盛美上海（688082）2026年半年度管理层讨论与分析

证券之星消息，近期盛美上海（688082）发布2026年半年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

发展回顾：

一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明

    （一）所属行业情况

    半导体产业的发展是全球经济重要的组成部分。半导体产业涉及汽车电子、人工智能、服务器、芯片、专用IC、材料设备、物联网芯片、汽车MCU、晶圆、封测等多个细分行业。随着生成式人工智能技术的爆发，下游市场需求持续增长。为应对AI驱动的增量需求，行业持续加大对产能及基础设施的投资力度，重点推进先进逻辑芯片、动态随机存储器（DRAM）及先进封装等方向的产能扩张与技术升级。在强劲的市场需求驱动下，半导体专用设备制造业保持高速增长态势。

    公司自设立以来，始终致力于为全球集成电路行业提供领先的设备及工艺解决方案，坚持差异化国际竞争和原始创新的发展战略。通过持续的自主研发，公司进一步完善了知识产权体系，凭借丰富的技术和工艺积累，形成了平台化的半导体工艺设备布局，包括清洗设备、电镀设备、立式炉管系列设备、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、后道晶圆级先进封装工艺设备、面板级先进封装设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。  

    公司凭借深耕集成电路设备产业多年而积累的集成应用经验，掌握了成熟的核心关键工艺技术、生产制造能力与原始创新的研发能力，拥有成熟的供应链管理和制造体系，同时契合集成电路产业链中下游应用市场所需。公司凭借领先的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体设备供应商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。

    报告期内，随着公司技术水平的不断提高、产品成熟度以及市场对公司产品的认可度不断提升，公司业务开拓迅速，营业收入持续增长，报告期内保持持续盈利。

    公司具有“高新技术企业”资质，被评为国家级“专精特新”小巨人企业、工信部制造业单项冠军、全国工业和信息化系统先进集体，连续多年被评为“中国半导体设备五强企业”，曾荣获首批“上海市企业重点实验室”，获得“上海市企业技术中心”、“上海市专精特新企业”、“上海市创新型企业总部”和“上海市制造业单项冠军企业”等荣誉，“SAPS兆声波清洗技术”荣获2020年度上海市科技进步奖一等奖，同年被评为上海市专利示范企业，2022年获浦东新区大企业开放创新中心（GOI）挂牌。

    （二）公司主营业务情况

    公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备；后道晶圆级先进封装工艺设备、面板级先进封装设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。

    （1）前道半导体工艺设备

    ①清洗设备

    A.SAPS兆声波单片清洗设备

    晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。

    公司自主研发的SAPS兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。

    B.TEBO兆声波单片清洗设备

    公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3DNAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。

    公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置18腔体，有效提升客户的生产效率。

    C.高温单片SPM设备

    随着技术节点推进，工艺温度要求在150摄氏度以上，甚至超过200摄氏度的SPM工艺步骤逐渐增加。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对SPM的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温SPM设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助清洗方案，比如公司独有的专利技术SAPS和TEBO兆声波技术。该设备可支持300mm晶圆单片SPM（硫酸和过氧化氢混合酸）工艺，可广泛应用于逻辑、DRAM和3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其适合处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀和剥离工艺。单片中低温SPM清洗设备在多家客户端实现量产26nm颗粒数量少于10颗，平均颗粒数量少于5颗。高温（硫酸温度大于170摄氏度）SPM设备装入盛美上海的专利申请保护的喷嘴技术，可以有效改善清洗腔的氛围，大幅减少清洗腔的清洗频度，增加运行时间，实现26nm小颗粒数量少于10颗，平均颗粒数量少于5颗；19nm小颗粒数量少于10颗；15nm颗粒数量少于15颗，颗粒控制水平达到全球领先水平。

