晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制备方法、集成电路”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制备方法、集成电路”，专利申请号为CN202610320000.2，授权日为2026年7月24日。

专利摘要：本说明书实施例提供的半导体器件中具有贯穿体区和漂移区的第一沟槽，第一沟槽中填充有覆盖第一沟槽侧壁的隔离层以及填充于剩余第一沟槽的栅极结构；基于上述结构，在半导体器件的工作过程中，可以将电子在器件中的流向从横向变为纵向，在漂移区提供的耗尽层不变的情况下，可以充分利用器件纵向上的空间，减少器件在横向上所需的晶圆面积，降低器件的尺寸，从而降低器件的整体成本。此外，该器件相较于传统的横向沟道的LDMOS器件，具有更好低导通电阻特性，且可保持较高的耐压性能。进一步的，该器件的制备过程可以基于DTI制程实现，与BCD工艺兼容，相较于现有的LDMOS制备工艺，可节省栅极掩模板，有利于降低制备成本。

今年以来晶合集成新获得专利授权314个，较去年同期增加了38.33%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1750条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

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