证券之星消息,近期西安奕材(688783)发布2026年半年度财务报告,报告中的管理层讨论与分析如下:
发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)公司所属行业及行业发展情况
1、公司所属行业
西安奕材专注于12英寸硅片的研发、生产和销售。截止报告期末,公司产能合计达到100万片/月以上,持续位居12英寸硅片领域国内第一、全球第六。
12英寸硅片是集成电路产业核心的战略基础材料之一,系国家重点鼓励、扶持的战略性新兴行业。12英寸硅片被列入国家发改委国家鼓励发展类项目,亦属于工信部重点支持推动的关键战略材料。公司产品不仅具有战略新材料属性,所属领域亦是我国集成电路产业链的重点攻关方向。
2、行业发展情况
全球半导体产业正处于AI驱动的结构性增长周期。据WSTS预测,2026年行业规模预计达1.65万亿美元,同比增长108.1%,主要受AI算力基础设施、高带宽内存(HBM)及数据中心建设的拉动。从产品结构看,行业规模增长呈现明显分化:存储芯片同比增长302%,逻辑芯片增长42%,而模拟、分立器件、传感器等品类增速在2%-25%之间,AI相关与非AI相关品类的增速差距持续扩大。
2026年,分区域来看,美洲市场增速领先,预计增长约112%;欧洲和日本市场预计分别增长58%和28%;亚太地区增长87%。在全球市场呈现结构性复苏与区域分化的背景下,中国集成电路产业发展势头持续向好。据国家统计局数据,2026年1-5月,中国集成电路产量2,798亿块,同比增长23%。
硅片是晶圆制造中最重要的材料,约占晶圆制造材料成本的30%。据SEMI预测,2026年全球硅片出货面积将达13,696百万平方英寸,同比增长6%。其中,12英寸硅片为绝对主流,预计2026年出货面积10,882百万平方英寸,同比增长7%,占比79.5%。
3、公司的行业地位
全球12英寸硅片市场长期由日本信越化学、SUMCO及环球晶圆等国际头部厂商主导。近年来,海外前五大厂商扩产节奏放缓,将战略重心转向先进制程产品,成熟制程硅片的供给增量受限,成熟制程产品订单开始向国内硅片企业转移;叠加AI需求驱动及头部晶圆厂持续扩产,市场供需趋于紧张。受益于数据中心、AI对先进制程逻辑芯片、存储芯片相关需求的推动,2026年12英寸硅片市场进入上升周期。
公司作为12英寸硅片领域出货量国内第一、全球第六的头部企业,系国内头部存储芯片厂商全球12英寸硅片厂商中供货量第一或第二的供应商、国内头部晶圆代工厂中国大陆12英寸硅片供应商中供货量第一或第二的供应商,在国内占据领先地位。立足国内市场的同时,公司持续深化全球客户布局。报告期内,公司持续向台积电、三星电子、美光科技、铠侠、格罗方德、力积电、联华电子、华邦、南亚科、东芝等全球主流晶圆厂稳定批量供货,并持续推动新产品验证。报告期,公司首次实现格罗方德外延片产品送样、SK海力士测试片小批量供货,公司全球化客户体系与产品竞争力持续提升。
(二)公司主营业务情况
硅片是芯片制造的“地基”,其性能和供应能力直接影响半导体产业链的竞争力,据SEMI预测,2026年12英寸硅片出货面积达10,882百万平方英寸,同比增速7%,占比提升至79.5%,系最主流规格的硅片,尤其是AI时代需要更强的数据算力、更快的数据传输、更大的数据存储,而用于实现前述功能的市场最主流逻辑和存储芯片以及部分高端模拟和传感器芯片均采用12英寸晶圆制造工艺,12英寸晶圆产能是全球晶圆厂扩产的主流方向,未来12英寸硅片全球出货面积占比将持续提升。
公司专注于12英寸硅片的研发、生产和销售,产品广泛应用于消费电子、汽车制造、AI等领域所需要的存储芯片、逻辑芯片、图像传感器、显示驱动芯片、电源管理芯片及IGBT、PowerMOSFET等功率器件领域。从下游用途来看,公司产品分为用于芯片制造的正片、用于芯片制造设备调试和检测的测试片。其中,正片分为抛光片、外延片。公司产品当前主要布局用于存储芯片和逻辑芯片制造的抛光片和外延片,该等产品系市场主流应用领域,约占12英寸硅片市场87%份额。同时,公司正在开拓布局更多细分领域,满足市场多样化的需求。
1、抛光片
