证券之星消息,根据企查查数据显示长鑫科技(688825)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体集成电路及其制备方法”,专利申请号为CN202210202876.9,授权日为2026年10月16日。
专利摘要:本申请提供了一种半导体集成电路及其制备方法,半导体集成电路包括层叠设置的衬底、外围电路和存储阵列,衬底的一侧设置有所述外围电路,所述外围电路位于所述衬底与所述存储阵列之间,所述衬底中设置有控制所述存储阵列的外围电路;所述存储阵列包括多个存储单元,所述存储单元包括晶体管结构;所述晶体管结构包括:依次层叠设置在所述外围电路远离所述衬底一侧的字线、源极、第一隔离层、漏极,还包括沟道;所述沟道为中空桶状结构,所述沟道内部为栅极,所述栅极与所述字线连接。采用本申请提供的堆叠结构,可以在晶体管尺寸不进行缩微的条件下,存储密度直接提升接近一倍,达到传统两到三代技术节点演进的效果。
今年以来长鑫科技新获得专利授权49个。结合公司2026年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了55.37亿元,同比增51.27%。
通过天眼查大数据分析,长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业,参与招投标项目1088次;财产线索方面有商标信息427条,专利信息725条,著作权信息25条;此外企业还拥有行政许可44个。
数据来源:企查查
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