晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件以及半导体器件制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件以及半导体器件制造方法”，专利申请号为CN202511861937.2，授权日为2026年7月28日。

专利摘要：本申请公开了一种半导体器件以及半导体器件制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底、漏极、源极和栅极；栅极中包含至少一层多晶硅；半导体衬底中设有与源极对应的源区和与漏极对应的漏区，源区和漏区之间设有沟道区；栅极设置在沟道区之上；栅极与沟道区的连接位置和栅极与源极的连接位置均设有栅氧化层；栅极的表面和源极的表面处于同一高度，栅极的表面高于漏极的表面且形成阶梯结构。利用本申请的技术方案，能够改善热载流子效应和短沟道效应，提升半导体器件的电学性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权325个，较去年同期增加了43.17%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1750条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

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