粤芯半导获得发明专利授权：“一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构”

证券之星消息，根据企查查数据显示粤芯半导（301660）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构”，专利申请号为CN202511478389.5，授权日为2026年10月23日。

专利摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种屏蔽栅沟槽VDMOS场板制备方法、系统及结构。目前VDMOS器件的沟槽深宽比过大使得在屏蔽栅多晶硅间隙填充过程中，容易出现底填充孔隙及贯穿沟槽的缝隙，该缝隙导致在后续刻蚀工艺中，屏蔽栅多晶硅顶部常容易形成叉子状形貌。本发明对原始多晶硅层进行快速热退火，利用快速高温退火技术促进原始多晶硅层中的晶粒生长，消除多晶硅沉积过程中的孔隙和缝隙形貌缺陷，得到无缝隙、平整密实的大晶粒多晶硅层，使得后续对所述大晶粒多晶硅层进行回刻不会形成V型形貌，最终得到平整密实的屏蔽栅多晶硅层避免产生叉子状形貌，从而提升屏蔽栅附近的电场分布质量并提升VDMOS器件的性能与质量。

今年以来粤芯半导新获得专利授权7个。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了2.21亿元，同比增18.96%。

通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目152次；财产线索方面有商标信息71条，专利信息1081条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可129个。

数据来源：企查查

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