路维光电（688401）2026年半年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期路维光电（688401）发布2026年半年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

    （一）所处行业情况

    掩膜版作为光刻工艺中的图形母版，是连接工业设计和工艺制造的关键，在半导体与平板显示产业链中承担着承上启下的关键角色。掩膜版是一种具备耗材属性的模具材料，与下游光刻工艺强绑定，它将精密设计的电路图形或像素结构，以高保真度的方式转移至硅片、玻璃基板、有机基板等衬底之上，其精度、缺陷水平与一致性，直接定义了下游器件的性能、良率与可靠性。

    从下游应用来看，半导体芯片与显示面板的终端场景正经历新一轮的拓展与重构。消费电子领域的创新围绕折叠屏手机、AIPC（人工智能电脑）、空间计算设备等新品类展开；新能源汽车的电动化与智能化，拉动功率半导体、车载显示及传感器的单车用量持续攀升；人工智能大模型的规模化部署，催生了对GPU、HBM存储器及高速互联芯片的海量需求；物联网与工业控制领域，则对各类成熟制程的特色工艺芯片保持着稳健且长周期的需求。

    在上述多元化的终端需求驱动下，半导体制造正沿着两条主线加速演进：一是逻辑与存储芯片向更先进制程迈进，从FinFET（鳍式场效应晶体管）走向GAA（全环绕栅极）架构，并借助3D堆叠、Chiplet（芯粒）与先进封装技术实现系统级性能的持续突破；二是以BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、SiC/GaN为代表的特色工艺平台快速发展，支撑汽车、工业及新能源领域的高可靠性应用。这两条主线共同推高了掩膜版的层数需求与精度门槛，先进制程及先进封装用的高阶掩膜版价值量显著提升。

    在平板显示领域，技术演进则表现为LTPO（低温多晶氧化物）等新型背板技术的大规模导入、8.6代AMOLED产线的集中建设，以及硅基OLED微显示在AR/VR领域的加速应用。这些趋势促使掩膜版向更大尺寸、更高精度、更复杂的图形设计方向持续迭代。

    综上，半导体与平板显示两大行业的高质量发展，正持续催生对高精度、高品质掩膜版的旺盛需求，为掩膜版行业的技术升级与产业扩张注入了强劲且可持续的增长动力。

    1．半导体市场情况

    1.1半导体掩膜版市场规模

    半导体掩膜版广泛应用于晶圆制造前道工艺、后道封装环节以及其他半导体器件的生产制造过程中，除此之外，前期的研发流片、半导体设备的定位测试等也需要使用掩膜版。

    随着半导体技术不断迭代，特别是在AI技术的加持下，将进一步带动集成电路、半导体器件制造以及各类先进封装需求的不断增长，半导体掩膜版市场需求也将随之增长。AI半导体与先进封装两大板块引领行业增长，玻璃基板封装、CPO等新兴技术开启产业新周期。国内企业在封装测试、存储芯片、中低端晶圆制造等领域替代加速，全产业链布局持续完善，逐步缩小与国际巨头的差距，成为全球半导体产业增长的重要动力源。未来，全球AI基础设施建设支出将持续拉动半导体细分需求，玻璃基板封装、CPO（共封装光学）、先进制程等技术将持续迭代升级，推动行业向更高集成度、更低功耗、更高性能方向发展。根据多方机构预测的需求综合计算、研判，预计2025年全球半导体掩膜版的市场规模为89.4亿美元，其中晶圆制造用掩膜版为57.88亿美元、封装用掩膜版为14亿美元，其他器件用掩膜版为17.5亿美元；2025年国内半导体掩膜版市场规模约为187亿元人民币，其中晶圆制造用掩膜版预计为100亿元人民币，封装用掩膜版预计为26亿元人民币，其他器件用掩膜版为61亿元人民币。受下游需求的积极推动，未来掩膜版市场规模也将持续增长。各类半导体掩膜版的市场需求测算具体如下：

    1.2半导体技术发展趋势

    （1）摩尔定律深水区：EUV掩膜版进入高数值孔径（High-NA）与曲线掩膜时代

    2025年至2026年上半年，全球先进逻辑制程的竞争已全面聚焦于2nm及以下节点。台积电的N2工艺、英特尔的Intel18A以及三星的SF2等关键制程节点陆续进入试产或风险量产阶段，标志着半导体产业正式迈入“后纳米时代”。在此阶段，晶体管架构经历了从FinFET（鳍式场效应晶体管）向GAA（全环绕栅极）的历史性跨越，同时背面供电网络（BSPDN，BacksidePowerDeliveryNetwork）的引入，将电源走线从芯片正面转移至背面，虽然显著提升了供电效率与晶体管密度，却使得芯片制造的光刻层数急剧攀升。这些革命性的工艺变革，共同将极紫外（EUV）光刻技术推向了半导体制造无可争议的核心地位，同时也对作为光刻工艺“母版”的掩膜版，提出了前所未有的颠覆性要求。

    首先，高数值孔径（High-NA）EUV光刻机的导入，彻底改变了EUV掩膜版的设计范式。ASML新一代NXE：5000系列及后续型号的光刻机，将投影物镜的数值孔径（NumericalAperture）从当前主流的0.33大幅提升至0.55。这一光学系统的根本性变革，旨在实现更高的成像分辨率（可达8nm半周期及以下），因此给掩膜版带来了一整套全新的技术挑战。为适配0.55NA的成像系统，掩膜版的反射层结构必须进行重新设计。传统的钼/硅（Mo/Si）多层膜需要针对更大的入射光角度范围进行优化，以保持高反射率，这意味着膜层厚度梯度控制和界面粗糙度要求达到原子级精度。同时，为了减少光学系统中的杂散光并提高成像对比度，掩膜版需要采用更薄的吸收层材料。业界正积极探索钌基（Ru-based）或新型钽基（Ta-based）复合材料来替代传统的氮化钽（TaN）吸收层。更薄的吸收层能够有效降低3D效应（Mask3DEffects），即掩膜图形厚度导致的阴影效应和成像偏差，但其成分与厚度的极度精密调控成为制造工艺中的新难点。此外，深色边界（BlackBorder）的设计也变得更加复杂，其作用是在掩膜版有效曝光区域外围形成一个高效的吸光框架，以彻底抑制杂散光对芯片成像的影响，这层结构在High-NA光学系统中变得不可或缺，制造难度极高。

