晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件”，专利申请号为CN202610460537.9，授权日为2026年7月28日。

专利摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件，该方法包括：测试半导体器件中的晶体管的关断态漏极电流的第一测试值；对半导体器件中的晶体管施加热载流子注入应力，以激发浅沟槽隔离结构中内衬层的瞬时电子缺陷；测试半导体器件中的晶体管的关断态漏极电流的第二测试值；通过比较施加热载流子注入应力前后关断态漏极电流的变化情况，判断内衬层是否存在电子缺陷。本申请实施例实现了对浅沟槽隔离结构中内衬层瞬时电子缺陷的快速、高效、灵敏检测。

今年以来晶合集成新获得专利授权325个，较去年同期增加了43.17%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1750条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

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