长光华芯获得发明专利授权：“边发射半导体激光器芯片及其制备方法和失效分析方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“边发射半导体激光器芯片及其制备方法和失效分析方法”，专利申请号为CN202610560437.3，授权日为2026年7月24日。

专利摘要：本发明提供一种边发射半导体激光器芯片及其制备方法和失效分析方法，制备方法包括：在半导体衬底层沿第一方向的一侧形成发光结构，发光结构包括第一方向上背离半导体衬底层依次排布的第一包层、有源层和第二包层；发光结构包括脊形区；刻蚀发光结构的位于脊形区沿慢轴方向至少一侧的部分，形成在第一方向上刻穿第二包层和有源层的开口；形成正面电极，正面电极位于脊形区背离半导体衬底层的一侧且与脊形区连接，正面电极暴露出开口；在半导体衬底层背离发光结构的一侧形成背面电极。

今年以来长光华芯新获得专利授权9个，较去年同期减少了65.38%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了1.15亿元，同比减9.31%。

通过天眼查大数据分析，苏州长光华芯光电技术股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目80次；财产线索方面有商标信息22条，专利信息280条，著作权信息2条；此外企业还拥有行政许可15个。

数据来源：天眼查APP

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