游应用广泛，在5G基建、5G终端射频和新能源车等多重推动，以及化合物半导体的国产替代趋势下，未来成长空间广阔。

三安化合物半导体业务以三安集成为依托，在GaN、GaAs和SiC等领域布局国内领先。目前国内化合物半导体市场份额较低，未来国产替代空间较大，受益化合物半导体国产替代浪潮。

三安集成是三安光电2014年成立的全资子公司，规划建设砷化镓/氮化镓射频30K/M产能，是国内第一家6寸化合物半导体晶圆代工厂，开发砷化镓、氮化镓外延片和衬底，主要聚焦微波射频、电力电子和光通讯三大领域的高端技术发展，不断开发尖端制程技术，持续提升制程能力。

在微波射频领域，当前已推出具有国际竞争力的GaAs HBT、PHEMT等面向射频应用的先进制程工艺，已建成专业化、规模化的4吋、6吋化合物晶圆制造产线；在电力电子领域推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件；光通讯领域则具备生产DFB、VCSEL、PD APD等数通产品的能力，并面向3Dsensing，红外Li DAR等消费应用领域开发出高功率可见波段、红外波段VCSEL，及端面发光激光器(EEL)等应用产品。于国内竞品企业而言具有先发优势。

三安集成从事的第三代半导体行业是国家重点扶持的战略性新兴产业，也是国家集成电路产业投资基金(以下简称“大基金”)的重点投资项目，早在2014年，大基金参股三安集成2.17亿股，涉及金额38.39亿元，截至2020年三季报，大基金累计持有三安光电3.79亿股，占总股本比例约为8.5%，在公司十大股东中位列第二位。

LED芯片再迎行业风口

三安光电前瞻布局第三代半导体的底气来源于公司既有主营业务，LED芯片及外延片。Mini LED作为小间距LED的延伸，承接了小间距LED高效率、高可靠性、高亮度及反应时间快的特性，性能也大幅提升。与OLED显示技术相比，Mini LED在良率、成本和显示性能等方面更具优势。

根据Yole Research数据显示，全球Mini LED显示设备将从2019年的3.24百万台增长至2023年的80.7百万台，复合年均增长率高达90%。其中车用市场将是Mini LED最有发展机会的领域。调研机构Yole Research表示，车用市场的Mini LED出货量将在2023年增长至高达3570万，将成为最大的应用领域。

LED芯片及外延片生产制造为公司的核心业务和传统主业，作为国内成立最早、规模最大的LED芯片及外延片生产企业，公司LED芯片产能约占全球芯片产能的19.72%(官网数据)。览富财经网曾连篇跟进LED产业海外大厂面对我国厂商成本、产能优势市占率不断下降，三安光电在这场竞争中持续受益。

根据智研咨询数据统计，2019年我国LED外延芯片市场规模约为201亿人民币，其中三安光电2019年实现营业收入74.60亿元，在国内处于绝对龙头地位。即便如此，三安光电依旧在不断扩产。

2019 年 4 月 26 日，三安光电发布公告称，拟投资 120 亿元在湖北省葛店经济技术开发区兴办Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体项目，主要生产经营 Mini/Micro LED 外延与芯片产品及相关应用的研发、生产、销售。2019 年 7 月 29 日，该项目举行开工仪式。目前，湖北三安 Mini/Micro显示芯片产业化项目已完成土地摘牌，项目正在建设中。伴随三安光电第三代半导体和LED产业布局持续落地，公司未来业绩值得市场期待。