    其次，反向光刻技术（ILT，InverseLithographyTechnology）与源-掩膜协同优化（SMO，Source-MaskOptimization）已从可选项转变为先进制程量产中的标准配置，这从根本上改变了掩膜版图形的形态。为了在物理极限上继续挖掘光刻分辨率，ILT和SMO算法通过大规模逆向计算，生成出像素级最优的光源照明形状和掩膜版图形。结果是，掩膜版上不再是由简单的曼哈顿式（横平竖直）线条构成的图形，而是充斥着海量的、不规则的、自由形态的曲线轮廓（CurvilinearPatterns）。这些曲线图形虽然能最大程度地补偿衍射效应、提升工艺窗口，给掩膜版的制造带来了近乎极限的多重挑战：一是图形数据量呈现指数级爆炸，一块先进EUV掩膜版的数据文件可达数TB乃至数十TB量级，给数据传输、存储和写入处理带来了巨大压力；二是掩膜版写入时间因此成倍延长，直接制约了生产交付周期，并对电子束写入设备的稳定性提出了严苛考验；三是海量曲线图形的精确检测与缺陷修补也变得更加困难，需要发展新一代基于深度学习的高通量图形比对与分类算法。上述问题使得掩膜版制造从“精密复制”向“超大规模高精度计算图形制造”范式转变，对写入时间、数据处理能力和计算光刻软件算法的全链条提出了极限挑战。

    更进一步，随着逻辑工艺向2nm以下演进，EUV光刻胶也从传统的化学放大型（CAR）向新型金属氧化物光刻胶（MOR，MetalOxideResist）演进，以在更薄的光刻胶膜厚下实现更高分辨率。这反过来要求掩膜版必须针对新光刻胶的光学常数与成像特性进行联合优化。同时，EUV掩膜版的缺陷控制已成为整个光刻工艺流程中最具挑战性的环节之一。即便是纳米级的相位缺陷或吸收层上的微小颗粒，都可能在晶圆上形成致命的重复性缺陷。因此，掩膜版缺陷检测的灵敏度、特异性以及无损伤修补的精度，都必须全面升级到亚10纳米水平，这推动了电子束检测与修补设备、以及相应算法的持续革新。

    综上所述，在摩尔定律的深水区，EUV掩膜版已不再是传统意义上的“图形母版”，而是集成了尖端光学设计、超精密材料工程、海量数据计算与极限制造工艺于一身的系统级技术载体。其价值量和技术门槛正以前所未有的速度攀升，成为驱动半导体掩膜版市场规模增长与价值结构重塑的核心引擎。

    （2）存储芯片的三维竞赛：堆叠层数与光刻层数持续拉升掩膜版复杂度

    存储芯片作为半导体产业中需求量最大的单一品类，其技术演进对掩膜版市场的影响举足轻重。当前，NANDFlash和DRAM两大主流存储技术正沿着各自的路径加速迭代，共同推动掩膜版需求从单纯的“量”的累积，向“质”与“价值”的维度全面跃升。

    在NANDFlash领域，为满足数据中心、AI大模型训练推理以及消费电子对大容量、低成本存储的持续渴求，3DNANDFlash的堆叠层数正以超预期的速度攀升。2024年，头部厂商已实现238层产品的规模量产；进入2025年至2026年上半年，全球主要存储原厂（如三星、SK海力士、铠侠/西部数据、美光）的竞争焦点已全面上移至300层及以上节点，部分领先厂商甚至已公布了400层以上的技术路线图。这种向“垂直摩天大楼”式的结构演进，其核心制造挑战在于如何在厚度不断增加的氮化硅/氧化硅或氮化硅/多晶硅叠层薄膜中，精准地刻蚀出从顶层直通底层的高深宽比沟道通孔，并形成边缘精度要求极高的阶梯形接触结构。因此，掩膜版的CD均匀性与套刻精度，直接决定接触孔的对准成败，任何偏差都将导致整片晶圆存储单元失效。

    在DRAM领域，技术演进则呈现出另一番景象。当前，DRAM制程已推进至1β代（约12-14nm）的成熟量产阶段，并向更先进的1γ代（约11-12nm）节点加速迈进。与逻辑芯片类似，DRAM的微缩正逼近深紫外（DUV）光刻的物理极限，极紫外（EUV）光刻技术由此成为实现更密布线、更小存储单元的关键路径。在1β代工艺中，头部厂商已开始在少数最关键层（如位线、电容接触孔等）导入EUV单次曝光，以替代以往需要多次DUV曝光-刻蚀循环才能实现的多重图形方案（Multi-Patterning）；而在1γ代节点，EUV的应用层数将大幅增加，成为制造流程中的核心工艺。

    综合来看，存储芯片的技术演进正深刻重塑着掩膜版市场的价值格局。3DNANDFlash的层数竞赛不断推高掩膜版的用量层数和精度要求，而DRAM的EUV渗透则大幅拉高了单层掩膜版的单位价值。两者形成合力，共同推动存储芯片用掩膜版从技术门槛相对可控的“量产品”，向高精度、高单价、高附加值的技术密集型产品跃迁，为掩膜版厂商打开了全新的增长空间。

