天岳先进（688234）2026年半年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期天岳先进（688234）发布2026年半年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

    （一）所属行业情况

    根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。

    当前，碳化硅作为第三代宽禁带半导体核心材料，凭借高禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高温稳定性等综合性能优势，正成为高压、高频、高效率、高功率密度电力电子系统的重要基础材料，行业整体处于成长期中前期。报告期内，碳化硅行业在经历前期阶段性价格调整、库存消化及部分低效产能出清后，供需关系逐步改善，行业发展重心进一步由单纯规模扩张转向以技术进步、产品质量、稳定交付和客户协同为核心的高质量发展阶段。根据YoleGroup数据，2025年全球碳化硅功率器件市场规模约为37.07亿美元，预计2025年至2031年全球功率SiC器件市场将以约20%的CAGR增长。下游器件市场规模持续扩大，带动上游碳化硅衬底需求不断增长，碳化硅材料行业总体保持较好的发展态势。

    从下游应用结构看，碳化硅的应用场景已由早期主要集中于新能源汽车等领域，逐步向更多高成长和高附加值场景延伸，行业需求结构呈现多元化发展趋势。新能源领域仍然是当前碳化硅最主要的应用市场，其中新能源汽车是碳化硅功率器件最重要的应用方向之一。随着新能源车高压平台车型持续推广，碳化硅在主驱逆变器、车载充电机、DC-DC变换器及高压辅助系统中的应用不断深化，市场渗透率持续提升。同时，随着产品性能持续优化、产业链配套逐渐成熟、成本逐步改善，碳化硅在新能源汽车领域的应用范围和单车价值量正进一步提升，行业中长期发展空间广阔。根据YoleGroup数据，xEV（电动汽车）是碳化硅最大且增长最快的终端市场，预计市场规模将由2025年的21.04亿美元提升至2031年的67.67亿美元，CAGR为21.49%，是碳化硅衬底需求的核心引擎，与公司车规级衬底主业高度契合。

    与此同时，AI数据中心正成为驱动SiC市场增长的第二引擎。伴随AI算力需求快速增长，数据中心在电源转换效率、功率密度和散热管理等方面的要求持续提升，碳化硅在PSU、UPS、HVDC、SST等环节的应用价值日益凸显。AI对全球数据中心电力需求的拉动具有明显的中长期放大效应，AI场景下全球数据中心电力需求呈现加速上行趋势，这意味着高效率电源架构与高性能半导体材料的重要性将持续提升，碳化硅材料在绿色低碳和高效算力基础设施中的支撑作用进一步增强。此外，碳化硅在先进封装、微纳光学等新兴领域的应用也在持续推进，为行业发展打开了新的市场空间。

    在AI领域，根据弗若斯特沙利文的资料，至2030年全球AI数据中心容量将增长至299GW，较2023年净增加244GW，对应2023年至2030年复合年增长率27.4%；数据中心耗电占全球电力消费比例将由1.4%提升至10.0%。公司碳化硅衬底可应用于AI数据中心所需的高效率电源、PSU、HVDC、SST等场景，将为公司打开新的成长空间。

    在微纳光学与AI眼镜领域，碳化硅材料可应用于光波导镜片中，凭借高折射率等特性，可实现更大的视场角和更简单的全彩显示结构，减少重量、体积和制造复杂度。根据弗若斯特沙利文的资料，预计至2030年全球AI眼镜出货量将超过6000万副。

    除新能源汽车和AI数据中心外，碳化硅在电网、新能源光伏储能充电桩、轨道交通、工业控制、充电设施、消费等传统功率电子领域对硅基器件的替代也在持续加速，应用边界不断拓展。随着技术进步推动成本中枢逐步下移，碳化硅的经济性优势已不再局限于高压、大功率场景，而是开始向家电、适配器、PD快充、LED驱动及其他消费电子等中低压、小电流场景延伸。行业资料显示，部分企业消费类SiC产品出货量已达千万颗级别，表明碳化硅在消费级场景的商业化进程正在加快。这一趋势表明，碳化硅材料正由“点状应用”逐步向“面状渗透”演进，行业的抗周期能力和中长期成长确定性进一步增强。

    从产业发展趋势看，碳化硅衬底的大尺寸化、低缺陷化、低成本化及多类型产品拓展，已成为行业技术演进的重要方向。当前，6英寸导电型衬底仍为行业主流，8英寸导电型衬底正快速起量，12英寸产品布局稳步推进，行业正处于由6英寸向8英寸升级、并向更大尺寸前瞻布局的关键阶段。其中，8英寸衬底在提升单片晶圆产出、改善器件制造经济性和推动下游产线设备兼容优化等方面具有显著优势，已成为行业降本增效的重要方向。报告期内，公司8英寸产品主营业务收入占比已超50%；12英寸产品则有望进一步支撑新兴场景的规模化发展。

    （二）主营业务情况

    1、主要业务

    公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。

    公司专注于碳化硅行业已超15年，是较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导电型碳化硅衬底产业化的企业。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，于2025年完成了12英寸导电N型和导电P型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入12英寸新时代。在实现从2英寸到12英寸全尺寸产业化的同时，公司也在半绝缘衬底、导电型衬底、P型衬底、光学衬底、先进封装散热中介层等多元化产品上取得关键技术突破，持续推进关键设备国产化替代，实现了从原料到成品的全过程自主可控。

