C长鑫获得发明专利授权：“半导体结构及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示C长鑫（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202310857360.2，授权日为2026年7月28日。

专利摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构的制造方法包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；于第一区域形成具有第一接触孔的第一接触层；于第二区域形成具有第二接触孔的第二接触层；第一接触孔具有第一深宽比，第二接触孔具有第二深宽比；利用第一沉积偏压在第一接触孔中形成第一金属半导体化合物层；利用第二沉积偏压在第二接触孔中形成第二金属半导体化合物层；其中，第一深宽比小于第二深宽比，第一沉积偏压小于第二沉积偏压。

今年以来C长鑫新获得专利授权11个。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了95.93亿元，同比增108.22%。

通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1087次；财产线索方面有商标信息407条，专利信息706条，著作权信息23条；此外企业还拥有行政许可39个。

数据来源：天眼查APP

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