抛光片主要用于存储芯片、模拟芯片、功率器件及传感器等领域,约占12英寸硅片正片总体需求的70%。抛光片根据掺杂元素不同,可进一步分为P型轻掺抛光片、N型轻掺抛光片,其中:
(1)P型轻掺抛光片采用硼元素轻掺工艺,具有苛刻的晶体缺陷和纳米形貌等参数要求,主要应用于DRAM、NANDFlash等存储芯片的制造,是12英寸硅片市场需求量最大的主流产品。随着AI带动先进存储器件需求不断增加,多层堆叠技术的持续推动,以及先进封装领域产能的持续增长,P型轻掺抛光片的需求将持续增长。目前,P型轻掺抛光片是公司出货量最多的正片产品。公司系国内头部存储芯片厂商全球12英寸硅片厂商中供货量第一或第二的供应商,同时持续向海外头部存储芯片厂商量产供应及导入新产品,在美光、铠侠等海外客户部分产品平台实现国内供货量第一。报告期内,公司新增11款产品送样,10款产品量产,可满足在更先进际代DRAM、NAND等产品的应用。
(2)N型轻掺抛光片采用磷元素轻掺工艺,具备高电阻率、低氧含量、低缺陷密度的核心特性。作为功率IGBT器件的核心衬底材料,该产品可助力芯片实现高效能的电能转换与控制,广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、工业变频器等对功率密度和可靠性要求严苛的领域。N型轻掺抛光片市场规模较小,为公司新拓展业务方向之一。报告期内,公司新增3款产品送样,1款产品量产,目前已实现小批量供货。
2、外延片
外延片是在抛光片基础上采用化学气相沉积技术生长一层外延层。主要应用于逻辑芯片、图像传感器芯片、电源管理芯片、功率芯片等领域,约占12英寸硅片正片总体需求的30%。外延片根据掺杂元素不同,可进一步分为P型轻掺外延片、P型重掺外延片、N型重掺外延片。其中:
(1)P型轻掺外延片主要应用于CPU、GPU、手机SOC、嵌入式MCU为代表的逻辑芯片制造,以及部分存储芯片、显示驱动芯片等领域。逻辑芯片对P型轻掺外延片的外延层形貌、平坦度以及外延层厚度和电阻率均匀性有着较高要求。P型轻掺外延片市场需求量仅次于P型轻掺抛光片。随着AI对算力需求的持续增长,先进逻辑以及电源管理等芯片用P型轻掺外延片需求将持续增长。目前,P型轻掺外延片是公司出货量第二大的正片产品。公司系国内头部晶圆代工厂中国大陆12英寸硅片厂商中供货量第一或第二的供应商,同时持续向海外头部晶圆代工厂量产供应及导入新产品。报告期内,公司新增10款产品送样,10款产品量产。
(2)P型重掺外延片低电阻率等特性能够提升图像传感器芯片的光电转换效率与信号灵敏度,是图像传感器芯片的核心衬底材料。公司针对体微缺陷(BMD)精准管控,开发重掺硼晶体生长工艺,实现BMD密度在一定区间范围可调,以满足图像传感器芯片对于BMD吸杂的高要求。P型重掺外延片市场规模较小。公司是P型重掺外延片国内重要供应商之一。报告期内,公司新增7款产品送样,并向国内主流晶圆代工厂持续稳定供货。
(3)N型重掺外延片具有低导通电阻和高外延晶体质量的双重优势,主要应用于制造PowerMOSFET功率芯片。PowerMOSFET功率器件对电阻率和电阻率均匀性要求极高,公司开发了重掺红磷晶体生长控制系统,成功拉制出重掺红磷的N++晶体,实现产品超低电阻率可控。N型重掺外延片市场规模较小,为公司新拓展业务方向之一,目前正在推进客户送样工作。
3、测试片
测试片用于晶圆厂对产线设备、工艺环境的调试、检测和验证,不直接用于晶圆制造。
二、经营情况的讨论与分析
公司专注于12英寸硅片的研发、生产和销售。秉持“成为半导体硅材料领域受人尊敬的伟大企业”的长期愿景,制定了长期战略规划,通过挑战者、赶超者等5个阶段的努力,2035年前打造若干核心制造基地,投资若干座现代化智能制造工厂,聚焦技术力、品质力、管理力,最终成为半导体硅材料领域全球头部企业,服务全球客户。
报告期内,受AI算力、高带宽内存(HBM)、全球数据中心建设需求拉动,AI芯片、先进逻辑芯片、存储芯片订单持续放量,带动12英寸硅片需求高速增长,全球12英寸硅片供给呈现供不应求的态势。