    2、主要产品及服务情况

    碳化硅材料是一种化合物宽禁带半导体材料，与传统硅相比具有以下优势：2.1禁带宽度更大，可适应更高的电压、频率及温度；

    2.2热导率更高，非常适合热负荷较大的器件；

    2.3击穿电场强度更高，可使器件更薄，导通电阻更低；

    2.4饱和电子漂移速率更高，开关速度更快。

    上述特性提高了使用碳化硅衬底的终端产品的性能，使产品能够在更高的温度、电压及频率下运作，同时保持出色的效率。这使得功率密度提高，能量损耗减少，电子元件及系统的可靠性增强。因此，乘着可再生能源及AI领域需求激增的浪潮，以碳化硅为代表的创新宽禁带半导体材料对半导体行业产生重大影响，碳化硅材料已经成为赋能能源变革及AI实现核心发展目标的基石之一。

    公司是全球领先的宽禁带半导体材料生产商，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司专注于碳化硅衬底领域已超过15年，已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，致力于为客户提供优质碳化硅衬底。通过科技创新，公司持续提升客户产品在各行业中的性能。公司主要提供4英寸、6英寸、8英寸及12英寸碳化硅衬底，是全球少数能同时提供各种尺寸的导电型及半绝缘型碳化硅衬底的公司之一。

    公司是研发及生产碳化硅衬底的先驱及创新者。我们是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一。凭借公司的内部研发能力，公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及质量检验，这使得公司能够于2023年量产8英寸碳化硅衬底，于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，成功克服了生产碳化硅衬底高质量生长界面控制及缺陷控制的难题。2025年，公司完成了12英寸导电N型和导电P型、12英寸半绝缘型碳化硅衬底全系列大尺寸产品的布局。截至目前，12英寸碳化硅衬底产品已获得头部客户订单并实现交付，这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

    公司在材料科学领域的持续深耕，正在以碳化硅材料创新为新能源与AI两大产业提供核心支撑，赋能未来科技变革。目前公司已跻身为国际知名半导体公司的重要供应商，公司的产品亦在国际上获得广泛认可。我们已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系。公司碳化硅衬底产品可广泛应用于新能源汽车、AI数据中心、光伏系统、AI眼镜、轨道交通、电网、家电及先进通信基站等领域。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产并率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底商业化的公司，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司，并且是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司。截至目前，公司已完成12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型全系列产品技术攻关，部分产品已获得头部客户订单及实现交付，进一步巩固了公司在全球碳化硅衬底行业中的领先地位。

    公司已经形成了全面的技术体系，覆盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工、质量检测等各个生产碳化硅衬底关键环节，公司的自主技术工具包支撑公司在产品缺陷控制和成本优化方面达到国际一流的水准。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利位列全球前五。

    全球碳化硅衬底市场由少数头部企业主导，头部企业在技术实力、生产规模、品牌知名度和认可度方面具有显著优势。根据富士经济于2026年3月发布的报告，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场份额为27.6%，位居全球第一；其中6英寸市场份额为27.5%，8英寸市场份额为51.3%，充分体现了公司的全球市场地位。

    （三）主要经营模式

    1、研发模式

    我们的研发工作由研发团队主导，实行层级管理的项目制运作，流程如下：1.1我们的雇员结合日常营运中收集到的信息、与行业参与者的合作、市场调研及对客户反馈的分析，向研发团队提交需求申请；

    1.2需求申请获批准后，研发团队选定项目负责人及项目组成员，组建指定项目组，并由项目负责人编写《项目立项报告》，内容包括项目名称、背景、可行性分析、项目目标及财务预算；

    1.3项目组根据项目需求编写研发设计方案，细化实验方案及计划，并根据设计方案完成实验验证；

    1.4项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发起项目验收申请，编写《项目验收报告》并交至研发团队审核；

    1.5项目验收后，研发团队评估研发成果，并采取多种手段保护知识产权。

    2、采购模式

    碳化硅衬底生产依赖优质原材料，其内在质量直接影响碳化硅衬底的效率、可靠性及有效性，使其就生产先进半导体器件而言不可或缺。因此，优质原材料的最大供应商通常选择与公司这样表现出对卓越及创新承诺的领先市场参与者合作。通过与上述最大供应商建立长期合作关系，公司确保能够稳定获得必要的资源，使公司能够在碳化硅衬底方面保持一致的质量及绩效标准，从而巩固公司在市场上的竞争地位。

    公司采购制造碳化硅衬底所需的各种材料及设备，包括碳粉、硅粉、石墨保温材料以及晶体生长、切片、研磨及抛光设备。为减轻原材料成本上升的潜在影响，公司主要与石墨保温材料等关键生产材料的供应商订立长期合作协议、保持密切沟通并实施战略性采购。公司实施定期审阅机制，考虑公司的存货水平、销售前景及市场趋势，监控公司的原材料成本。

    公司已确定一份合格供应商名单，以便公司根据采购计划选择最合适的原材料供应商。公司的采购计划根据生产进度、存货水平、供应商交货时间及产品寿命制定。

    在采购计划批准后，公司的采购部门将进行询价，根据供应商的基本信息及价格、质量、资质文件及交付时间等标准对潜在供应商进行评估。为应对供应商的潜在价格上涨，我们对其他同类供应商同步进行评估，以减轻对我们原材料成本的影响。