    （3）超越摩尔的成熟制程与特色工艺：高可靠性与定制化需求凸显

    当先进制程沿着摩尔定律向2nm以下高歌猛进之时，另一条“超越摩尔”（MorethanMoore）的技术路径——成熟制程与特色工艺，同样迸发出强劲的生命力，成为半导体掩膜版市场不可忽视的重要增长极。近年来，汽车电子、新能源与工业物联网的蓬勃发展，催生了对各类特色工艺芯片的旺盛需求。在汽车领域，一辆高端新能源汽车所搭载的芯片数量已超过千颗，涵盖电驱控制、电池管理、自动驾驶传感、车载通信等核心环节；在工业与能源领域，光伏逆变器、储能变流器、智能电网设备等同样高度依赖功率半导体和模拟芯片。这些应用场景共同指向了对BCD、IGBT、SiC和GaN等特色工艺平台的旺盛需求。

    与追求极致微缩的先进逻辑工艺不同，这些特色工艺平台大多运行在90nm至180nm的成熟制程节点上。它们对掩膜版的绝对线宽精度要求虽不及先进制程严苛，却有着另一套同样苛刻的品质标准。首先，汽车与工业级芯片需在高温、高湿、强震动等复杂严苛的工况下，实现十年以上长期稳定工作。掩膜版上若存在超出工艺管控阈值的缺陷，会通过光刻工艺转移至晶圆图形，在长期过程中诱发晶体管参数漂移、金属互连失效等问题。一旦该类缺陷流用到车载关键器件，将存在引发功能异常，进而带来安全风险的可能性。因此，用于特色工艺的掩膜版必须具备极低的粒子缺陷密度、高度品质稳定性。其次，功率器件常工作于高电压、大电流条件下，芯片内部存在强电场分布，图形边缘的微小毛刺或粗糙度，都可能在局部形成电场集中，导致器件击穿电压降低或漏电流增大。这使得掩膜版的边缘质量与图形完整性，直接与终端器件的可靠性、寿命乃至安全性挂钩。

    与此同时，特色工艺的“小批量、多品种”特性，正持续改变着掩膜版生产的组织模式。不同于手机处理器动辄数千万颗的单一型号出货，车规芯片或工业芯片往往涉及上百种型号，每种型号对应一套独立的掩膜版组合。这要求掩膜版厂商必须具备高度柔性化的生产能力，能够在短时间内完成不同产品的快速切换与交付，同时在多品种并行生产时保持品质的一致性与可追溯性。这种灵活性与快速交付能力的构建，涉及制造执行流程、品质管控节点等一系列环节的系统性优化，因而成为衡量掩膜版厂商综合竞争力的关键维度。随着全球汽车电动化与智能化进程的持续深入，这一赛道的增长确定性高、周期波动小，正为掩膜版行业贡献着长期、稳健且高质量的市场增量。

    （4）异构集成的革新：先进封装用掩膜版成为高价值新赛道

    AI大模型与海量数据中心的算力需求持续井喷，推动以Chiplet（芯粒）和HBM（高带宽内存）为代表的先进封装技术跃升为半导体产业的战略高地。传统SoC单芯片方案在芯片尺寸、良率和设计成本上遭遇的瓶颈日益凸显，而先进封装通过将不同工艺节点的计算芯粒、存储芯粒和I/O芯粒在封装基板上进行异构集成，已成为延续系统级性能增长的核心路径。这一技术变革为掩膜版开辟了全新的高价值赛道。台积电的CoWoS、英特尔的EMIB等主流先进封装平台，均高度依赖中介层（Interposer）、重布线层（RDL）和硅桥（SiliconBridge）等核心结构来实现芯片间的高密度互连。这些结构所需的掩膜版，其线宽/线距已从早期的5μm/5μm快速下探至2μm/2μm，并向1μm/1μm级别逼近，已完全达到晶圆级光刻的精度水平。上述技术壁垒使得先进封装用掩膜版已完全告别“大线宽、低门槛”的传统印象，转而成为一类工艺高度复杂、对制造精度和缺陷控制要求极为严苛的专业产品。在AI算力需求的强劲驱动下，这一赛道正快速崛起为半导体掩膜版领域增长最快、附加值最高的细分市场之一，吸引全球头部掩膜版厂商将其列为战略布局重点，持续加大资源倾斜与产能投入。

    1.3技术演进如何推动掩膜版需求与迭代

    （1）全球半导体光掩膜市场稳健增长，中国大陆成为最强引擎

    全球半导体光掩膜市场在经历了2023年的小幅调整后，于2025~2026年步入强劲增长通道。根据PWConsulting（领先的商业技术咨询公司）数据，2025年全球半导体光掩膜市场规模达到71.4亿美元，预计2032年全年将增长至114.3亿美元。从区域来看，中国大陆是这轮复苏中最重要的增长引擎，无论是市场规模占比还是增速均位居全球前列。这背后的核心逻辑，一是国内晶圆代工与存储芯片产能的持续放量，新建产线带来的光掩膜配套需求集中释放；二是本土掩膜版厂商的产品线正在快速补齐，成熟制程领域的国产替代已形成明确的增量支撑。伴随中国本土晶圆厂、存储厂以及封测厂的快速扩产，国内半导体掩膜版市场可能会有更大的增长空间。

    （2）先进制程与先进封装双轮驱动，重塑掩膜版产品价值结构

    在逻辑芯片领域，3nm及以下节点（含2nm试产）的单款产品所需掩膜版总数已超70层，其中EUV掩膜版层数达20~30层，若采用DUV+多重曝光向前推进节点，则需要更多的掩膜版。一片先进EUV掩膜版的售价可高达数十万美元，是DUV掩膜版的十倍乃至数十倍。在AI算力芯片需求持续井喷的驱动下，台积电、三星、英特尔等头部公司加速扩张先进封装产能，带动配套掩膜版需求量呈现翻倍增长，先进封装掩膜版赛道由此成为各大掩膜版厂商竞相布局的核心业务方向。

