紫光国微拟剥离DRAM存储器芯片设计全资子公司

（原标题：紫光国微拟剥离DRAM存储器芯片设计全资子公司）

紫光国微(002049)10月11日晚公告，公司拟将全资子公司西安紫光国芯半导体有限公司(简称“西安紫光国芯”)100%股权以2.20亿元人民币转让给间接控股股东紫光集团有限公司(简称“紫光集团”)下属全资子公司北京紫光存储科技有限公司。

公告显示，西安紫光国芯是专业的DRAM存储器芯片设计公司，主营业务包括存储器设计开发及自有品牌存储器产品的销售，并提供相关集成电路的设计、测试服务，目前的主要产品为DRAM存储器芯片和模组。

紫光国微表示，剥离西安紫光国芯主要有两方面考虑。首先，为保持和跟进DRAM存储器芯片设计领域的先进技术，西安紫光国芯持续加大产品开发投入，但受下游制造代工产能等方面的限制，短期内无法达到规模经济，经营压力加大，资产负债率不断提高，已影响到其正常持续经营，给上市公司带来了一定的资金和业绩压力，其自身后续的研发投入也面临很大困难。

根据公告，西安紫光国芯成立于2006年4月，在香港拥有一家全资子公司(总投资为300万美元)。

西安紫光国芯2017年实现营收3.43亿元，亏损1200.23万元；今年前七个月，实现营收3.27亿元，亏损585.23万元。截至2018年7月31 日，西安紫光国芯资产总额为2.79亿元，净资产为2755.60万元。目前，紫光国微为西安紫光国芯共提供借款资金1.95亿元，另外，尚有为其获得1000万元产业发展基金提供的连带责任保证担保。

其次，结合紫光集团在存储器领域的总体战略布局，上述转让有助于充分发挥西安紫光国芯在存储器芯片设计领域的技术、产品、市场方面的优势和价值，增强存储器方向的协同作用，同时保障其持续发展对资金的需求。

据了解，紫光集团旗下的长江存储主攻3D NAND，总投资240亿美元，32层三维NAND闪存芯片将于年内量产，且已成功将Xtacking TM技术应用于其第二代3D NAND产品的开发，该产品计划于2019年实现量产。

公开资料显示，紫光国微的主要产品包括智能安全芯片、特种集成电路和存储器芯片，其中，存储器芯片主要由西安紫光国芯承担。紫光国微称，上述股权转让完成后，公司将专注于安全芯片设计领域。

不过，在DRAM存储器领域，国内还有其他厂商，比如：兆易创新与合肥产投签署合作协议，开展工艺制程19nm的12英寸DRAM的研发工作，该项目预算约为180亿人民币，已正式投片；福建晋华与联电开展技术合作，投资56.5亿美元，正在建设12存DRAM生产线。