    3、生产模式

    公司的生产模式有利于满足客户的不同需求，有利于提高订单按时交付率、产品品质一致性和客户满意度，有助于控制库存水平及提高资金利用效率。

    公司已开发并实施一套信息系统，以便处理客户订单及生产流程控制。公司结合人工智能数字化仿真及大数据技术，使公司的碳化硅衬底生产流程自动化。一方面，智能化生产能够降低人为干预带来的风险，对于制备高质量碳化硅衬底至关重要。另一方面，高度自动化能够切实优化生产中的人工成本，为公司的技术升级及产品迭代奠定坚实的基础。

    公司已建立全面的生产阶段控制计划，以确保全面的生产及产品质量控制。当产品出现质量不合格问题时，公司将启动不合格产品控制程序，启动不合格评审、进行根本原因分析以及制定纠正及预防措施。公司的生产流程管理措施有助于防止不合格产品流出，并减少质量问题的再次发生。

    4、营销模式

    公司采用直销模式，并拥有一支经验丰富且训练有素的销售及营销团队，积极发现市场机会并设计销售策略。

    公司的销售及营销团队主要负责与客户联系，并为其提供售后服务。采用直销模式使我们能够取得以下优势：

    4.1自客户获得有关我们产品的即时且未经过滤的反馈；

    4.2精确了解客户偏好并确定需要改进的领域；

    4.3响应客户要求，使我们能够提供满足客户需求的高品质产品；

    4.4凭借第一手的客户洞察力，快速适应不断变化的市场需求或客户偏好，从而制定灵活的营销战略；

    4.5通过直接解决客户关切的问题，改善客户体验，从而提高满意度和忠诚度。

    公司主要通过与不同应用领域的顶级公司开展持续、全面和深入的合作，以及其他定向营销及推广活动，利用良好的品牌声誉和巨大的行业影响力赢得客户。

    二、经营情况的讨论与分析

    （一）公司经营情况

    1、把握行业供需格局改善机遇，推动经营质量逐步修复

    报告期内，碳化硅行业在经历前期价格竞争、库存消化及低效产能出清后，竞争格局进一步趋于稳定，行业运行逻辑由早期无序扩张和价格博弈，逐步转向以技术能力、产品质量、稳定交付、客户认证和规模化制造为核心的高质量竞争阶段，有效供给进一步向头部企业集中。公司作为全球碳化硅衬底龙头企业，全球市场占有率逐步提升。

    报告期内，公司实现营业收入9.14亿元，同比增长15.10%，综合毛利率22.86%；实现归属于上市公司股东的净利润-5861.66万元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-8733.84万元，基本每股收益、稀释每股收益及扣除非经常性损益后的基本每股收益同比均有所下降。分季度来看，2026年第二季度实现营业收入5.48亿元，创下单季度历史新高，同比增长42.06%、环比增长49.97%，季度毛利率25.36%，单季度实现归属于上市公司股东净利润189.30万元。

    从经营状态看，公司上半年处于满产运行状态，下游订单需求明显增强，客户需求较前期明显提升。行业需求扩容与供给出清形成共振，带动产业链供需关系收紧。

    在此背景下，公司依托大尺寸产品的质量优势、规模化量产能力和稳定交付能力，较好承接了行业景气度修复所带来的订单释放，有助于推动收入质量、毛利率和产能利用率继续提升，为后续业绩进一步改善奠定基础。

    2、聚焦大尺寸产品放量，推动产品结构持续优化升级

    大尺寸化是碳化硅衬底行业降本增效和扩大应用的核心方向之一，也是公司2026年上半年经营改善的关键内生变量。报告期内，公司顺应行业由6英寸向8英寸升级趋势，并前瞻性地布局12英寸产品，形成了较为清晰的“6英寸稳定供货、8英寸加快放量、12英寸持续突破”的产品梯队。其中，8英寸产品已由技术领先阶段逐步走向主流化应用，公司8英寸产品主营业务收入占比已超过50%。根据富士经济数据，公司2025年全球8英寸导电型碳化硅衬底市场份额达到51.3%，位居全球第一。

    8英寸衬底的重要性在于，其更大的可用面积有助于提升单片晶圆产出、改善器件制造经济性并推动下游产线与设备兼容优化。同时，全球碳化硅功率器件制造商在8英寸项目上的总投资额持续提升，行业向8英寸切换已成为一个清晰的趋势。

    在更大尺寸布局方面，公司于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，并于2025年一季度完成12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型全系列产品技术攻关。

    目前12英寸产品已获得头部客户订单，这意味着公司在下一代大尺寸衬底方向上已经走在行业前列。12英寸的意义不只是技术展示，更在于12英寸的批量产出将使得诸多新兴领域成功落地，SiC作为先进平台型材料进一步降低诸多领域的单位成本，并打开更大规模商业化空间。

    从产业竞争角度看，谁能够率先完成从6英寸到8英寸，再向12英寸延伸的量产与客户导入，谁就更有机会在下一轮行业竞争中掌握主动权。报告期内公司在8英寸占比提升、12英寸持续推进上的表现，体现了公司在技术路线选择—产能能力建设—客户验证推进等三方面的协调能力，也增强了未来盈利能力与市场份额继续提升的基础。