    D.单片槽式组合清洗设备

    公司自主研发的具有全球知识产权保护的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除、刻蚀后清洗、离子注入后清洗和机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中低温SPM清洗设备相媲美。该设备通过减少高达75%的硫酸消耗量，仅硫酸一项每年就可节省高达数十万美元的成本，帮助客户降低生产成本又能更好符合国家节能减排政策。该设备具备强大的清洗能力，在26nm颗粒测试中实现了平均颗粒个位数的标准，可满足高端制造的严格要求。

    E.单片背面清洗设备

    公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶圆送入腔体后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆与卡具之间的空隙。同时，该设备还可精准控制晶圆边缘回刻宽度，做到zeroundercut控制。该设备可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺。

    F.边缘湿法刻蚀设备

    该设备支持多种器件和工艺，包括3DNAND、DRAM和逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。

    G.前道刷洗设备

    设备采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。该设备可用于集成电路制造流程中前段至后段各道刷洗工艺。

    H.全自动槽式清洗设备

    公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清洗方式组合，再配以常压IPA干燥技术及低压IPA干燥技术，能够同时清洗50片晶圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于40nm及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。

    ②半导体电镀设备

    A.前道铜互连电镀铜设备

    公司自主开发针对28nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术UltraECPmap。公司的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的片内薄膜沉积均匀性，可满足各种工艺的镀铜需求。

    B.三维堆叠电镀设备

    应用于填充3d硅通孔TSV和2.5D转接板的三维电镀设备UltraECP3d。基于盛美半导体电镀设备的平台，该设备可为高深宽比（深宽比大于10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。该设备为提高产能而设计了堆叠式腔体，能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。

    C.新型化合物半导体电镀设备

    UltraECPGIII新型化合物半导体电镀设备已实现量产，在深孔镀金工艺中表现优异，台阶覆盖率在同样工艺参数条件下优于竞争对手水平；同时公司开发了去镀金技术并实现模块销售。

    ③立式炉管系列设备

    公司研发的立式炉管设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉，公司炉管产品已经进入多个中国集成电路晶圆制造厂，已通过验证并大量量产。其中等离子体增强原子层沉积炉管已进入中国集成电路晶圆制造厂，通过初步验证，为后续奠定基础。

    ④前道涂胶显影Track设备

    公司的前道涂胶显影UltraLithTMTrack设备是一款应用于300mm前道集成电路制造工艺的设备，可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需求。该设备功能多样，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影Track设备支持主流光刻机接口，支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺，可确保满足工艺要求的同时，让晶圆在光刻设备中曝光前后的涂胶和显影步骤得到优化。公司首台高产能KrF工艺前道涂胶显影设备已于2025年9月顺利交付中国头部逻辑晶圆制造厂。

    ⑤等离子体增强化学气相沉积PECVD设备

    公司的等离子体增强化学气相沉积UltraPmaxTMPECVD设备配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更优化的薄膜应力和更少的颗粒特性。

    ⑥前道无应力铜互连平坦化设备

    公司的无应力抛光设备将无应力抛光技术SFP(Stress-Free-Polish)与低下压力化学机械平坦化技术CMP相结合，集成创新了低k/超低k介电质铜互连平坦化Ultra-SFP抛光集成系统，集合二者优点，利用低下压力化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至150nm厚度，再采用无应力抛光SFP的智能抛光控制技术将抛光进行到阻挡层，最后采用公司自主开发的热气相刻蚀技术，将阻挡层去除。无应力抛光设备应用于铜低k/超低k互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简单，采用环保的可以循环使用的电化学抛光液，没有抛光垫，研磨液等，耗材成本降低50%以上；对互联结构中金属层和介质层无划伤及机械损伤。

    ⑦新型化合物半导体刻蚀设备

    公司推出了6/8英寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。

    ⑧光刻胶固化设备

    该设备专为解决光刻工艺中均匀性不足、温度漂移及临界尺寸变异等难题而设计，助力制造商在器件尺寸持续微缩的趋势下，维持稳定的良率与图形保真度。凭借行业领先的紫外固化均匀性与精密温控技术，该设备可实现高度稳定且可重复的光刻工艺，温度均匀性达±0.1°C。整机采用可配置设计，支持客户根据不同工艺配方与光刻胶集成需求灵活配置。

