通富微电9月11日回应高密度存储封装话题：已掌握3D NAND多芯片堆叠及PoP等技术_股票频道

证券之星消息，通富微电（002156）9月11日在投资者互动平台上对高密度存储封装相关话题对投资者做了答复。通富微电回应：公司持续围绕存储封装在高堆叠、高密度、高良率等方向开展技术储备和工艺优化，持续提升存储封测产品的性能与可靠性。例如，公司已掌握3D NAND多芯片堆叠技术、3Ds 2/4H Strip Level DRAM技术、PoP技术，具备LPDDR 12DP工程能力开发基础，在高层数存储堆叠封装领域形成了较为扎实的技术积累。

原文如下：

题材释义：高密度存储封装是通过先进封装工艺在有限空间内集成更多存储芯片或堆叠更多存储层，以提升单位面积存储容量和带宽、满足AI与高性能计算对海量数据吞吐需求的技术方向。

以上内容为证券之星据公开信息整理，仅供参考不构成投资建议。

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