中微公司获得发明专利授权：“一种等离子体处理装置及其刻蚀方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种等离子体处理装置及其刻蚀方法”，专利申请号为CN202311554432.2，授权日为2026年9月11日。

专利摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置及其刻蚀方法，该等离子体处理装置包含一真空反应腔，所述真空反应腔内包含：下电极，其包含用于承载基片的承载面；上电极，其与下电极相对设置，所述上电极具有向腔内引入工艺气体的气体喷淋头，上电极与下电极之间形成反应区域；磁场元件，其环绕反应区域设置，所述磁场元件被配置为产生磁场以调节反应区域中的带电粒子，其中，所述磁场包含垂直于承载面的磁场和倾斜于气体喷淋头的下表面的发散性磁场。其优点是：该装置在特定时刻通过磁场元件调节反应区域中的带电粒子的分布和运动方向，可实现对工艺过程的精确控制，有助于获得理想的刻蚀形貌，同时还可在不提高功率峰值的情况下提升刻蚀凹陷结构的能力。

今年以来中微公司新获得专利授权118个，较去年同期增加了0.85%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了13.1亿元，同比增17.31%。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了31家企业，参与招投标项目92次；财产线索方面有商标信息131条，专利信息1747条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可88个。

数据来源：天眼查APP

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