报告期,公司产线持续处于满稼动状态,在手订单充足。公司上半年累计实现销量约500万片,同比增长约29.75%。上半年实现营业收入15.89亿元,同比增长22.00%。其中,抛光片实现销售5.21亿元,同比增长16.27%;外延片实现销售4.88亿元,同比增长53.05%;测试片实现销售5.77亿元,同比增长8.61%。受益于公司产品结构持续改善、正片收入占比持续提升及规模效应的逐步显现,归属于上市公司股东的净利润为-2.89亿元,较上年同期减亏14.98%。
由于AI需求推动,12英寸硅片需求量上涨,2026年二季度市场需求增长态势开始逐渐明朗,带动2026年下半年12英寸硅片现货价格开始上涨。根据半导体硅片行业长单锁量、锁价的特点,公司2026年上半年交付的订单基本在2025年末已确定,锁定了产能及出货价格,所以报告期内公司业绩受前述需求及价格上涨因素影响有限。此外,由于第二工厂持续扩产,折旧摊销等制造成本尚未被充分摊薄,致使涨价红利暂未在报告期内充分体现。
随着国内外晶圆厂扩产加速、海外晶圆厂在国内硅片采购量持续增加,以及国内晶圆厂本土化采购意愿增强,12英寸硅片需求增长动能有望进一步增强,预计涨价趋势将延续。
产能建设方面,公司按照战略规划有序进行产能提升。截至报告期末,公司已布局西安和武汉两个基地。其中,西安基地已建成两座工厂,第一工厂不断提升效能,第二工厂正在产能爬坡,位于武汉基地的第三工厂正处于厂房建设阶段,5月完成主厂房结构封顶。截止报告期末,公司产能合计达到100万片/月以上。报告期,公司出货量全球市占率约7.7%,位居12英寸硅片领域国内第一、全球第六。下半年,公司将持续推进第一工厂效能提升、第二工厂扩产及达产、第三工厂全面建设工作,全力实现2026年12月第二工厂50万片/月产能达产,届时公司将具备约120万片/月产能,有望位居国内第一、全球前五。第三工厂预计2026年10月可提前实现首批设备搬入,2027年上半年实现首批产能投产,2030年前实现达产,达产后公司总产能将提升至约180万片/月以上。
市场及产品方面,公司立足国内,服务全球客户,系国内头部存储芯片厂商全球12英寸硅片厂商中供货量第一或第二的供应商、国内头部晶圆代工厂中国大陆12英寸硅片厂商中供货量第一或第二的供应商。随着产能提升,国内外市场不断开拓,产品类型进一步丰富,报告期公司产品销量及营业收入持续保持增长。截止报告期末,公司月销量突破100万片,持续夯实12英寸硅片领域国内第一、全球第六的行业地位。截至报告期末,公司已通过验证的客户累计189家,其中报告期内新增21家;已通过验证的正片142款,其中报告期内新增21款;在先进制程领域,公司产品已获国内头部客户认证通过,为增强公司核心竞争力与可持续发展提供了有力支撑。立足国内市场的同时,持续服务全球客户。报告期内,公司持续向台积电、三星电子、美光科技、铠侠、格罗方德、力积电、联华电子、华邦、南亚科、东芝等客户稳定批量供货并不断进行新产品验证,首次实现格罗方德外延片产品送样、SK海力士测试片小批量供货,正在推进三星电子、SK海力士等海外重点客户正片认证工作。整体上,全球前五大厂商仍是海外主流客户的主要供应商,国内供应商在海外市场占比仍有较大提升空间,持续提升在海外客户供应份额将作为公司后续市场开拓的重点工作之一。
技术研发方面,报告期内,公司研发投入12,205.04万元,持续保持高强度研发投入,进一步夯实技术根基。截至报告期末,公司累计申请专利2,138件,其中新增201件;获得授权978件,其中新增66件。申请及授权专利数量持续位居国内12英寸硅片行业第一。公司在前期晶体生长控制系统优化和硅片加工纳米形貌控制的基础上,持续推进新型热场设计开发及表面光散射颗粒优化,有效改善P型轻掺抛光片的晶体品质与表面质量,同时,针对海外客户对抛光片边缘圆度的较高要求,自主开发检测算法和成体系的加工工艺,强化边缘形貌管控,满足不同产品的差异化需求。其中,抛光片纳米形貌及平坦度的整体提升,成功推动包含海外客户在内的13款新产品的送样认证;外延片通过自主设计核心部件的持续迭代和清洗技术的改良,使平坦度和表面颗粒水平得到大幅提升,促进6款新产品送样。此外,公司结合硅片加工及关键零部件系统升级,显著降低P型重掺外延片金属污染水平,满足高端CIS产品对洁净度的严格要求,目前公司金属控制已达到与全球前五大厂商相同的水平,报告期有力支持了3款新产品在国内头部客户量产、1款新产品送样。在N型产品方面,公司改善拉晶生长工艺,优化N型轻掺抛光片电阻率分布与缺陷水平,满足高端IGBT产品对电阻率控制及良率提升要求,目前已有1款产品在客户端量产,报告期新增3款产品实现客户送样。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、清晰的战略目标及高效的战略执行力,保障公司战略目标稳步实现