    （3）成熟制程晶圆厂持续扩产，创造长期且稳定的掩膜版消耗

    根据SEMI于2024年第四季度发布的全球晶圆厂预测报告，全球半导体产业在此期间将有多达97座新建高产能晶圆厂投产，包括2024年启用的48座和2025年启用的32座，晶圆尺寸从12英寸到2英寸不等；在中国，中芯国际、华虹集团、晶合集成等代工厂的12英寸成熟制程产能扩张计划规模宏大。一座典型月产数万片的12英寸成熟制程晶圆厂，其掩膜版需求贯穿全生命周期：投产阶段需为数十至上百种产品购置成套掩膜版；进入运营期后，随着产品组合更新与工艺迭代，每年仍有持续且规模化的新掩膜版采购需求，为掩膜版市场提供了稳定的业务基本盘。

    （4）后摩尔时代先进封装与存储堆叠技术演进，多重路径共驱掩膜版需求攀升

    AI大模型参数量迈向万亿级，算力需求持续井喷，正在从芯片制造、封装集成到存储带宽等多个维度重构半导体的技术范式。在此发展浪潮下，玻璃基板的导入、HBM的快速迭代，以及“逻辑堆叠+先进封装+多重曝光”深度融合的系统级性能提升路径，共同构成驱动掩膜版需求结构性增长的多条主线。

    玻璃基板开启封装材料革新，衍生掩膜版增量市场。为支撑更大尺寸、更高密度的Chiplet异构集成，英特尔、三星等巨头正加速推动以玻璃基板替代传统有机树脂基板的技术方案。玻璃芯基板凭借更低的介电损耗、与硅芯片高度匹配的热膨胀系数以及优异的平整度，能够在单一封装体内实现更高密度的芯片互连。玻璃通孔（TGV）的精确定位、多层重布线层（RDL）的逐层堆叠及细间距互连结构的图形化定义等核心制造工序均须经由光刻工序完成，直接催生大量专用掩膜版需求；随着线宽/线距向2μm及以下演进，相关掩膜版的精度要求已完全对齐先进封装标准。

    HBM加速向更高堆叠与更大容量演进，同步拉高掩膜版用量与精度门槛。作为AI算力芯片的核心搭档，HBM已从HBM3的8—12层堆叠向HBM3E的12层乃至HBM4的16层以上快速推进，单颗HBM的容量与带宽持续翻倍。每一代HBM的升级，都意味着中介层上需要承载更密集的硅通孔阵列、更复杂的多层互连布线，以及更大面积的芯片拼接区域。这些中介层结构的定义完全依赖光刻工艺，所需掩膜版的层数与精度要求同步攀升。尤其在中介层尺寸随HBM堆叠数量增加而持续扩大的趋势下，大尺寸、高精度掩膜版的需求正在快速放量。

    “逻辑堆叠+先进封装+多重曝光”成为后摩尔时代性能增长的核心范式。单芯片微缩的成本效益比持续衰减，业界转向三维逻辑堆叠与异构集成的路径寻求系统级性能突破。逻辑芯片通过垂直堆叠增加功能层数，先进封装（如CoWoS、EMIB等）将复杂互连从芯片内部转移至中介层与封装基板，多重曝光则在EUV光刻全面普及前继续承担拆分图形的角色。三条技术路径叠加，使单款先进逻辑芯片从设计验证到量产爬坡全周期所消耗的掩膜版总层数已达百层量级，其中高价值EUV掩膜版及先进封装用高精度掩膜版的占比持续扩大。

    综合来看，AI算力需求驱动下的HBM迭代、封装材料革新与三维集成范式跃迁，正从“用量增加”与“价值提升”两个维度同步撬动半导体掩膜版市场的长期增长空间，为本土掩膜版企业提供了明确的增量方向与产品升级路径。

    2.平板显示市场情况

    2.1平板显示技术发展趋势

    （1）高精度图形加工要求成为主流，掩膜版关键尺寸（CD）进入亚微米时代

    显示技术正从4K向8K超高清、从60Hz向120Hz乃至480Hz超高刷新率全面演进。高端智能手机、电竞显示器及车载显示对像素密度与画质一致性的要求日趋严苛，推动LTPS（低温多晶硅）与LTPO（低温多晶氧化物）背板技术成为中高端面板的主流选择。LTPO技术通过将LTPS的高迁移率与IGZO（铟镓锌氧化物）的低漏电特性整合于同一基板上，实现了动态刷新率的灵活调节，显著降低功耗，但其制造工艺融合了两种材料体系，光刻层数增多、工艺窗口极窄，对光刻精度提出近乎苛刻的要求。

    用于这类高阶背板的掩膜版，其关键尺寸需控制在1.5μm甚至更小，线宽均匀性与套刻精度须达到数十纳米级别，以确保整个面板区域内数百万晶体管的电学特性保持高度一致。为满足精密沟道和电极图形的加工需求，高精度二元掩膜版、半色调掩膜版以及相移掩膜版已成为产线标配。其中，半色调掩膜版可在单一曝光中实现不同灰度图形，减少光刻步骤；相移掩膜版则通过光学干涉效应提升成像对比度与分辨率，在极限线宽下获得更大的工艺窗口。这些高端掩膜版技术的导入，正成为面板厂商实现产品差异化竞争力的关键支撑。