    （2）后道晶圆级先进封装工艺设备

    ①先进封装电镀设备

    公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题。采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现2μm超细RDL线的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果。

    ②涂胶设备

    公司的升级版8/12英寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和Polyimide涂布、软烤及边缘去除。涂胶腔内采用了公司特有的全方位无死角自动清洗技术，可缩短设备维护时间。涂胶腔内可兼容两种光刻胶类型。这款升级版涂胶设备对盛美原有的涂胶设备性能和外观都进行了优化升级，可实现热板抽屉式抽出，方便维修及更换，并且能精确复位，有效保障工序运行。

    ③显影设备

    公司的UltraCdv显影设备可应用于晶圆级封装，是WLP光刻工艺中的步骤。设备可进行曝光后烘烤、显影和坚膜等关键步骤。设备具备灵活的喷嘴扫描系统，精准的药液流量和温度控制系统，更低的成本控制，技术领先，使用便捷。

    ④湿法刻蚀设备

    公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。该设备具备领先的喷嘴扫描系统，可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备专注安全性，并且拥有药液回收使用功能从而减少成本，刻蚀腔内可兼容至多三种刻蚀药液单独使用及回收，提高使用效率。

    ⑤湿法去胶设备

    公司的UltraCpr湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升了安全性，提高了WLP产能。该设备将湿法槽式浸洗与单片晶圆清洗相结合，单片腔可实现高压去胶及常压去胶，也可单独使用。去胶平台能够在灵活控制清洗的同时，最大限度地提高效率，也可与公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，以清除极厚或者极难去除的光刻胶涂层。

    ⑥金属剥离设备

    公司的湿法金属剥离（MetalLiftoff）设备基于公司已有的湿法去胶设备平台，将槽式去胶浸泡模块与单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离。该设备可以在不同单片清洗腔中分别配置去胶功能和清洗功能，并通过优化腔体结构，实现易拆卸、清洗与维护，以解决金属剥离工艺中残留物累积的问题。

    ⑦后道无应力抛光先进封装平坦化设备

    公司拓展开发适用于先进封装3D硅通孔及2.5D转接板中金属铜层平坦化工艺应用，为了解决工艺成本高和晶圆翘曲大的难点，利用无应力抛光的电化学抛光原理，相对比传统化学机械平坦化CMP，没有研磨液、抛光头和抛光垫，仅使用可循环使用的电化学抛光液；并且不受铜层是否经过退火的影响，去除率稳定；通过与CMP工艺整合，先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄至小于0.5μm-0.2μm厚度，再退火处理，最后CMP工艺的解决方案，能够有效解决CMP工艺存在的技术和成本瓶颈。

    ⑧带铁环晶圆的湿法清洗设备

    公司已经研发出可以应用于带铁环晶圆（tape-framewafer）的湿法清洗设备，采用公司自主研发的chuck设计和腔体结构，可以支持不同尺寸铁环，可以用于清洗解键合工艺后的胶残留，清洗效果完全满足生产需求，提升工艺制程的良率。

    ⑨聚合物清洗设备

    聚合物清洗设备使用相关有机溶剂清洗干法刻蚀后的聚合物残留，主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺。聚合物清洗设备腔体可兼容两种有机溶剂，同时配备二流体清洗功能。聚合物清洗工艺过程中药液需要Dosing功能以保证清洗能力，该设备具有领先的Dosing功能，可根据工艺时间、药液使用时间和有机溶液浓度控制等灵活进行Dosing设定，保证清洗能力。

    ⑩TSV清洗设备

    TSV清洗设备主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺中，TSV工艺中孔内会有聚合物残留，可选择使用高温硫酸与双氧水混合液进行清洗。TSV清洗设备具有高效的温度控制能力，可控制Wafer表面清洗时温度在170℃高温。清洗后还可搭配公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，保证TSV孔内的清洗效果。

