有研硅获得发明专利授权：“直拉法制备超高电阻率硅衬底的方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示有研硅（688432）新获得一项发明专利授权，专利名为“直拉法制备超高电阻率硅衬底的方法”，专利申请号为CN202211727056.8，授权日为2026年8月28日。

专利摘要：本发明公开了一种直拉法制备超高电阻率硅衬底的方法，该方法的工艺流程为：直拉法制备硅单晶→单晶棒滚磨→多线切割→边缘倒角→双面研磨→化学腐蚀→热处理→化学机械抛光；其中，在所述直拉法制备硅单晶的工序中，单晶生长过程中使用水平超导磁场，磁场强度为1000?5000高斯，同时，采用特定的晶体转速和坩埚转速相配合，晶体转速为1?12rpm，坩埚转速为0.1?2rpm；在所述热处理工序为POLY+LTO薄膜生长；或者为高温退火。该方法适用于制备直径在8英寸及以上、电阻率在3000Ω·cm以上、氧含量在5ppma以下的P型硅衬底。所制备的单晶氧含量低于5ppma，退火后电阻率能够达到3000Ω·cm以上，并且氧含量均匀性小于10％，电阻率均匀性小于5％。

今年以来有研硅新获得专利授权6个，较去年同期增加了500%。结合公司2026年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4344.8万元，同比减1.74%。

通过天眼查大数据分析，有研半导体硅材料股份公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目62次；财产线索方面有专利信息352条；此外企业还拥有行政许可74个。

数据来源：天眼查APP

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