    （2）高世代AMOLED产线建设浪潮进一步推动高精度掩膜版向超大尺寸演进

    国内厂商加速布局高世代AMOLED产线，高精度、大尺寸AMOLED面板成为趋势，8.6代OLED面板正成为行业竞争的新焦点。三星显示于2023年宣布启动8.6代线投资计划，使用制程为传统FMM蒸镀，并计划导入TandemOLED以延长屏幕寿命，于2026年7月开始量产基于全氧化物（Fox）技术的全新第8.6代ITOLED生产线。京东方在2023年四季度宣布在成都投建G8.6AMOLED产线，总投资630亿元，设计产能每月3.2万片玻璃基板（尺寸2290mm×2620mm），主要生产笔记本电脑、平板电脑等智能终端的高端触控OLED显示屏，产线已于2026年上半年进入量产阶段。维信诺于2024年三季度宣布在合肥建设其G8.6AMOLED产线，投资550亿元，规划月产能为32,000片基板，产线将采用其自主研发的ViP技术（维信诺智能像素化技术），2026年7月维信诺G8.6AMOLEDV5生产线全部厂房、洁净室工程完工，核心生产设备已全部进场安装，产线全面进入整机联调阶段，项目规划2027年正式大规模量产。TCL华星于2025年10月宣布t8项目OLED8.6代线正式开工，该产线总投资约295亿元，产品主要涵盖平板、笔记本电脑、显示器等应用领域；2026年5月，TCL华星全球首条规模化量产G8.6印刷OLED产线t8项目封顶，预计2027年第四季度正式投产。

    AMOLED向8.6代线升级及技术路线多元化，正推动掩膜版在尺寸、精度和工艺适配性上同步进阶。首先，8.6代线基板尺寸要求掩膜版在大幅面内保持极高的图形均匀性和位置精度，8.6代线所需的高精度掩膜版尺寸跃升至1550mm；同时，为满足IT产品对更高PPI（像素密度）的追求，掩膜版的线宽精度和缺陷控制标准变得极为严苛；采用LTPO技术，在背板中集成氧化物TFT，需要增加掩膜版层数，且对膜层质量要求更高。除此之外，石英基板的平整度、光刻胶的涂布均匀性、长距离图形曝光的拼接精度（stitchingaccuracy）以及宏观缺陷的控制难度均大幅上升。

    根据Omdia统计，中国已占据了全球76%的LCD产能和47%的OLED产能，平板显示行业掩膜版需求量占全球比重从2016年的26%上升到2025年的64%，据Omdia统计及公司经营数据计算，2024年中国大陆平板显示掩膜版厂商在全球市场占有率仅23.8%。其中，OLED用掩膜版的市场增长显著快于OLED面板市场的增长，从收入端看，目前LCD用掩膜版的市场规模仍然占主要地位。随着国内新的G8.6AMOLED工厂产能持续开出，缺口可能进一步放大，因此，国内平板显示掩膜版市场存在巨大的增长空间。

    根据Omdia报告，2026年上半年全球平板显示掩膜版市场的强劲需求主要来自韩国市场高端OLED产品，在中国高端OLED的加速追赶下，中国高端平板显示掩膜版的需求增长成为行业最核心的增长来源，尤其是G8.6AMOLED的扩产。

    （3）硅基OLED与微显示技术开辟高精度掩膜版新战场

    2025年，硅基OLED技术凭借高分辨率、高亮度、小尺寸等核心优势，成为VR/AR设备的核心显示方案，同时逐步向车载HUD、医疗内窥镜等细分场景延伸。根据视涯科技招股说明书引用的弗若斯特沙利文报告数据显示，全球硅基OLED显示屏销售额由2020年的3.9亿元人民币增长至2024年的12.7亿元人民币，出货量达到636.5万块，预计2030年将达到679.3亿元人民币，出货量将达到39,956.6万块。与传统玻璃基OLED、LCD显示技术相比，硅基OLED的核心优势在于其对近眼显示场景的适配性上。其量产产品PPI可达3000-5000，是传统手机OLED屏幕的6-10倍，彻底解决了近眼显示中的“纱窗效应”；在亮度方面，其量产峰值亮度可达10000nit以上，是传统OLED的3-5倍，能够满足AR设备在户外强光环境下的清晰显示需求。在功耗方面，其实现相同显示效果下，功耗比传统显示技术低30%-50%，契合便携穿戴设备的续航要求；同时，该技术可在0.3-1.3英寸的极小尺寸内实现2K、4K甚至8K分辨率，结合硅基背板集成的驱动电路，可大幅缩减显示模组体积，提升穿戴设备的轻量化水平。

    在竞争格局方面，根据普华有策数据，全球硅基OLED市场早期由日本索尼、美国eMagin（2023年被韩国三星显示收购）以及法国MicroOLED等境外公司主导。随着市场扩大，竞争日趋激烈，越来越多的企业加入战局。全球主要制造商包括Samsung（eMagin）、Sony、LG、KopinCorporation、TCL华星（CSOT）、京东方（BOE）、视涯科技（SeeYATechnology）、湖畔光电（LakesideOptoelectronics）、国兆光电（GuozhaoOptoelectronics）等。目前，中国企业在产能和技术上正快速追赶，多家厂商正在扩建12英寸晶圆产线。熙泰科技在四川南充的12英寸硅基OLED微显示产业园项目于2025年12月封顶，昀光科技在南京的12英寸超高清硅基OLED微显示器生产基地于2026年2月开工，均预计在2027年投产。

    硅基OLED是在硅基CMOS电路上集成OLED器件，其超高的像素密度要求掩膜版的图形尺寸精度、套刻精度及缺陷控制必须达到亚微米甚至纳米级，已接近先进半导体掩膜版的标准，远高于传统显示技术的需求。每片硅基OLED面板的生产都需要一套或多套超高精度掩膜版，需求与面板产量直接挂钩。由于技术壁垒极高，满足硅基OLED生产要求的掩膜版的附加值较高。京东方、天马微电子等国内面板厂已实现规模化量产并切入头部VR供应链，这为国产掩膜版厂商提供了绝佳的验证和导入机会，开辟了一个伴随VR/AR、车载AR-HUD等终端放量而快速成长的高价值市场。