    ?背面清洗/刻蚀设备

    背面清洗/刻蚀设备可用于介质层清洗和刻蚀、以及常规硅刻蚀工艺。背洗和背刻设备可通过手臂翻转或者单独的翻转单元进行翻转，腔体使用伯努利原理通过氮气支撑Wafer进行工艺，在完美保护Wafer正面不受影响的情况下进行背面清洗和刻蚀工艺。

    ?键合胶清洗设备

    键合胶清洗设备主要用于2.5D/3D工艺中键合胶的去除，涉及到Wafer边缘键合胶去除及正面键合胶去除。设备配备单独的二流体EBR喷嘴，可用于去除Wafer边缘键合胶；正面只用3根二流体喷嘴，可搭配组合使用或单独使用，具有高效的去除效率；同时药液可进行回收以减少成本。

    ?带框晶圆清洗设备

    公司的带框晶圆清洗设备可在同一腔体中同时完成清洗和干燥工艺，实现高效清洗和干燥。公司自研的处理技术使该设备能够处理厚度小于150微米的薄晶圆。这款设备可在脱粘后的清洗过程中有效清洗半导体晶圆，其创新溶剂回收系统具有显著的环境与成本效益，该功能可实现近100%的溶剂回收和过滤效果，进而减少生产过程中化学品用量。

    ?化合物电化学去镀设备

    公司推出了用于化合物半导体金蚀刻工艺的UltraECDP电化学去镀设备，该新设备专为在晶圆图形区域外进行电化学晶圆级金（Au）蚀刻而设计，可实现更高的均匀性、更小的侧蚀和增强的金线外观。

    （3）面板级先进封装设备

    ①面板级先进封装负压清洗设备

    面板级先进封装负压清洗设备主要用于更小pitch以及更小的SOH芯片的助焊剂清洗，在2.5D/3D封装应用效果优势明显。专为面板而设计，该面板材料可以是有机材料或者玻璃材料。该设备可处理510×515mm和600×600mm的面板以及高达7mm的面板翘曲。该设备在2025年11月荣获《GlobalSMT&Packaging》颁发的2025年度全球技术大奖清洁设备类奖项。

    ②面板级先进封装边缘刻蚀设备

    该设备专为面板衬底而设计，可与有机面板、玻璃面板和粘合面板兼容。该设备能有效管理面板的正面和背面，适用尺寸由510mm×515mm至600mm×600mm不等，厚度在0.5mm至2mm之间。该设备可处理最大10mm的翘曲，确保最佳工艺条件。该设备专为铜相关工艺中的边缘刻蚀和清洗而设计，能够同时处理面板的正面和背面的边缘刻蚀，显著提升了工艺效率和产品可靠性。

    ③水平式面板级先进封装电镀设备

    该设备采用公司全球专利申请保护的世界独家水平电镀技术，并支持铜、镍、锡银及金等多材质电镀工艺。该设备可处理510×515mm和600×600mm的面板。设备配备电镀腔内清洗功能以最大限度减少不同电镀腔之间的化学交叉污染，并采用水平电镀设计，通过同步旋转卡盘与旋转矩形电场实现卓越的膜厚均匀性。该设备在2025年3月获得国际3DInCites协会颁发的“TechnologyEnablementAward”奖项。

    （4）硅材料衬底制造工艺设备

    ①化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备公司的CMP后清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底的制造。这款设备在CMP步骤之后，使用稀释的化学药液对晶圆正背面及边缘进行刷洗及化学清洗，以控制晶圆的表面颗粒和金属污染，该设备也可以选配公司独有的兆声波清洗技术。并且这款设备有湿进干出（WIDO）和干进干出（DIDO）两种配置，可以选配2、4或6个腔体，以满足不同产能需求。

    ②FinalClean清洗设备

    公司的FinalClean清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底制造。这款设备在PreClean步骤之后，使用稀释的化学药液同时结合公司独有的兆声波清洗技术对晶圆正背面进行化学清洗，以控制晶圆表面颗粒和金属污染。

