中微公司获得发明专利授权：“一种等离子体边缘刻蚀设备及开关腔方法”

证券之星消息，根据企查查数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种等离子体边缘刻蚀设备及开关腔方法”，专利申请号为CN202211041969.4，授权日为2026年10月20日。

专利摘要：本发明公开一种等离子体边缘刻蚀设备及开关腔方法，所述等离子体边缘刻蚀设备包括：升降装置，用于升降上电极组件；牵拉装置，用于连接顶盖与上电极组件；当顶盖升降时，上电极组件通过牵拉装置随顶盖移动；顶盖移动至预设位置后，升降装置承接上电极组件并带动上电极组件下降，并在上电极组件下降到工作位置时，上电极组件与下电极组件通过相互配合的对准单元自动对心。本发明中升降装置的位置不受开关腔的影响，在顶盖降至预设位置后，由升降装置承接上电极组件并控制上电极组件的升降，能够使上电极组件与下电极组件自动对心，从而保证上电极组件与下电极组件的同心度。

今年以来中微公司新获得专利授权133个，较去年同期增加了1.53%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了13.1亿元，同比增17.31%。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了31家企业，参与招投标项目94次；财产线索方面有商标信息131条，专利信息1760条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可89个。

数据来源：企查查

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