    在AR/VR近眼显示应用中，为消除人眼可感知的“纱窗效应”，其像素尺寸通常被压缩至3微米至5微米级别，对应的掩膜版线宽随之步入0.5微米至0.8微米对应的亚微米区间，该精度已完全超出传统显示掩膜版的工艺范畴，迈入半导体前道光刻的技术疆域。此类掩膜版面临的挑战远不止于线宽的微缩。由于其制造载体为单晶硅晶圆，产线上需使用与半导体工艺完全兼容的步进式光刻机，如ASML或Nikon的i-line、KrF扫描光刻系统。这意味着掩膜版必须与光刻机的像场尺寸、焦深范围和照明模式实现完美匹配，任何在传统显示曝光中可被容忍的细微偏差，在步进式重复曝光的叠加效应下都会被急剧放大，导致芯片区域内出现周期性的成像异常。这对掩膜版厂商提出了独特而苛刻的要求：必须同时跨越平板显示与半导体两大技术体系。一方面，需沿用半导体级掩膜版对纳米级CD均匀性、极低缺陷密度的严苛品控标准；另一方面，又需兼顾显示器件对大面积图形一致性、高产出效率的成本诉求。能将两类产品的制造特点与品质管理体系深度融合的企业，才有望在这一蓝海市场构筑起真正的差异化竞争力。

    （4）创新面板结构与材料体系对掩膜版的设计与工艺提出多元化需求

    为实现更高的屏占比和更优的显示效果，COE（在薄膜封装上形成彩膜）、MLP（微透镜阵列）及屏下摄像头等新技术被导入。这些技术需增加全新的光刻层，并大量使用高精度、灰阶掩膜版来制造复杂的三维结构。这要求掩膜版的透光率设计与光刻、显影等工艺实现精密联动，从二维图形控制升级为三维形貌调控，技术复杂度显著增加。

    （5）Micro-LED等新一代显示技术催生新的掩膜版需求

    新一代显示技术研发加速并已在部分产品中崭露头角，Micro-LED、硅基OLED（OLEDoS）等新兴技术有望在未来高端应用细分领域占据市场份额。根据Omdia数据，预计2031年Micro-LED、LEDoS（Micro-LEDonSilicon）以及OLEDoS（OLEDonSilicon）将共同占据显示面板市场总量约5%。

    2025年，Micro-LED技术迎来从研发到商业的关键转折点，正式迈入产业化初期阶段，并迅速成为新型显示领域中增长最快的细分板块。集摩咨询数据显示，2025年全球Micro-LED显示面板收入同比增长150%，其中AR智能眼镜作为核心应用场景，首次贡献了超过半数的营业收入。在关键技术领域，Micro-LED技术在巨量转移、像素密度等方面持续取得新突破；在巨量转移方面，迈为股份基于紫外激光器开发的LMT设备，其转移良率已超过4N级，有望达到5N级；在像素密度方面，上海显耀（JBD）于10月份发布的微显示平台，像素密度达10160PPI，彩色光机体积缩小50%；在透明度方面，友达光电在SID2025展示的全球单片尺寸最大的42英寸透明Micro-LED拼接屏，其透明度超过86%，并支持三边无边框无缝拼接；在微纳纹理覆层方面，辰显光电发布的纹理屏可通过微纳纹理层技术支持多种可定制化颜色纹理设计，实现显示内容与背景纹理的无缝融合。

    国内企业在Micro-LED领域布局领先，产业协同效应日益凸显。京东方通过控股华灿光电，构建了从上游芯片到下游应用的完整产业链，其Micro-LED量产线已于2025年3月正式投产。TCL华星与三安光电成立合资公司专注于攻克巨量（masstransfer）转移技术。天马微电子在厦门投建了G3.5Micro-LED生产线主攻车载显示。维信诺旗下辰显光电则提出明确的降本目标，计划在未来五年内将Micro-LED成本降低10倍，以加速其在更广泛消费市场的普及。

    2.2技术演进如何推动掩膜版需求与迭代

    （1）面板技术迭代直接拉高掩膜版用量与单位价值

    每一次背板技术的升级都意味着掩膜版层数的增加，LTPO背板相较于传统LTPS，通常需要增加2至3道掩膜版，掩膜版用量增幅在15%~20%。同时，COE等新结构又会增加2至4道彩色滤光膜或黑矩阵的光刻工序。更重要的是，高精度、大尺寸掩膜版的单价是普通产品的数倍，直接驱动市场规模提升。

    （2）相移掩膜版（PSM）等新技术加速在显示领域渗透，推动产品价值跃升

    半导体领域已成熟应用的相移掩膜版技术，近年来正加速向高端显示制造领域渗透，成为推动掩膜版技术升级的重要新变量。随着AMOLED面板向更高分辨率、更高像素密度（PPI）以及更优显示均匀性方向演进，传统二元掩膜版在极限线宽下的成像对比度和分辨率已逐渐接近物理边界。PSM技术通过在掩膜版上构建特殊的相移层结构，利用透射光之间的干涉效应，可有效提升光刻图形的分辨率和工艺窗口，从而在相同的光刻设备条件下实现更精细、更均匀的图形转移。在高端AMOLED产线中，PSM掩膜版正被逐步应用于对图形精度要求较高的关键光刻层，如像高精度开孔等。相较于普通二元掩膜版，PSM的制造工艺更为复杂，需要精确控制相移层的材料厚度与刻蚀精度，对缺陷控制的要求也更为严苛，因此其产品单价和技术门槛均大幅提升。PSM在显示领域的导入，不仅直接拉高了单条产线掩膜版的价值量，更推动了掩膜版厂商向离子束修复、纳米级检测等高端制造工艺方向进行系统性的技术升级，加速行业从传统制造向精密加工的范式转变。

