扬杰科技获得发明专利授权：“一种增强体二极管续流能力的MOSFET及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种增强体二极管续流能力的MOSFET及其制备方法”，专利申请号为CN202411023038.0，授权日为2026年7月31日。

专利摘要：一种增强体二极管续流能力的MOSFET及其制备方法。涉半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100，在外延片内制备相互间隔的第一重掺杂体区；步骤S200，在外延片内制备第二重掺杂源区；步骤S300，在外延片内制备栅极沟槽；步骤S400，在沟槽内依次制备栅介质和多晶硅；步骤S500，在外延片上沉积隔离层，开窗制备源极沟槽，源极沟槽底部延伸至第一重掺杂体区内部，沟槽宽度大于第一重掺杂体区的间隔宽度；步骤S600，在源极沟槽底部制备肖特基接触金属，与第二轻掺杂耐压区形成肖特基接触，肖特基接触金属上表面低于第二重掺杂源区下表面；本发明有利于商业化进程的推进，具备更高的商业价值。

今年以来扬杰科技新获得专利授权26个，较去年同期减少了59.38%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了4.71亿元，同比增11.24%。

通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目368次；财产线索方面有商标信息9条，专利信息810条，著作权信息6条；此外企业还拥有行政许可250个。

数据来源：天眼查APP

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