有研硅获得发明专利授权：“一种<111>晶向硅单晶小平面的检测方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示有研硅（688432）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种<111>晶向硅单晶小平面的检测方法”，专利申请号为CN202311312019.5，授权日为2026年9月1日。

专利摘要：本发明公开了一种<111>晶向硅单晶小平面的检测方法。所述方法包括：(1)原生<111>晶向硅单晶拉制完成后截取一定厚度的样品；(2)对样品进行表面研磨处理获得平整的表面；(3)对研磨后的样品进行化学腐蚀去除表面机械损伤；(4)对样品进行晶向及棱线位置定位；(5)使用X射线衍射仪对定位后的样品进行X射线衍射位置测定，转动X射线光源进行ω方向扫描，确定衍射位置后进行测试，(6)对测试结果进行判定，确定小平面的位置和大小。本发明实施的检测方法，可以快速实现原生<111>晶向硅单晶小平面的检测，本发明检测方法操作简便易实现，检测<111>晶向硅单晶小平面直观化，对于改善<111>晶向硅单晶径向电阻率均匀性有重要意义。

今年以来有研硅新获得专利授权6个，较去年同期增加了500%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4344.8万元，同比减1.74%。

通过天眼查大数据分析，有研半导体硅材料股份公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目62次；财产线索方面有专利信息352条；此外企业还拥有行政许可74个。

数据来源：天眼查APP

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