    （3）中国高世代线集中投产引爆本土掩膜版采购需求

    据中国光学光电子行业协会液晶分会数据，2025年全球新型显示产业规模约2,226亿美元，我国显示产业年度总产值达8,386亿元人民币，全球占比提升至53%。2026年，国内首条8.6代OLED产线顺利实现量产，多条高世代产线相继进入建设关键阶段，显示产业从“规模领先”向“技术引领”迈出了关键一步。本轮产线投资热潮，核心驱动力源自中尺寸IT产品（平板电脑、笔记本电脑、车载显示）AMOLED化的产业大趋势。相较于此前聚焦手机面板的6代线，8.6代线在切割中尺寸面板时具有显著的成本与生产效率优势，是行业公认未来五到十年显示产业最重要的产能升级方向。新产线从厂房封顶、设备搬入到产品点亮、良率爬坡、满产运行，全周期均催生大量的掩膜版采购需求。从初期新品开发所需的成套实验掩膜版，到量产阶段标准化掩膜版的批量采购，再到后续新产品导入的持续追加，形成了一个贯穿数年的需求释放周期。

    （二）主营业务情况

    1．主要业务

    掩膜版是光刻工序中实现图形转印的核心载体，路维光电是国内领先的专业第三方掩膜版厂商。作为本土掩膜版行业的先行探索者，公司坚持以“以屏带芯”为战略锚点，在显示领域为业内知名显示面板生产商批量供应高世代、高规格掩膜版；在半导体领域则全面布局先进封装及成熟制程用掩膜版市场，广泛服务于晶圆制造企业、IC设计公司及封装测试厂商，并提供全流程的专业服务保障；通过投资路芯半导体将半导体掩膜版制程拓展至14nm。深耕行业近30年，坚持自主研发创新及不断扩产，目前公司已成为国内高世代、高精度平板显示掩膜版和先进封装掩膜版龙头供应商，半导体制程布局国内领先。

    作为半导体及显示行业制造领域的关键材料，公司掩膜版产品是下游客户光刻工艺图形转移的刚需母版，掩膜版承载的电路或像素结构，经光刻系统精确复制至硅片、玻璃或有机基材表面，其自身品质优劣直接关乎终端产品的性能表现与成品率，这也正是公司在产业链中核心价值的根本所在。

    依托对显示产业技术走向的深刻理解与持续研发投入，公司构建了覆盖全世代、全技术路线的产品版图。在显示领域，公司是国内唯一一家可以全面配套不同世代面板产线（G2.5-G11）的本土掩膜版企业，实现全显示技术覆盖（LCD、AMOLED、LTPS、LTPO、Mini-LED、Micro-LED、硅基OLED、FMM用掩膜版等）。为巩固并扩大在下一代显示技术领域的领先优势，公司于2025年7月启动厦门高世代高精度掩膜版基地建设，重点锚定G8.6及以下各类掩膜版，旨在精准匹配国内高端面板产线的加速扩张所释放的配套需求，持续加高公司在技术迭代中的护城河，目前项目正按照计划开展工艺调试与产品试生产。

    在半导体领域，公司依托“以屏带芯”的战略牵引，与国内主流特色工艺晶圆制造厂商、芯片设计公司、先进封装厂商建立了良好的合作关系，是先进封装掩膜版龙头供应商。目前公司已可稳定量产130nm及以上制程节点半导体掩膜版，所掌握的制造工艺已延伸至第三代半导体相关产品，应用版图全面覆盖IC制造及先进封装等关键环节，能够适配先进芯片封装、MEMS传感器、射频芯片等多元场景，为本土半导体供应链的关键材料自主配套提供了坚实支撑。通过投资建设路芯半导体掩膜版项目，公司进一步完善在半导体领域的布局。该项目一期布局40nm半导体掩膜版，2025年已逐步实现产品量产，实现90nm及以上成套掩膜版客户端验证通过并供货，40nm和28nm单片掩膜版客户端验证通过并供货，并持续推进40nm成套掩膜版客户端送样工作；二期规划向28nm至14nm节点延伸，计划于2026年开始陆续投建。该项目投产后，产品将逐步覆盖MCU（微控制芯片）、SiPh（硅光子）、CIS（互补金属氧化物半导体图像传感器）、BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管）、DDIC（显示驱动芯片）、MS/RF（混合射频信号）、Embd.NVM（嵌入式非易失存储器）、NOR/NANDFlash（非易失闪存）、DRAM（动态随机存取存储器）等半导体制造相关领域，进一步完善产业链供给、推动国产替代进程。

    2．主要产品或服务情况

    根据基板材料的不同，公司的产品可以分为石英掩膜版、苏打掩膜版。根据下游应用行业的不同，公司的产品可分为平板显示掩膜版、半导体掩膜版和其他掩膜版等。

    平板显示掩膜版应用于薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）制造，包括TFT-Array制程和CF制程；低温多晶硅液晶显示器（LTPS-LCD）制造；有源矩阵有机发光二极管显示器（AMOLED）制造；扭曲/超扭曲向列型液晶显示器（TN/STN-LCD）制造；铟镓锌氧化物有机发光二极管显示器（IGZO-OLED）制造，低温多晶硅氧化物有机发光二极管显示器（LTPO-OLED）制造等。

    半导体掩膜版应用于集成电路（IC）制造、集成电路（IC）封装、半导体器件制造（包括分立器件、光电子器件、传感器及微机电（MEMS）等）及LED芯片外延片制造等。

    二、经营情况的讨论与分析

    路维光电作为本土掩膜版行业的先行者，坚持以“以屏带芯”为战略锚点，在显示领域已实现全世代覆盖（G2.5-G11）、全显示技术覆盖（LCD、AMOLED、LTPS、LTPO、Mini-LED、Micro-LED、硅基OLED、FMM用掩膜版等），为业内知名面板生产商批量供应高世代、高规格掩膜版；在半导体领域则全面布局先进封装及成熟制程用掩膜版市场，广泛服务于晶圆制造企业、IC设计公司及封装测试厂商，并提供全流程的专业服务保障；通过投资路芯半导体将半导体掩膜版制程拓展至14nm。深耕行业近30年，坚持自主研发创新及不断扩产，目前公司已成为国内高世代、高精度平板显示掩膜版和先进封装掩膜版龙头供应商，半导体制程布局国内领先。

