晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制作方法及半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制作方法及半导体结构”，专利申请号为CN202610508501.3，授权日为2026年9月8日。

专利摘要：本申请涉及半导体领域，特别涉及半导体结构的制作方法及半导体结构。半导体结构的制作方法，包括：提供基底结构，基底结构包括衬底以及位于衬底上的有源区，有源区顶面形成有掩膜结构，有源区的顶面沿第一方向延伸，在第二方向上，有源区的顶面包括第一区以及位于第一区相对两侧的第二区，且第二区与有源区的侧面相邻接构成拐角，第二方向与第一方向垂直；对掩膜结构进行第一刻蚀处理，以暴露出第二区；形成第一氧化层，第一氧化层至少覆盖第二区和拐角；对掩膜结构进行第二刻蚀处理，以暴露出第一区中与第二区相邻接的部分区域；对暴露出的有源区进行第三刻蚀处理，形成凹陷部；形成第二氧化层，第二氧化层至少覆盖凹陷部、第二区和拐角。

今年以来晶合集成新获得专利授权377个，较去年同期增加了42.8%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.09亿元，同比减12.32%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目648次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1805条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可35个。

数据来源：天眼查APP

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