    3、深化头部客户合作，持续拓展新能源与AI等多元应用场景

    报告期内，公司与各行业头部客户的合作进一步深化，新能源汽车、数据中心、先进封装、微纳光学等领域的重点客户合作关系进一步加强，体现出公司在产业链关键材料环节的综合竞争力。公司长期采取直销模式，依托销售、研发、生产联动机制，能够快速响应客户需求并参与客户前期验证、产品定义与工艺优化，从而增强合作深度和客户黏性。

    在新能源汽车及功率器件领域，公司持续服务全球领先客户。公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立合作关系，并与国际客户形成长期稳定合作生态。报告期内，行业大尺寸化的趋势进一步确定，随着公司大尺寸产品经济性持续加强，行业从6英寸向8英寸切换，公司通过大尺寸产品进一步加深与客户的合作关系；同时，由于碳化硅衬底作为器件制造关键材料，需要经过外延、芯片制造、封装测试等复杂验证程序，下游客户一旦完成验证通常不会轻易更换供应商，头部客户黏性较强。

    报告期内，公司与下游客户持续推进各项技术合作。如在微纳光学领域，公司持续为全球头部客户提供光学级碳化硅产品。在AI数据中心供电方案中，公司配合全球头部功率器件厂商，就下一代电源管理芯片的研发展开密切合作。在先进封装领域，公司配合全球头部客户推进SiC的应用突破；同时，在芯片散热方向，公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于下游高功率激光器芯片的散热层，验证了碳化硅散热在产业端规模化应用的可行性。这些合作不仅体现公司在新兴应用方向的前瞻布局，也标志着公司正从单一材料半导体器件材料供应商向更广泛的先进材料平台型企业延伸。

    此外，公司在与重要合作伙伴关系上持续深化。如公司于2026年4月获得富士康集团“永续卓越供应链奖（物料类）金奖”，标志双方在碳化硅产业层面的合作进一步加深。这类合作关系的持续稳定，体现了碳化硅在不同行业的持续渗透及新应用的不断涌现，一方面有利于公司在行业波动期保持订单韧性，进一步提升全球影响力；另一方面也体现了碳化硅行业未来发展的无限空间。

    整体来说，公司深度融入碳化硅行业价值链，与上下游企业建立了紧密的合作生态。公司以先进的技术能力为核心，精准把握全球客户的最新需求，链接全球顶尖的供应链资源，不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升，并最终实现产业链共赢，持续提升全球影响力。

    （二）研发创新情况

    碳化硅衬底属于高度技术密集型行业，制备流程复杂、工艺壁垒高，核心竞争力很大程度上取决于材料基础研究、晶体生长、缺陷控制、加工工艺、设备设计和产业化协同能力。保持技术领先是公司的长期战略重点。2026年上半年，公司继续围绕基础研究、产品开发和工程优化开展持续投入，强化自主创新能力，推动技术进步与产业化能力相互促进。

    2026年上半年，公司研发费用7457.44万元，与上年同期基本持平。研发投入主要用于12英寸碳化硅衬底、8英寸衬底良率提升和成本降低、P型衬底以及光学、先进封装等新兴领域方向的开发。公司在行业景气承压阶段并未削弱研发投入，而是继续加大前瞻性技术和新应用方向布局，体现出较强的长期投入定力。

    从技术方向看，公司持续围绕大尺寸化、低缺陷、低成本、液相法、P型衬底以及新型应用材料等方向推进研发。公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题；同时，公司也是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一，这为智能电网、高压大功率器件等场景的拓展提供了技术支撑。

    报告期内，公司围绕“销售—研发—生产”联动机制继续强化研发体系。公司围绕现有产品痛点及下游战略客户需求开展研发，并基于客户反馈持续优化迭代产品，使研发成果能够更快转化为产业化能力和客户价值。对于碳化硅这类验证周期长、产业链协同要求高的材料行业而言，这一机制有利于公司在技术创新与市场拓展之间形成正循环。

    从知识产权成果看，公司在持续研发投入基础上，已形成较为系统的知识产权积累和技术壁垒。截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权209项、实用新型专利授权294项，其中境外发明专利授权14项；报告期内新申请发明专利和实用新型专利等10项，其中发明专利9项、实用新型1项。

    从人才与组织能力看，公司持续打造全球碳化硅人才高地。截至报告期末，公司研发人员中硕士、博士合计66人，占研发人员总数38.15%；公司拥有2名享受国务院特殊津贴专家，五四青年奖章获得者，并汇聚国家级人才7人、省级人才16人、市级人才16人。未来，我们将持续优化人才矩阵，进一步完善覆盖材料科学、电子工程、物理、化学、机械工程等多学科背景的研发团队，为公司在基础研究、产品开发和工程转化上的持续推进提供支撑。

