中微公司获得发明专利授权：“用于等离子体刻蚀的气体、气体组合、刻蚀方法及设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“用于等离子体刻蚀的气体、气体组合、刻蚀方法及设备”，专利申请号为CN202310904642.3，授权日为2026年9月11日。

专利摘要：本发明提供了一种用于等离子体刻蚀的气体、气体组合、刻蚀方法及半导体设备，属于等离子体刻蚀领域，主要利用在刻蚀过程中通过提供羰基卤化物、醛基卤化物、羧基卤化物中的一种或多种作为工艺气体，激发形成等离子体，对待刻蚀层进行刻蚀，解决了在刻蚀进行到一定程度形成高深宽比的孔或槽时，底部刻蚀速率与中部刻蚀速率相差较大造成的上下不一致问题，显著改善高深宽比刻蚀的形貌，保证准直性，提高半导体结构的有效性。

今年以来中微公司新获得专利授权118个，较去年同期增加了0.85%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了13.1亿元，同比增17.31%。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了31家企业，参与招投标项目92次；财产线索方面有商标信息131条，专利信息1747条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可88个。

数据来源：天眼查APP

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