捷捷微电获得发明专利授权：“一种具有复合沟槽终端结构的双向可控硅及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示捷捷微电（300623）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种具有复合沟槽终端结构的双向可控硅及其制备方法”，专利申请号为CN202610445047.1，授权日为2026年7月31日。

专利摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种具有复合沟槽终端结构的双向可控硅及其制备方法，该双向可控硅包括：N?型硅衬底；两个P型基区，用于与N?型硅衬底共同形成器件内的平面PN结；N+型发射区，开设于P型基区远离N?型硅衬底的一侧；若干复合沟槽终端结构，设置于N?型硅衬底的终端隔离区；复合沟槽终端结构包括台面深沟槽以及位于台面深沟槽侧面的辅助沟槽；其中，台面深沟槽用于通过沟槽结构实现有源区与相邻器件的物理隔离，辅助沟槽用于在耐压时吸引并重新分布电场线以降低台面深沟槽侧壁处的峰值电场；氧化层薄膜。本发明能够以极小的工艺与面积代价，直接高效地抑制台面深沟槽拐角处峰值电场。

今年以来捷捷微电新获得专利授权4个，较去年同期减少了55.56%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了2.02亿元，同比减25.83%。

通过天眼查大数据分析，江苏捷捷微电子股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目66次；财产线索方面有商标信息146条，专利信息156条；此外企业还拥有行政许可24个。

数据来源：天眼查APP

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