晶丰明源获得实用新型专利授权：“LDMOS阵列结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶丰明源（688368）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“LDMOS阵列结构”，专利申请号为CN202521349574.X，授权日为2026年7月28日。

专利摘要：本实用新型提供一种LDMOS阵列结构。该LDMOS阵列结构中，多个栅极结构位于第一有源区上，包括沿第一方向和第二方向排列的多个条状结构，多个条状结构围设出多个方形的封闭区域；多个漏极区位于第一有源区中且分别位于对应的封闭区域内；多个源极区组位于第一有源区中，一个源极区组包括四个源极区，四个源极区位于形成一个封闭区域的条状结构的外侧且分别与漏极区的四侧相对；多个体区引出区位于第一有源区中，分布在形成一个封闭区域的条状结构的外侧且与封闭区域的四角相对，多个体区引出区与源极区交替排布，且在第二方向上与源极区邻接。这样可以减小LDMOS阵列结构的版图面积。

今年以来晶丰明源新获得专利授权14个，较去年同期增加了40%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了3.86亿元，同比减3.48%。

通过天眼查大数据分析，上海晶丰明源半导体股份有限公司共对外投资了22家企业，参与招投标项目7次；财产线索方面有商标信息54条，专利信息525条，著作权信息8条；此外企业还拥有行政许可3个。

数据来源：天眼查APP

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