长鑫科技获得发明专利授权：“半导体器件及其形成方法”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其形成方法”，专利申请号为CN202310898996.1，授权日为2026年7月24日。

专利摘要：本公开实施例提供一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件包括：衬底：位于衬底中的第一晶体管；其中，第一晶体管至少包括U型的第一沟道、以及位于第一沟道表面的第一栅极；第一沟道的U型开口朝向第一方向、且背离衬底；第一方向为衬底的厚度方向；位于第一晶体管表面的U型开口内的第二晶体管；其中，第二晶体管至少包括第二漏极，第二漏极与第一栅极连接。

今年以来长鑫科技新获得专利授权10个。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了95.93亿元，同比增108.22%。

通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1087次；财产线索方面有商标信息407条，专利信息706条，著作权信息23条；此外企业还拥有行政许可39个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，不构成投资建议。

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