公司进入12英寸硅片领域之初就制定了2020至2035年的15年长期战略规划,通过建设多个核心制造基地、数个智能化工厂,致力于成为半导体硅材料领域全球头部企业。公司坚持“以终为始”的战略思维,就行业规划、技术研发、市场开拓、产能建设等多个方面全面提前布局。
截至报告期末,公司已实现第一阶段战略目标,正在推进第二及第三阶段战略目标实现,已布局西安和武汉两个核心制造基地,投建三座智能化工厂,其中第一工厂已经达产,第二工厂处于产能爬坡阶段,第三工厂正处于厂房建设阶段,第三工厂5月已完成主厂房结构封顶。报告期公司产能与出货量持续位居国内第一,全球第六,2026年底随着第二工厂达产,将完成第二阶段“赶超者”目标。同时,公司聚焦产品力、技术力和品质力提升,不断强化精益化管理能力,着力于将领先优势转化为高质量的可持续商业回报。
2、坚持自主研发与协同创新,构建技术护城河
公司设有技术研发中心,围绕新技术、新产品及新工艺三个方面协同各工厂人员进行系统性、创新性研发活动。报告期内,公司从事研发活动相关的人员287人,占员工总数比例13.57%。各研发项目带头人均由海内外资深专家担任,具有深厚的技术背景和研发经验。
公司始终坚持自主技术研发,高度重视知识产权布局与保护。在进入该领域之初即对全球前五大厂商近20年的半导体硅片专利全面检讨,制定并实施差异化技术路线。目前,公司已形成拉晶、成型、抛光、清洗和外延五大工艺环节的核心技术体系,产品的晶体缺陷控制水平、低翘曲度、超平坦度、超清洁度和外延膜层形貌与电学性能等核心指标已达到国内头部、全球一流水平,并取得了客户的高度认可。报告期末,公司已申请境内外专利合计2138项,89%以上为发明专利;已获得授权有效专利978项,77%以上为发明专利,为中国大陆12英寸硅片领域发明专利授权数量最多的公司,其中报告期内新增申请专利201项,获得授权有效专利66项。
3、以客户为中心的全链路品质管控体系,保障稳定量产与高效交付
公司始终秉持“以客户为中心,以品质为生命”的核心价值观,将质量管理贯穿于企业治理与可持续发展的全过程,构建了涵盖全生命周期管控与智能化运营于一体的系统化品质保障系统。
团队建设方面,公司有多名拥有世界前五大厂商20年以上品质管理经验的外籍技术专家,为品质管理提供国际视野与顶尖技术支撑。体系架构层面,公司及子公司全面通过ISO9001及IATF16949认证,建立起覆盖市场需求识别、新品开发、生产制造、产品交付及客户服务等全流程的质量管理体系,确保各项业务高度标准化与可追溯化,切实提升客户满意度。
公司围绕全链条品质管理,持续深化从原材料到客户的价值流协同,系统推进品质管控能力的体系化升级。供应链端强化与上游供应商的协同联动,提升来料品质的稳定性;制程端优化统计过程控制的管理准则及系统功能,有效保障过程与产品的稳定性,驱动质量指标持续向好;客户端提高响应效率与服务深度,推动客户满意度持续提升。同时,前瞻布局AI应用,围绕体系、制程管理等关键场景,搭建并迭代智能化平台,深度嵌入质量治理,全面夯实品质根基。
报告期内,公司成功通过SK海力士的品质体系审核,国内重点客户满意度评分持续提升;上述成果充分彰显了公司在品质管理领域的深厚专业实力,也体现了客户对公司综合实力的高度认可。
4、国内最大的产能规模,广泛的海内外客户布局
截至报告期末,公司合计产能已达到100万片/月以上,持续位居国内第一,预计2026年底产能将达到约120万片/月。12英寸硅片行业技术门槛高,客户黏性强,导入难度大,具备一定体量的产能规模,既是导入战略级头部客户、深化战略合作的先决条件,也是保障上游电子级多晶硅等关键原材料稳定供应的基础,更是公司形成规模效应、推动技术及品质迭代、支撑长远战略发展的核心保障。公司将保持战略定力和执行力,专注于12英寸硅片产业,持续巩固并扩大产能优势。