    2026年上半年，公司研发创新成果还在多项外部荣誉中得到体现：公司主导制定的国家标准《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》（GB/T47082-2026）于2026年1月28日发布，该标准首次系统规范了碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法，填补了国内空白，为行业提供了统一的测试依据和质量评价体系。此外，公司参与制定的国家标准《碳化硅单晶》（GB/T47404-2026）于2026年3月31日发布，通过主导或参与制定国家标准，极大提升了企业自身的技术实力和行业话语权。公司凭借卓越的产品质量、稳定的供应保障与深度的协同创新，获评博世集团“优选供应商(PreferredSupplier)”。作为博世集团对其全球供应链体系中表现最为杰出合作伙伴的最高认可之一，该称号仅授予排名前20%的优质供应商。此外，公司凭借在供应链稳定性、绿色制造与可持续治理等方面的杰出表现，荣获富士康集团“永续卓越供应链奖（物料类）金奖”。公司产品与技术实力、ESG管理体系持续获得客户的高度肯定。

    总体来看，2026年上半年公司持续推进研发创新工作，坚持高强度投入，在行业波动中保持技术进步节奏不变；围绕大尺寸化与新应用方向进行前瞻布局，既利于当前市场份额提升，也有助于未来产业升级；同时，公司强化研发成果向量产和客户价值转化，持续推动从技术突破到产业化竞争力的闭环形成。这些工作将对公司未来在8英寸进一步放量、12英寸持续突破，以及绿色低碳应用、AI数据中心、微纳光学、先进封装等新应用方向的拓展形成有力支撑。

    （三）半年度成果和荣誉

    2026年上半年，公司在党建引领、技术创新、品牌塑造及可持续发展等方面收获多项荣誉，彰显了公司的行业影响力和综合实力，得到了产业界、资本市场和社会各界的广泛认可。

    1、党建引领方面

    2026年，根据市委组织部常态化开展"学习身边榜样"活动工作部署，以“高质量发展强担当——实干为民开新局”为主题，在全市广泛开展了“学习身边榜样”活动。经过逐级推荐、审核把关、综合比选、集体研究、公开公示，共确定市级“学习身边榜样”人选20名、集体5个，公司党委获评济南市榜样集体。2026年6月，公司党委荣获“山东省先进基层党组织”称号。

    2、技术创新方面

    公司主导制定的国家标准《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》（GB/T47082-2026）于2026年1月28日发布，该标准首次系统规范了碳化硅单晶抛光片堆垛层错的测试方法，填补了国内空白，为行业提供了统一的测试依据和质量评价体系。此外，公司参与制定的国家标准《碳化硅单晶》（GB/T47404-2026）于2026年3月31日发布，通过主导或参与制定国家标准，极大提升了企业自身的技术实力和行业话语权。

    3、品牌塑造方面

    公司凭借卓越的产品质量、稳定的供应保障与深度的协同创新，获评博世集团“优选供应商(PreferredSupplier)”。作为博世集团对其全球供应链体系中表现最为杰出合作伙伴的最高认可之一，该称号仅授予排名前20%的优质供应商。此外，公司凭借在供应链稳定性、绿色制造与可持续治理等方面的杰出表现，荣获富士康集团“永续卓越供应链奖（物料类）金奖”。

    4、可持续发展方面

    公司积极践行绿色发展理念，围绕重要环保节日组织开展系列主题活动，持续推动环境可持续建设。2026年3月12日，在厂区内开展植树节活动，以实际行动美化园区环境、增强员工生态意识；4月22日世界地球日，联合山东财经大学发起青年低碳行动计划，通过校园系列活动普及环保知识、倡导绿色生活方式，激励青年学子主动投身环保实践；6月5日世界环境日，携手济南市生态环境局组织专题宣传活动，面向社会公众深入传播生态文明理念。系列活动的开展，不仅彰显了公司作为负责任企业的使命担当，也为推动区域绿色低碳发展贡献了积极力量。

    (一)核心竞争力分析

    1、大尺寸技术引领行业，全矩阵产品前瞻布局

    碳化硅衬底的大尺寸化是行业降本增效和扩大应用的核心方向之一。公司自成立以来持续布局不同尺寸、不同类型碳化硅衬底的研发与产业化，在尺寸升级方面形成了较强的先发优势。报告期内，公司不仅持续提升8英寸产品的批量供应能力和客户导入深度，而且进一步完成了12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，在业内率先建立起下一代大尺寸产品的全矩阵布局。

    公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产的企业之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的企业。资料显示，公司量产碳化硅衬底尺寸已由2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底；2025年，公司围绕12英寸导电型与半绝缘型产品持续推进客户展示、样品验证和技术完善，进一步夯实了在超大尺寸领域的领先位置。公司在行业由6英寸向8英寸切换过程中，已完成从“技术领先”向“产品主流化、客户规模化采用”的转变。8英寸产品比重持续提高，不仅说明公司技术路线判断准确，也表明公司已在大尺寸产品的品质、交付和客户验证方面形成较高壁垒。

    从产业趋势看，8英寸的意义在于能够显著提升单片晶圆的芯片产出、提高设备兼容性并降低综合成本。8英寸衬底单片芯片产出量约为6英寸的2倍；同时，晶体生长技术的进步推动8英寸导电型衬底实现量产，更大的可用衬底面积推动单位综合成本降低。公司率先完成8英寸产品产业化并在2025年实现主流化应用，意味着其不仅走在技术前列，更有效承接了下游客户对成本优化和产线升级的需求。