    二、经营情况的讨论与分析

    2026年半导体产业在全球范围内呈现出持续向好发展态势，同时中国半导体市场也展现出积极的发展趋势。随着当前中国半导体企业的大力投资与扩张，半导体产业实现了快速发展，并在全球半导体产业链中占据了越来越重要的地位。

    自创立之初，公司锚定全球集成电路产业，始终践行以原始创新驱动的差异化技术发展路线。通过长年的技术深耕与自主攻关，公司不仅筑牢了知识产权护城河，更完成了从单一技术突破到全流程平台化布局的跨越，为全球客户提供极具竞争力的整体解决方案。公司现有产品包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、后道晶圆级先进封装工艺设备、面板级先进封装设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。

    公司在集成电路设备领域多年发展，积累了深厚的集成应用经验，掌握了成熟的核心关键工艺技术、生产制造能力及原始创新能力，并建立了完善的供应链管理和制造体系，能够有效契合产业链中下游应用市场需求。凭借领先的技术实力与丰富的产品组合，公司已成长为中国大陆具备一定国际竞争力的半导体设备供应商之一，其产品获得了众多国内外主流半导体厂商的认可。报告期内，伴随技术水平持续提升、产品成熟度增强及市场认可度提高，公司业务拓展成效显著，营业收入实现持续增长，并保持稳定的盈利能力。

    （一）报告期内主要经营情况

    报告期内，公司实现营业收入37.18亿元，较上年同期增长13.87%；归属于上市公司股东的净利润为9.89亿元，较上年同期增长42.14%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为5.71亿元，较上年同期下降15.31%。

    1、生产研发方面

    报告期内，通过与全球一线半导体企业的深度协作，精准把握前沿市场需求，技术与产品竞争力得到全面提升。在巩固现有客户关系的同时，公司积极拓展新客户资源，市场基础愈加稳固。公司“盛美半导体设备研发与制造中心”的投入使用，显著提升了公司生产效能与规模，构建了国际一流的研发环境与创新生态，为核心技术攻关提供持久动力，并为支撑业务的快速发展并保障未来订单的及时交付提供了坚实保障。

    公司的核心产品线在报告期内市场表现卓越，技术创新成果显著。在半导体清洗设备领域，据Gartner统计，公司全球市场占有率达8.3%（位居全球第四）。在国内市场，盛美在国产清洗设备中市场份额达60.5%，位居国内设备企业首位，国内市场整体份额占比仅次于日本DNS公司；报告期内，盛美高温SPM清洗方案关键技术获得重大突破，为GAA与DRAM/HBM量产提供良率有利保障；在半导体电镀设备领域，据Gartner统计，公司全球市场占有率达9.6%（位列全球第二），报告期内，公司ECP设备2000电镀腔完成交付，实现电镀技术全领域覆盖（前道铜互连/后道晶圆级封装/3D堆叠/化合物半导体）；公司首台PECVDSiCN设备顺利出机，该设备为公司自研世界首台三工位旋转沉积架构，可满足IC工艺后段应用及先进封装晶圆级键合应用的严苛工艺需求。

    公司通过持续的研发投入和长期的技术、工艺积累，在新产品开发、生产工艺改进等方面形成了一系列科技成果，对公司持续提升产品品质、丰富产品布局起到了关键性的作用。公司取得的科技成果是公司竞争力的重要组成部分，亦是公司产品销售规模得以持续增长的基础。报告期内，公司实现营业收入37.18亿元，呈持续增长态势。公司主要产品在行业主流客户的规模化销售与高度认可，是公司科技成果与产业发展趋势深度融合的有力证明，为公司长期、健康发展奠定了坚实基础。

    2、供应保障方面

    公司持续加强客户沟通，做好标准机型的销售预测及零部件安全库存管理，优化设备交付周期；为了应对国际供应链复杂性及多变性，公司进一步推进零部件多元化及本土化，提升供应链柔性，更好地满足市场及客户需求。