凭借优异的产品品质与稳定的供应能力,公司立足国内,更放眼全球,已构建起覆盖海内外主流晶圆厂商的客户体系。目前,公司系国内头部存储芯片厂商全球12英寸硅片厂商中供货量第一或第二的供应商、国内头部晶圆代工厂中国大陆12英寸硅片供应商中供货量第一或第二的供应商。公司在立足国内市场的同时,持续服务全球客户,包括向台积电、三星电子、美光科技、铠侠、格罗方德、力积电、联华电子、华邦、南亚科、东芝等稳定批量供货并不断进行新产品验证。
为高效响应市场需求,公司设立销售子公司,专门负责公司销售业务,并就近在海内外客户所在地建立了客户服务平台,通过与全球领先晶圆制造企业的长期合作,精准把握前沿技术趋势与客户需求变化,反向驱动技术迭代和产能扩张。
5、集中优势资源深耕12英寸硅片领域,聚焦行业主流方向
公司专注于12英寸硅片领域,这种垂直领域深耕的战略选择,在当前半导体材料产业竞争格局下具有资源集中的优势:
(1)市场竞争优势
12英寸硅片属于资本密集型行业,当前下游晶圆厂扩产需求以12英寸为主,作为晶圆制造的核心材料,聚焦发展策略可将资源集中投入核心产线建设,并直接对接主流需求,精准匹配下游主流市场需求,快速形成规模化产销能力,有效提升运营效率与整体效益。
(2)技术深度优势
12英寸硅片技术壁垒高,对晶体缺陷控制、表面平整度、洁净度等指标要求非常苛刻,“聚焦式研发”有助于公司形成扎实的技术积累,同时能够快速响应客户需求,保持技术与产品的领先性。
(3)规模及成本领先优势
截至报告期末,公司合计产能达到100万片/月以上,持续位居12英寸硅片领域国内第一,大规模生产有助于产品单片固定成本持续降低、原材料采购议价能力提升、产品良率提升及品质持续迭代,同时单一尺寸为公司在“设备-材料-工艺”的供应链垂直协同创造了有利条件。
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
目前,公司已搭建了涵盖理论模拟、热场设计、纳米级硅片加工、外延核心部件设计及工艺开发等方面的研发团队,突破了存储芯片用抛光片无缺陷晶体生长技术、逻辑芯片用外延片平坦度控制技术等核心技术,形成了涵盖拉晶、成型、抛光、清洗和外延五大工艺环节的核心技术体系,产品的晶体缺陷密度、翘曲度、平坦度、清洁度和外延膜层形貌与电学性能等核心指标已与全球前五大厂商处于同一水平。公司产品已成功应用在先进际代DRAM、NAND和先进制程逻辑芯片上,品质达到国内领先,国际先进水平。
报告期内,公司持续推进研发工作,不断提升技术水平、丰富产品应用领域。其中,主要进展如下:
晶体生长方面,公司通过优化热场设计及动态温度调控,优化了杂质分布,使硅片氧含量片间均一性得到进一步提升,确保了先进制程存储芯片对氧含量一致性的较高要求,进一步改善了无缺陷晶体生长的良率。
外延工艺方面,公司设计新型外延基座并结合气流场优化,使外延片平坦度得到进一步提升,保障了先进逻辑芯片对平坦度的超高要求,推进了更先进制程的产品认证。
在硅片加工环节,公司在原有平坦度和纳米形貌控制的基础上,不断优化抛光工艺和原物料的搭配,并结合恶化测试的评价结果,改善抛光片表面颗粒,确保高端测试片对硅片的重复使用次数。针对海外客户对边缘圆度的较高要求,自主开发量测算法和相匹配的硅片倒角-双面抛光-边缘抛光系统工艺,强化对边缘形貌的管控,推动了海外客户的认证和开拓。
金属污染控制方面,公司对加工环节及关键零部件进行系统性升级,进一步强化制程的金属管控,使P型重掺片表面金属杂质浓度稳定控制在国际先进水平,有力支撑了产品的稳定批量供货,同时为更高端CIS产品所需重掺片的认证提供技术支撑。
公司技术基础进一步得到夯实,搭建了和海外客户的新技术联合开发体系,进一步强化了公司技术壁垒的建设。在稳定量产的同时,推动了更先进际代、更先进制程和海外客户产品的认证。
截止报告期末,公司用于更先进际代存储芯片的抛光片、用于更先进制程逻辑芯片的外延片已获得客户认证。
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