    在更大尺寸布局上，12英寸产品进一步强化了公司的下一代竞争壁垒。12英寸产品在面积上较8英寸继续扩大，有望进一步降低单位成本并提升经济性，同时下游诸多新兴领域如先进封装、AI光学的进一步发展也亟待12英寸的规模化量产。目前公司已经完成12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型产品的全产品大尺寸布局，标志着公司正式跻身全球碳化硅大尺寸技术竞争前列。

    在大尺寸技术领先的同时，公司前沿工艺布局也增强了技术领先的深度。公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的P型碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题；同时，公司也是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。液相法相较传统路径，能够更好地控制生长参数，使掺杂分布更加均匀，特别适用于高功率、高耐压场景，对公司在高压电网、P型衬底及未来更高品质大尺寸产品开发中具有战略价值。

    总体看，公司在大尺寸路线上的核心竞争力，不仅率先推出大尺寸产品，并已建立起从技术领先、工艺方法突破，到客户协同开发验证、大批量稳定交付的完整闭环。8英寸的主流化应用和12英寸的全矩阵布局，使公司在当前和下一阶段行业竞争中都具备较强主动权。

    2、赋能“AI+新能源”双轮驱动的多元化应用生态能力

    公司对碳化硅材料底层特性、下游场景需求和产业演进方向具有深刻的理解，同时围绕客户需求开展协同研发和产品定义的经验非常丰富。报告期内，公司产品和技术围绕新能源与AI双轮驱动不断向更广泛场景渗透，展现出较强的生态赋能能力。

    碳化硅材料具备多元物理特性。现有资料明确显示，其具有高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率、高热导率、高折射率等特征，可应用于功率器件、射频器件、光波导、散热部件、滤波器等多类下游产品中。结合用户要求，公司对SiC材料的理解和应用布局已不仅限于“电”的方向，而是进一步延伸至光学、热管理等方向，体现出对材料多物理特性的系统开发能力。

    在新能源领域，碳化硅材料已广泛应用于电动汽车、光伏储能、电网、轨道交通、充电设施和家电等场景。随着电力电子各个子场景下功率密度的提升和能效要求增强，碳化硅材料在新能源应用中的基础盘持续扩大，并开始有加速的迹象。

    在先进封装与高端散热领域，碳化硅凭借高导热、耐高温特性，可用于半导体散热部件、先进封装中介层等方向。公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于下游高功率激光器芯片的散热层，并持续在AI、数据中心和先进散热部件等新应用场景推动技术突破。这类应用本质上是利用碳化硅在热管理和材料稳定性方面的优势，服务于AI算力中心高功率、高散热密度场景。

    在滤波器与先进通信方面。碳化硅已应用于TF-SAW滤波器等方向，先进通信基站中的渗透率也正逐年提升。公司正围绕碳化硅在高频高速通信场景的材料优势，与客户共同推动产品验证和应用落地。

    总体来看，公司围绕“AI+新能源”的多元应用生态能力，持续拓展客户行业，将碳化硅材料的“电、光、声、热”等多维特性逐步转化为可量产、可验证、可协同开发的产品能力。随着下游更多新场景从验证走向规模化，公司有望凭借这种跨场景理解和快速响应能力，进一步提升行业渗透率和客户黏性。

    3、全球领先的规模化量产能力与精益制造体系

    在行业供给紧张，需求逐步走强的过程中，能否稳定实现大尺寸产品的规模化生产、保证一致性和良率、按时交付全球头部客户，成为决定企业竞争地位的关键因素。报告期内，公司继续强化规模化量产能力和精益制造体系，形成了较为突出的交付优势。

    公司目前已形成上海临港与山东济南两大主要生产基地协同布局。截至报告期末，公司已在山东及上海设立两大生产基地，报告期内上海工厂、济南工厂有序地推进二阶段产能提升规划，海外工厂也逐步进入计划建设阶段。完善的产能布局增强了公司对全球大客户稳定交付的支撑能力，也提升了产能调度和风险分散能力。

    公司大尺寸产品的快速量产能力，是其制造体系的重要体现。公司生产管理团队已形成一整套从厂房建设到稳定生产大尺寸产品的快速量产经验，可在较短周期内完成从项目建设到客户交付的落地，这对公司海外产能的布局也至关重要。

    在良率、厚度与一致性方面，公司同样具备领先能力。目前公司已解决有效晶体生长厚度提升的量产难题，有效厚度超行业平均水平。更高的有效厚度意味着单个晶锭可切出更多衬底，有助于大幅降低单位产品成本。与此同时，公司产品已达到近零微管水平，并表现为无堆垛层错、低BPD、低TSD和低TED密度。公司还实施“Z计划”，旨在实现高质量产品及无缺陷交付。

    在智能制造方面，公司持续推进AI和数字化工厂建设。上海工厂在设计之初即定位为智慧工厂，配备高性能、智能化设备，通过AI和数字化技术持续优化工艺；公司运用信息系统实现生产品质实时分析、监测和预警，并通过部署机器人系统和智能设备单元，实现了操作控制与管理的自动化，部分晶体生长设施实现无人化运营。高自动化和高信息化能力，一方面减少了人为干预带来的品质波动，另一方面提高了生产效率和一致性。

    总体而言，公司多元化的产能布局，高一致性的品质保障和持续降本的系统能力，为公司服务全球头部客户打下了坚实基础，也为公司在行业竞争中保持韧性和扩大份额提供了关键支撑。