    公司产品技术国内领先，多次打破海外垄断。（1）在G11高精度超大尺寸掩膜版领域，公司于2019年成功建设国内首条G11高世代掩膜版产线并投产，成为国内首家且唯一一家、世界第四家掌握G11掩膜版生产制造技术的企业；（2）在半色调掩膜版（HTM）领域，公司的技术演进路径清晰且扎实。从2018年实现G2.5等中小尺寸半色调掩膜版的量产突破起步，次年便将能力边界迅速扩展至G8.5及G11TFT-LCD产品。至2024年，公司进一步跨越技术门槛，成功量产AMOLED用HTM产品，至此形成了覆盖全世代线的半色调产品矩阵，彻底结束了该细分市场长期由海外厂商供应的局面；（3）在相移掩膜版（PSM）领域，公司沿着从基础研发到多场景量产的路径稳步推进。2021年完成衰减型相移掩膜版（ATTPSM）的核心工艺开发并通过内部验证后，公司加速推动技术成果向实际应用转化：2023年，MetalMesh用PSM产品率先导入量产；2024年，彩色滤光片用PSM产品完成客户认证并顺利投放市场。TFT-Array用PSM掩膜版已贯通关键工艺节点，已于2025年实现客户验证通过，并在2026年上半年实现多个客户、不同功能层产品的导入；与此同时，面向更高精度，如AMOLED用PSM产品的研发也在积极推进中，将依据下游客户的技术路线迭代和市场需求择机推向量产。（4）在上游核心工艺环节，2016年到2018年间，公司相继自主突破了中小尺寸及大尺寸掩膜版的光阻涂布技术，一举填补了国内在该领域的长期空白，在此基础上不断实现技术迭代，目前可实现G2.5~G11全世代掩膜版光阻涂布。公司已具备向产业链上游进行技术外延的扎实功底，为更深层次的供应链自主化奠定了工艺基础。

    经过近三十年的技术研发与产品开发，公司积累了丰富的客户资源，在平板显示掩膜版领域，公司服务的主要客户包括京东方、天马微电子、TCL华星、上海显耀（JBD）、寰采星等；在半导体领域，公司服务的主要客户包括国内某领先芯片公司及其配套供应商、某三维多芯片集成龙头（2.5D/3D）、华天科技、宁波中芯、晶方科技、通富微电、光迅科技、源杰科技、鹏鼎控股等，路维光电已经成为掩膜版行业知名供应商。

    （一）财务表现

    报告期内，公司实现营业收入66,807.20万元，较上年同期增加22.80%。主要得益于公司产能有序提升及下游行业需求旺盛。从收入结构看，OLED用掩膜版、Micro-LED掩膜版等高附加值掩膜版的增速明显，带动平板显示掩膜版的整体增长；公司的第二成长曲线半导体掩膜版发展前景广阔，尤其是晶圆制造掩膜版以及先进封装掩膜版的表现亮眼，随着新增投资项目产能的陆续释放，公司期待在未来可以实现双轮驱动发展。同时，随着规模效应释放、产品结构持续优化以及运营管理不断强化，公司盈利能力得以进一步加强。报告期内，公司实现归属于上市公司股东的净利润14,455.09万元，较上年同期增加35.82%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润13,622.41万元，较上年同期增加43.33%。

    （二）经营进展

    报告期内，公司可转换公司债券募投项目“半导体及高精度平板显示掩膜版扩产项目”产线处于产能投产爬坡阶段，该项目产品涵盖250nm-130nm半导体掩膜版和G8.6及以下各类高精度平板显示掩膜版产品。

    公司投资建设的路芯半导体掩膜版项目进展顺利，制程节点布局居于国内厂商前列。该项目一期产品覆盖至40nm制程节点半导体掩膜版，2025年已逐步实现产品量产，实现90nm及以上成套掩膜版客户端验证通过并供货，40nm和28nm单片掩膜版客户端验证通过并供货，并持续推进40nm成套掩膜版客户端送样工作；二期规划向28nm至14nm节点延伸，计划于2026年陆续投建。未来伴随项目的顺利投产，其产品将逐步覆盖MCU（微控制芯片），SiPh（硅光子）、CIS（互补金属氧化物半导体图像传感器），BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管），DDIC（显示驱动芯片），MS/RF（混合射频信号），Embd.NVM（嵌入式非易失存储器），NOR/NANDFlash（非易失闪存），DRAM（动态随机存取存储器）等半导体制造相关行业，进一步完善产业链供给、推动国产替代进程。

    为进一步扩充公司高世代高精度掩膜版的产能，公司于厦门市投资建设“厦门路维光电高世代高精度光掩膜版生产基地项目”。该项目总投资额为人民币20亿元，计划建设11条高端光掩膜版产线，重点研发生产G8.6及以下各类高精度光掩膜版。项目分阶段实施，其中一期计划总投资额13亿元，将建设5条G8.6及以下AMOLED高精度掩膜版产线，配置5台（套）核心主设备及22台（套）精密辅助设备。该项目投产后，公司产能将显著提升，能够更充分地满足下游客户需求，助力公司持续提升在客户供应链中的份额，加速推进国产化替代进程，进一步推动平板显示掩膜版国产化率提升。

    凭借优秀的产品性能与优质的服务，公司不断加强客户粘性、提升份额。2026年上半年，公司来自七十余家客户的销售收入同比增长超30%，其中五十余家合作客户收入增幅超过100%，对天马微电子、莱宝高科、宁波中芯、三安光电、晶方科技、源杰科技、蓝思科技等重点客户的供货规模实现较快增长。 

    五、报告期内主要经营情况

    报告期内，公司实现营业收入66,807.20万元，同比增长22.80%；归属于上市公司股东的净利润为14,455.09万元，同比增长35.82%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润13,622.41万元，同比增长43.33%；归属于上市公司股东的净资产为173,047.99万元，基本每股收益0.75元。

本文数据来源于路维光电2026年中报，仅供参考不构成投资建议。