    3、运营管理方面

    公司在运营管理中涵盖了多个方面，包括计划管理、生产管理、供应链开发及优化管理、质量管理、安全环境管理、信息化管理、人力资源管理、法务管理、IP管理、仓库管理。在生产和物料方面、客户技术支持和设备运行表现方面设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等多个维度。公司定期跟踪各项指标的执行情况，并根据统计结果和客户反馈进行内部讨论，制定出关键指标的改进要求。报告期内，公司营运效率持续提高，生产制造缺陷率持续下降、设备交付按时率保持在较高水准、物料成本控制等指标达到预期水平。

    4、知识产权方面

    公司高度重视科技创新和知识产权保护工作，并与员工签订了《保密及知识产权保护协议》。截至2026年6月30日，公司及控股子公司累计申请（含被授权许可）专利共计2633项，公司及控股子公司拥有及被许可已获授予的专利权的主要专利为646项，其中发明专利640项。从地区上看，境内授权专利245项，境外授权专利401项，境外与境内授权专利比例高达1.5:1，在同行企业中名列前茅。报告期内，公司新增专利申请229项，全部为发明专利申请，彰显了公司源源不断的强劲创新活力。

    5、人才建设方面

    公司将持续深化人才发掘机制，保障团队稳定健康发展。中层管理团队主要来源于内部基层体系培养，注重能力素质与职业品格的同步提升，其中包括部分学历背景有限但专业技能精湛、具备工匠精神的特殊人才。针对此类核心人才，公司提供具有市场竞争力的薪酬及股权激励，并委任至关键岗位，从而构建了积极进取、良性竞争的组织氛围。

    伴随人员规模持续扩张，公司正系统性强化多层级人才培养。一方面，采取模式创新，建立多元化培训机制，形成人才开发与梯队建设的正向循环；另一方面，持续完善机制，通过优化培训激励体系与提升管理效能，有效促进员工专业能力提升与学习主动性。

    6、内部治理方面

    公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构。报告期内，为公司发行境外上市股份（H股）并在香港联合交易所有限公司（以下简称“香港联交所”）挂牌上市（以下简称“本次H股上市”）之目的，根据境内外有关法律、行政法规、部门规章、规范性文件的规定以及相关监管要求，结合公司的实际情况及需求，公司对本次H股上市后适用的《公司章程（草案）》及附件进行了修订，并梳理更新了涉及董事会运作、内部审计、信息披露等十五项内部治理制度。同时，公司新制定了《董事会及雇员多元化政策（草案）》和《境外发行证券与上市相关保密和档案管理工作制度》。通过本次系统性制度修订与制定，公司进一步优化了董事会架构和决策机制，确保了治理实践与境内外监管要求的全面对接，有效提升了公司整体运作的规范性和治理水平。

    7、信息披露及防范内幕交易方面

    报告期内，公司严格遵守法律法规及监管机构的各项规定，确保信息披露真实、准确、完整、及时、公平，通过公司公告、业绩说明会、投资者交流会、上证e互动平台、电话会议、电子邮件等多元化渠道，全方位、多角度保持信息披露的透明度，保障投资者和市场参与者全面、及时了解公司经营情况及发展动态。2026年6月，公司在临港成功举办“2026年投资者开放日”活动，参会投资者约300名，公司全面展示公司生产运营、研发创新及未来发展战略，现场与投资者面对面交流，增进投资者对公司的了解与信任，取得良好反响。

    在内幕交易防范方面，公司高度重视并扎实做好内幕信息知情人登记管理工作，严格界定内幕信息范围，完善知情人登记制度，强化内部信息流转管控。定期对董事、高级管理人员及相关员工发送禁止内幕交易的警示，强调保密义务的重要性，督促相关人员严格遵守公司股票买卖管理规定，持续提升内幕交易风险防控水平，切实维护市场公平公正。

    五、报告期内主要经营情况

    报告期内，公司实现营业收入37.18亿元，较上年同期增长13.87%；归属于上市公司股东的净利润为9.89亿元，较上年同期增长42.14%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为5.71亿元，较上年同期下降15.31%。

本文数据来源于盛美上海2026年中报，仅供参考不构成投资建议。