    4、深度绑定的全球头部客户资源与国际化品牌影响力

    碳化硅衬底行业的客户进入门槛高、验证周期长、替换成本大，因此，头部优质客户是公司长期发展的基石。公司经过多年积累，已与全球头部功率半导体企业及多个新兴领域龙头客户建立了稳定合作关系，形成了稳定深入的客户生态优势。

    目前，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，并已进入国际知名半导体公司的重要供应链，这种合作关系体现了公司在品质、稳定性、交付和技术服务上的综合实力。

    从品牌与市场地位看，公司已具备较强国际影响力。公司的稳步发展获得了头部客户的广泛认可和尊重，报告期内获评博世集团“优选供应商(PreferredSupplier)”以及富士康集团“永续卓越供应链奖（物料类）金奖”，充分体现了公司在行业议价、行业标准理解和制定和产业链协同中拥有的影响力。

    总体而言，公司深度绑定的全球头部客户资源与国际化品牌影响力，已经成为其在行业竞争中的重要壁垒。随着公司通过“A+H”平台进一步完善全球营销与资本网络，并持续提升8英寸和12英寸产品供给能力，公司有望在全球范围内进一步提升市场份额和品牌影响力。

    (三)核心技术与研发进展

    1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况

    公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及材料质量表征创新。公司的成功源于我们的专有技术，公司致力于自主研发，并形成一套全面的知识产权保护体系。

    （1）碳化硅晶体生长过程中的缺陷控制技术

    碳化硅材料中的缺陷包括微管、多型夹杂、位错、层错等。微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是器件的杀手型缺陷；碳化硅材料包含200多种晶体结构，为确保获得符合要求的晶体结构并避免产生多型夹杂等常见缺陷，精确控制温度、压力、气流等多种参数至关重要；碳化硅晶体生长热场中存在的温度梯度导致的热应力、生长过程中的温度、组分、生长台阶等波动也容易引入位错、层错、点缺陷等缺陷，从而影响后续外延和器件的质量和性能。

    我们(i)通过设计晶体成核工艺，控制籽晶界面处的均匀有序成核，实现了单一4H晶型和近零微管密度的晶体生长；

    (ii)通过热场结构和晶体生长腔室结构的设计，实现了高均匀性的晶体生长热场和稳定的生长台阶控制，有效降低了晶体生长内应力和位错、层错等诱生缺陷，大幅度提高了晶体结晶质量；

    (iii)通过对贯穿型位错的产生及转化机制的研究，以及在位错消除工艺上的创新，实现了对螺型位错密度低于60cm-2以内以及最优质控制在1cm-2以下的高质量碳化硅衬底的商业化；

    (iv)通过对点缺陷的表征，以及对其产生和消除机理的研究，实现了生长界面上C/Si组分的精准调控，确保对晶体内点缺陷的类型及浓度进行控制。该等技术使我们能够在高质量碳化硅晶体的连续生长过程中实现质量稳定可控。

    上述缺陷控制技术持续迭代优化，为8英寸及12英寸大尺寸衬底的高良率量产提供了核心支撑。公司8英寸衬底量产良率持续提升，随着长晶有效厚度提升和工艺参数精细调控能力的增强，单位生产成本持续下降。

    （2）碳化硅晶体生长设备及热场设计制造技术

    我们的碳化硅晶体生长设备采用高真空系统结构，可在实现极高真空度的同时保持极低的高温真空漏率，保证了碳化硅粉料及碳化硅晶体生长腔室的纯度。此外，我们对碳化硅晶体生长设备自动化程度进行不断提升，与晶体生长控制软件系统结合，可以实现晶体生长前的自动上料、封炉及自动化控制，并可实现晶体生长过程中的炉温、真空度、气体流量等全参数实时监控，保证了晶体生长过程的稳定性和可控性。

    碳化硅晶体生长热场是碳化硅晶体生长的核心，决定了晶体生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。我们的热场仿真建模团队，利用专业碳化硅热场仿真软件进行热场设计，可针对不同类型、不同尺寸的碳化硅晶体进行精确的热场仿真、建模和设计，从而满足晶体的生长技术需求。

    （3）高纯碳化硅粉料制备技术

    碳化硅粉料是碳化硅晶体生长的原料。由于合成环境的影响及原辅材料中本身含有不可去除的杂质，合成的碳化硅粉料中不可避免地引入较多杂质，直接影响晶体的纯度和电学性能。我们研制了高真空度的粉料反应腔室，使用了高纯度的石墨保温材料，设计了特殊反应工艺，从而获得了极高纯度碳化硅粉料颗粒，将粉料中主要电活性杂质浓度控制在0.05ppm以下。此外，经过破碎筛分和自研的清洗工艺后，可以获得不同粒度的粉料，从而保障了高质量碳化硅晶体的制备。

    （4）精准杂质控制技术及电学性能控制技术

    半导体电学性能取决于半导体材料中杂质的类型和浓度。为实现半绝缘型碳化硅衬底高阻电学特性，需要将晶体中的杂质浓度控制在极低的水平；为实现导电型碳化硅衬底低阻电学特性，则需要向晶体中引入高浓度的氮元素。因此，在生长过程中对进入到晶体中的杂质进行精准控制至关重要。

    针对半绝缘型碳化硅衬底，我们基于自主研制的高真空度单晶生长腔室和高纯度碳化硅粉料，进一步开发了晶体生长过程中的原位提纯技术和晶体生长界面的C/Si组分控制技术，有效降低了晶体中的杂质浓度并实现了对点缺陷种类和浓度的控制，得到了稳定的高阻特性。

    针对导电型碳化硅衬底，在稳定的气相组分控制基础上，我们进一步通过热场设计及生长方法的优化实现了无高氮掺杂生长特征面的衬底，面内电阻率差异降低至1mΩ·cm以下；同时为了进一步提升衬底性能，我们开发了具有超低电阻率的导电型碳化硅衬底，解决了超高氮掺杂下的缺陷、应力、衬底平整度控制难题。

    （5）碳化硅衬底超精密加工技术

    公司长期深耕碳化硅衬底超精密加工核心技术，已构建覆盖切、磨、抛全工序的自主工艺体系，为8英寸碳化硅衬底的品质跃升与规模化量产提供坚实支撑。通过持续优化加工损耗控制，单位产出稳步提升、制造成本持续下降，有力保障了产品的核心竞争力。同时，公司率先布局12英寸光学级碳化硅衬底加工技术，实现TTV（总厚度偏差）的精准管控，可充分满足下游光波导等高端应用对衬底面型精度的严苛要求。

    ①高面型质量多线切片技术

    针对碳化硅莫氏硬度9.2、硬脆难加工的材料特性——易产生微裂纹、位错、划痕、崩边等机械损伤，公司深入开展亚表面损伤机理研究，自主开发细线化、薄片化多线切割工艺，在有效控制亚表面损伤深度的同时显著降低切割损耗，加工效率与成品率均处于行业先进水平，助力整体制造成本持续优化。

    ②高效低损耗激光切片技术

    公司系统研究激光与碳化硅材料的相互作用机理，自主开发高效低损耗激光切片技术，该技术在加工效率与材料利用率方面优势明显，可显著提升单位厚度晶锭的产片数量，并已实现激光切片工序全自动化运行。随着碳化硅衬底尺寸向12英寸演进，加工面临裂片、面型差、效率低、成本高等新挑战。公司通过激光剥离技术有效降低了加工过程引入的应力，确保面型稳定性，为大尺寸碳化硅衬底的低成本、规模化制造开辟了全新技术路径。

    ③高平整度、低粗糙度全局磨抛技术

    碳化硅晶体物理与化学性质均极为稳定，传统半导体磨抛工艺效率极低，且难以保证表面面型与质量。公司突破传统半导体磨抛工艺在碳化硅材料上的效率瓶颈，历经多年技术积累，成功研发多级化学机械连续抛光工艺及配套高效化学机械抛光液。通过连续多级化学作用与机械去除的精准协同，实现光滑、平坦、近乎无缺陷的超精密加工表面，加工效率与表面质量同步提升。

    随着AR应用的发展，行业对衬底平整度（TTV）提出了更为严苛的要求。公司重点优化抛光工艺，攻克大尺寸抛光过程中边缘厚度易塌陷的难题，将全尺寸衬底TTV降至1μm以下；为大尺寸碳化硅衬底的低成本、规模化制造开辟了全新技术路径。从界面基础性质出发，研发双面CMP工艺，使衬底背面（C面）达到与正面（Si面）同等水平，为光波导应用奠定了扎实基础。

    ④碳化硅衬底表面清洗技术

    在化学机械抛光后，需要对碳化硅衬底进行清洗，去除表面亚微米级颗粒、沾污、金属离子等，以获得超洁净的表面。我们自主研制了化学清洗液，开发了多步清洗工艺，结合新型全自动干燥技术，有效去除衬底表面的微小颗粒、金属离子沾污和水渍，使客户能够开盒即用。超精密加工技术的持续优化支撑了8英寸衬底产能的快速释放，切磨抛损耗控制进一步优化，配合长晶有效厚度提升，单位产出的加工成本持续下降。12英寸光学碳化硅衬底TTV进一步降低，满足下游市场对碳化硅光波导衬底的需求。

    （6）液相法

    有别于现有的PVT技术，我们的液相法涉及从熔融硅碳溶液中生长碳化硅晶体。该技术能够在近平衡状态下生长晶体，可以更好地控制生长参数和结晶质量；溶液环境使晶体内的掺杂剂分布更加均匀，特别适用于高功率高耐压功率器件产品的碳化硅晶体生长。通过精细管理熔融物的温度、成分及流动方式，我们可以生产出缺陷更少、电阻率更低、尺寸更大的碳化硅晶锭。

    2026年4月，公司液相法高品质P型衬底制备技术相关成果发表于晶体生长领域著名期刊《JournalofCrystalGrowth》，在晶体质量、电学均一性、长载流子寿命、极低贯穿性缺陷及创新性热场设计方面取得进一步突破，相关P型4H-SiC衬底XRD摇摆曲线半高宽低至15.6弧秒，为万伏级功率芯片量产奠定基础。

    2、报告期内获得的研发成果

    报告期内，新申请发明专利和实用新型专利共10项，其中发明专利9项，实用新型1项。

    截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权209项，实用新型专利授权294项，其中境外发明专利授权14项。

本文数据来源于天岳先进2026年中报，仅供参考不构成投资建议。